Nitrogen doped n-type CdS nanoribbons with tunable electrical and photoelectrical properties

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 11, Issue 3, 2011, Pages 2003-2011

  Wu, Bo ^a   Jiang, Yang ^a   Wu, Di ^a   Li, Shanying ^a,b   Li, Wang ^a   Yu, Yongqing ^a   Wang, Zhuangbing ^a   Jie, Jiansheng ^a  

^a HEFEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

^b HENAN UNIVERSITY OF URBAN CONSTRUCTION   (China)

Author keywords

Carrier transfer properties; CdS nanoribbons; Field effect transistors; Nitrogen doped; Photoconductor

Indexed keywords

AMMONIA ATMOSPHERE; BAND EDGE; BAND GAPS; CARRIER TRANSFER; CDS; DEVICE PERFORMANCE; DOPING CONCENTRATION; EXCITION; HIGH SENSITIVITY; N-DOPING; NANORIBBONS; NITROGEN DOPED; ORDERS OF MAGNITUDE; PHOTO-ELECTRICAL PROPERTIES; PHOTOCONDUCTIVE PROPERTIES; PHOTOCONDUCTOR; PHOTOLUMINESCENCE SPECTRUM; POST ANNEALING; RESPONSE AMPLITUDES; SPECTRAL FEATURE; THERMAL EVAPORATION DEPOSITION; THREE ORDERS OF MAGNITUDE; WURTZITE STRUCTURE;

CADMIUM COMPOUNDS; CADMIUM SULFIDE; CRYSTAL STRUCTURE; FIELD EFFECT TRANSISTORS; NANOSTRUCTURES; NITROGEN; PHOTOLUMINESCENCE; THERMAL EVAPORATION; X RAY DIFFRACTION; ZINC SULFIDE;

ELECTRIC PROPERTIES;

CADMIUM DERIVATIVE; CADMIUM SULFIDE; NANOMATERIAL; NITROGEN; SULFIDE;

ARTICLE; CHEMISTRY; CRYSTALLIZATION; EQUIPMENT; EQUIPMENT DESIGN; INSTRUMENTATION; LUMINESCENCE; MATERIALS TESTING; METHODOLOGY; NANOTECHNOLOGY; PARTICLE SIZE; SEMICONDUCTOR; ULTRASTRUCTURE;

CADMIUM COMPOUNDS; CRYSTALLIZATION; EQUIPMENT DESIGN; EQUIPMENT FAILURE ANALYSIS; LUMINESCENT MEASUREMENTS; MATERIALS TESTING; NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY; NITROGEN; PARTICLE SIZE; SULFIDES; TRANSISTORS, ELECTRONIC;

EID: 79955867197     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2011.3550     Document Type: Conference Paper

References (45)

1. X. F. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. F. Wang, and C. M. Lieber, Nature 409, 66 (2001).
2. Y. Cui and C. M. Lieber, Science 291, 851 (2001).
3. Z. H. Zhong, F. Qian, D. L. Wang, and C. M. Lieber, Nano Lett. 3, 343 (2003).
4. L. B. Luo, J. S. Jie, Z. H. Chen, X. J. Zhang, X. Fan, G. D. Yuan, Z. B. He, W. F. Zhang, W. J. Zhang, and S. T. Lee, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 6292 (2009).
5. G. H. Li, Y. Jiang, C. Wang, J. F. Shi, and Z. P. Zhang, J. Nanosci. Nanotechnol. 8, 3883 (2008).
6. G. Galli, Nature 436, 32 (2005).
7. S. C. Erwin, L. J. Zu, M. I. Haftel, A. L. Efros, T. A. Kennedy, and D. J. Norris, Nature 436, 91 (2005).
8. B. Xiang, P. W. Wang, X. Z. Zhang, S. A. Dayeh, D. P. R. Aplin, C. Soci, D. P. Yu, and D. L. Wang, Nano Lett. 7, 323 (2007).
9. Y. Donghyuk, K. Jeongmin, Y. Changjoon, P. Byoungjun, J. Dong-Young, K. Eui Kwan, and K. Sangsig, J. Nanosci. Nano technol. 9, 3256 (2009).
10. C. Yi, D. Xiangfeng, H. Jiangtao, and C. M. Lieber, J. Phys. Chem. B 104, 5213 (2000).
11. C. L. Hsin, J. H. He, C. Y. Lee, W. W. Wu, P. H. Yeh, L. J. Chen, and Z. L. Wang, Nano Lett. 7, 1799 (2007).
12. D. S. Kim, Y. J. Cho, J. Park, J. Yoon, Y. Jo, and M. H. Jung, J. Phys. Chem. C 111, 10861 (2007).
13. S. Kar, S. Santra, and H. Heinrich, J. Phys. Chem. C 112, 4036 (2008).
14. J. S. Jie, W. J. Zhang, Y. Jiang, X. M. Meng, Y. Q. Li, and S. T. Lee, Nano Lett. 6, 1887 (2006).
15. Q. H. Li, T. Gao, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 86, 193109 (2005).
16. A. L. Pan, D. Liu, R. B. Liu, F. F. Wang, X. Zhu, and B. S. Zou, Small 1, 980 (2005).
17. Y. K. Liu, J. A. Zapien, C. Y. Geng, Y. Y. Shan, C. S. Lee, Y. Lifshitz, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 85, 3241 (2004).
18. B. L. Cao, Y. Jiang, C. Wang, W. H. Wang, L. Z. Wang, M. Niu, W. J. Zhang, Y. Q. Li, and S. T. Lee, Adv. Funct. Mater. 17, 1501 (2007).
19. Y. Huang, X. F. Duan, and C. M. Lieber, Small 1, 142 (2005).
20. R. M. Ma, L. Dai, H. B. Huo, W. Q. Yang, G. G. Qin, P. H. Tan, C. H. Huang, and J. Zheng, Appl. Phys. Lett. 89, 203120 (2006).
21. Y. J. Chang, P. H. Mugdur, S. Y. Han, A. A. Morrone, S. O. Ryu, T. J. Lee, and C. H. Chang, Electrochem. Solid St. 9, G174 (2006).
22. J. S. Jie, W. J. Zhang, Y. Jiang, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 89, 133118 (2006).
23. R. M. Ma, L. Dai, H. B. Huo, W. Q. Yang, G. G. Qin, P. H. Tan, C. H. Huang, and J. Zheng, Appl. Phys. Lett. 89, 203120 (2006).
24. R. M. Ma, L. Dai, and G. G. Qin, Nano Lett. 7, 868 (2007).
25. Z. Shao-Min, Physica Status Solidi A 203, 45 (2006).
26. Y. Wang, Y. Jiang, D. Wu, Y. P. Sheng, L. L. Chen, G. H. Li, and J. S. Jie, J. Nanosci. Nanotechnol. 10, 433 (2010).
27. N. M. Osipyonok, A. F. Singaevsky, Y. V. Noskov, Y. P. Piryatinski, P. S. Smertenko, O. P. Dimitriev, and A. A. Pud, Mat. Sci. Eng. B-Solid 147, 254 (2008).
28. Z. B. He, J. S. Jie, W. J. Zhang, W. F. Zhang, L. B. Luo, X. Fan, G. D. Yuan, I. Bello, and S. T. Lee, Small 5, 345 (2009).
29. D. G. Thomas and J. J. Hopfield, Phys. Rev. 128, 2135 (1962).
30. T. B. Hoang, L. V. Titova, H. E. Jackson, L. M. Smith, J. M. Yarrison-Rice, J. L. Lensch, and L. J. Lauhon, Appl. Phys. Lett. 89, 123123 (2006).
31. A. Yoshikawa, S. Muto, S. Yamaga, and H. Kasai, Jpn. J. Appl. Phys. 1 27, 992 (1988).
32. J. S. Jie, G. Z. Wang, Y. M. Chen, X. H. Han, Q.T. Wang, B. Xu, and J. G. Hou, Appl. Phys. Lett. 86, 31909 (2005).
33. G. Z. Shen, J. H. Cho, J. K. Yoo, G. C. Yi, and C. J. Lee, J. Phys. Chem. B 109, 9294 (2005).
34. T. K. Tran, W. Park, W. Tong, M. M. Kyi, B. K. Wagner, and C. J. Summers, J. Appl. Phys. 81, 2803 (1997).
35. G. D. Yuan, W. J. Zhang, J. S. Jie, X. Fan, J. A. Zapien, Y. H. Leung, L. B. Luo, P. F. Wang, C. S. Lee, and S. T. Lee, Nano Lett. 8, 2591 (2008).
36. G. D. Yuan, W. J. Zhang, W. F. Zhang, X. Fan, I. Bello, C. S. Lee, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 93, 213102 (2008).
37. H. S. Song, W. J. Zhang, G. D. Yuan, Z. B. He, W. F. Zhang, Y. B. Tang, L. B. Luo, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 95, 3 (2009).
38. J. S. Jie, W. J. Zhang, Y. Jiang, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 89, 223117 (2006).
39. S. M. Sze, Semiconductor Devices, Physics and Technology, 2nd edn., John Willy, New York (2001).
40. K. Ogata, D. Kawaguchi, T. Kera, and S. Fujita, J. Cryst. Growth. 159, 312 (1996).
41. O. Zelaya-Angel and R. Lozada-Morales, Phys. Rev. B 62, 13064 (2000).
42. O. Zelayaangel, A. E. Esparzagarcia, C. Falcony, R. Lozadamorales, and R. Ramirezbon, Solid State Commun. 94, 81 (1995).
43. A. Kamata, H. Mitsuhashi, and H. Fujita, Appl. Phys. Lett. 63, 3353 (1993).
44. J. A. Wolk, J. W. Ager, K. J. Duxstad, E. E. Haller, N. R. Taskar, D. R. Dorman, and D. J. Olego, Appl. Phys. Lett. 63, 2756 (1993)
45. Y. Jiang, W. J. Zhang, J. S. Jie, X. M. Meng, X. Fan, and S. T. Lee, Adv. Funct. Mater. 17, 1795 (2007).