Controlled growth of large-area high-performance small-molecule organic single-crystalline transistors by slot-die coating using a mixed solvent system

Advanced Materials

Volumn 25, Issue 44, 2013, Pages 6442-6447

  Chang, Jingjing ^a   Chi, Chunyan ^a   Zhang, Jie ^b   Wu, Jishan ^a,b  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^b INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

Author keywords

crystal anisotropy; mixed solvent systems; organic single crystalline transistors; slot die coating

Indexed keywords

COATING PARAMETERS; CRYSTAL ANISOTROPY; CRYSTAL GROWTH BEHAVIOR; FIELD EFFECT TRANSISTOR (FETS); MIXED-SOLVENT SYSTEMS; SINGLE-CRYSTALLINE; SLOT-DIE COATINGS; SOLUTION-PROCESSED;

CRYSTALLINE MATERIALS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; FILM GROWTH; SINGLE CRYSTALS; SOLVENTS;

COATINGS;

EID: 84888611949     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201301267     Document Type: Article

References (39)

1. Y. Wen, Y. Liu, Y. Guo, G. Yu, W. Hu, Chem. Rev. 2011, 111, 3358.
2. H. Yan, Z. Chen, Y. Zheng, C. Newman, J. R. Quinn, F. Dotz, M. Kastler, A. Facchetti, Nature 2009, 457, 679.
3. E. J. Meijer, D. M. De Leeuw, S. Setayesh, E. Van Veenendaal, B. H. Huisman, P. W. M. Blom, J. C. Hummelen, U. Scherf, T. M. Klapwijk, Nat. Mater. 2003, 2, 678.
4. Y. Zhao, C. Di, X. Gao, Y. Hu, Y. Guo, L. Zhang, Y. Liu, J. Wang, W. Hu, D. Zhu, Adv. Mater. 2011, 23, 2448.
5. S. H. Liu, W. C. M. Wang, A. L. Briseno, S. C. E. Mannsfeld, Z. N. Bao, Adv. Mater. 2009, 21, 1217.
6. S. Allard, M. Forster, B. Souharce, H. Thiem, U. Scherf, Angew. Chem. Int. Ed. 2008, 47, 4070.
7. H. Usta, A. Facchetti, T. J. Marks, Acc. Chem. Res. 2011, 44, 501.
8. B. J. Jung, N. J. Tremblay, M. L. Yeh, H. E. Katz, Chem. Mater. 2011, 23, 568.
9. L. Zhang, C. Di, G. Yu, Y. Liu, J. Mater. Chem. 2010, 20, 7059.
10. C. S. Kim, S. Lee, E. D. Gomez, J. E. Anthony, Y. L. Loo, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 103302.
11. M. M. Ling, Z. N. Bao, Chem. Mater. 2004, 16, 4824.
12. J. C. Wittmann, P. Smith, Nature 1991, 352, 414.
13. H. Sirringhaus, R. J. Wilson, R. H. Friend, M. Inbasekaran, W. Wu, E. P. Woo, M. Grell, D. D. C. Bradley, Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 406.
14. T. Fujiwara, J. Locklin, Z. N. Bao, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 232108.
15. I. O. Shklyarevskiy, P. Jonkheijm, N. Stutzmann, D. Wasserberg, H. J. Wondergem, P. C. M. Christianen, A. P. H. J. Schenning, D. M. de Leeuw, Z. Tomovic, J. S. Wu, K. Müllen, J. C. Maan, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 16233.
16. J. S. Wu, W. Pisula, K. Müllen, Chem. Rev. 2007, 107, 718.
17. W. Pisula, A. Menon, M. Stepputat, I. Lieberwirth, U. Kolb, A. Tracz, H. Sirringhaus, T. Pakula, K. Müllen, Adv. Mater. 2005, 17, 684.
18. H. A. Becerril, M. E. Roberts, Z. H. Liu, J. Locklin, Z. N. Bao, Adv. Mater. 2008, 20, 2588.
19. S. K. Park, T. N. Jackson, J. E. Anthony, D. A. Mourey, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 063514.
20. J. Jang, S. Nam, K. Im, J. Hur, S. N. Cha, J. Kim, H. B. Son, H. Suh, M. A. Loth, J. E. Anthony, J. J. Park, C. E. Park, J. M. Kim, K. Kim, Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 1005.
21. G. Giri, E. Verploegen, S. C. B. Mannsfeld, S. A. Evrenk, D. H. Kim, S. Y. Lee, H. A. Becerril, A. A. Guzik, M. F. Toney, Z. Bao, Nature 2011, 480, 504.
22. R. Hamilton, J. Smith, S. Ogier, M. Heeney, J. E. Anthony, I. McCulloch, J. Veres, D. D. C. Bradley, T. D. Anthopoulos, Adv. Mater. 2009, 21, 1166.
23. D. H. Kim, D. Y. Lee, H. S. Lee, W. H. Lee, Y. H. Kim, J. I. Han, K. Cho, Adv. Mater. 2007, 19, 678.
24. J. H. Kwon, S. Shin, K. H. Kim, M. J. Cho, K. N. Kim, D. H. Choi, B. K. Ju, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 013506.
25. J. Smith, R. Hamilton, Y. Qi, A. Kahn, D. D. C. Bradley, M. Heeney, I. McCulloch, T. D. Anthopoulos, Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 2330.
26. R. R. Sondergaard, M. Hosel, F. C. Krebs, J. Polym. Sci., Part B: Polym. Phys. 2013, 51, 16.
27. J. P. Hong, S. Lee, Angew. Chem. Int. Ed. 2009, 48, 3096.
28. Y. H. Kim, B. Yoo, J. E. Anthony, S. K. Park, Adv. Mater. 2012, 24, 497.
29. R. Z. Rogowski, A. Dzwilewski, M. Kemerink, A. A. Darhuber, J. Phys. Chem. C. 2011, 115, 11758.
30. S. H. Kim, D. Choi, D. S. Chung, C. Yang, J. Jang, C. E. Park, S.-H. K. Park, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 113306.
31. J. A. Lim, W. H. Lee, H. S. Lee, J. H. Lee, Y. D. Park, K. Cho, Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 229.
32. R. J. Davis, M. T. Lloyd, S. R. Ferreira, M. J. Bruzek, S. E. Watkins, L. Lindell, P. Sehati, M. Fahlman, J. E. Anthony, J. W. P. Hsu, J. Mater. Chem. 2011, 21, 1721.
33. J. Chen, J. Anthony, D. C. Martin, J. Phys. Chem. B. 2006, 110, 16397.
34. W. H. Lee, D. H. Kim, Y. Jang, J. H. Cho, M. Hwang, Y. D. Park, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 132106.
35. R. L. Headrick, S. Wo, F. Sansoz, J. E. Anthony, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 063302.
36. C. Di, Y. Liu, G. Yu, D. Zhu, Acc. Chem. Res. 2009, 42, 1573.
37. J. Chen, C. K. Tee, M. Shtein, J. Anthony, D. C. Martin, J. Appl. Phys. 2008, 103, 114513.
38. C. W. Sele, B. K. C. Kjellander, B. Niesen, M. J. Thornton, J. B. P. H. van der Putten, K. Myny, H. J. Wondergem, A. Moser, R. Resel, A. J. J. M. van Breemen, N. van Aerle, P. Heremans, J. E. Anthony, G. H. Gelinck, Adv. Mater. 2009, 21, 4926.
39. J. Li, J. Chang, H. Tan, H. Jiang, X. Chen, Z. Chen, J. Zhang, J. Wu, Chem. Sci. 2012, 3, 846.