Highly enhanced ultraviolet photosensitivity and recovery speed in electrospun Ni-doped SnO2 nanobelts

Applied Physics Letters

Volumn 103, Issue 14, 2013, Pages

  Huang, Siya ^a   Matsubara, Kohei ^a,b   Cheng, Jing ^a   Li, Heping ^a   Pan, Wei ^a  

^a TSINGHUA UNIVERSITY   (China)

^b TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ENHANCED RECOVERY; LIGHT SENSITIVE MATERIALS; NANOBELTS; PHOTOSENSITIVITY;

COMPENSATION EFFECTS; DEPLETION-LAYER THICKNESS; ELECTROSPUNS; NANOBELT ARRAYS; OXYGEN SURFACE; PHOTORESPONSES; RECOVERY SPEED; TRAPPING CENTERS;

NICKEL COMPOUNDS;

EID: 84885578249     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4824026     Document Type: Article

References (37)

1. O. Lupan, L. Chow, G. Chai, A. Schulte, S. Park, and H. Heinrich, Mater. Sci. Eng., B 157, 101 (2009). 10.1016/j.mseb.2008.12.035
2. J. M. Wu and C. H. Kuo, Thin Solid Films 517, 3870 (2009). 10.1016/j.tsf.2009.01.120
3. Z. Q. Liu, D. H. Zhang, S. Han, C. Li, T. Tang, W. Jin, X. L. Liu, B. Lei, and C. W. Zhou, Adv. Mater. 15, 1754 (2003). 10.1002/adma.200305439
4. M. S. Arnold, P. Avouris, Z. W. Pan, and Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B 107, 659 (2003). 10.1021/jp0271054
5. Z. R. Dai, J. L. Gole, J. D. Stout, and Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B 106, 1274 (2002). 10.1021/jp013214r
6. M. S. Park, G. X. Wang, Y. M. Kang, D. Wexler, S. X. Dou, and H. K. Liu, Angew. Chem., Int. Ed. 46, 750 (2007). 10.1002/anie.200603309
7. L. M. Li, X. M. Yin, S. A. Liu, Y. G. Wang, L. B. Chen, and T. H. Wang, Electrochem. Commun. 12, 1383 (2010). 10.1016/j.elecom.2010.07.026
8. C. Jiang, G. Zhang, Y. Wu, L. Li, and K. Y. Shi, CrystEngComm 14, 2739 (2012). 10.1039/c2ce06405g
9. H. S. Woo, I. S. Hwang, C. W. Na, S. J. Kim, J. K. Choi, J. S. Lee, J. Choi, G. T. Kim, and J. H. Lee, Mater. Lett. 68, 60 (2012). 10.1016/j.matlet. 2011.10.016
10. Y. J. Chen, C. L. Zhu, M. S. Cao, and T. H. Wang, Nanotechnology 18, 285502 (2007). 10.1088/0957-4484/18/28/285502
11. S. Mathur, S. Barth, H. Shen, J. C. Pyun, and U. Werner, Small 1, 713 (2005). 10.1002/smll.200400168
12. H. L. Zhang, C. G. Hu, J. Xu, B. Y. Wan, K. Y. Zhang, and X. Y. Li, Sens. Lett. 9, 1643 (2011). 10.1166/sl.2011.1720
13. C. Y. Hsu, D. H. Lien, S. Y. Lu, C. Y. Chen, C. F. Kang, Y. L. Chueh, W. K. Hsu, and J. H. He, ACS Nano 6, 6687 (2012). 10.1021/nn3011625
14. S. Dhara and P. K. Giri, Chem. Phys. Lett. 541, 39 (2012). 10.1016/j.cplett.2012.05.026
15. Y. K. Mishra, V. S. K. Chakravadhanula, V. Hrkac, S. Jebril, D. C. Agarwal, S. Mohapatra, D. K. Avasthi, L. Kienle, and R. Adelung, J. Appl. Phys. 112, 064308 (2012). 10.1063/1.4752469
16. D. D. Lin, H. Wu, W. Zhang, H. P. Li, and W. Pan, Appl. Phys. Lett. 94, 172103 (2009). 10.1063/1.3126045
17. C. H. Lin, T. T. Chen, and Y. F. Chen, Opt. Express 16, 16916 (2008). 10.1364/OE.16.016916
18. D. H. Zhang, Z. Q. Liu, C. Li, T. Tang, X. L. Liu, S. Han, B. Lei, and C. W. Zhou, Nano Lett. 4, 1919 (2004). 10.1021/nl0489283
19. C. Y. Yan and P. S. Lee, Sci. Adv. Mater. 4, 241 (2012). 10.1166/sam.2012.1280
20. B. Ding, M. R. Wang, X. F. Wang, J. Y. Yu, and G. Sun, Mater. Today 13, 16 (2010). 10.1016/S1369-7021(10)70200-5
21. I. D. Kim, E. K. Jeon, S. H. Choi, D. K. Choi, and H. L. Tuller, J. Electroceram. 25, 159 (2010). 10.1007/s10832-010-9607-6
22. D. Kim, Y. K. Kim, S. C. Park, J. S. Ha, J. Huh, J. Na, and G. T. Kim, Appl. Phys. Lett. 95, 043107 (2009). 10.1063/1.3190196
23. 2-based nanostructures (Table S1).
24. N. Kouklin, Adv. Mater. 20, 2190 (2008). 10.1002/adma.200701071
25. Q. H. Li, T. Gao, Y. G. Wang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 86, 123117 (2005). 10.1063/1.1883711
26. C. S. Hwang, B. T. Lee, C. S. Kang, K. H. Lee, H. J. Cho, H. Hideki, W. D. Kim, S. I. Lee, and M. Y. Lee, J. Appl. Phys. 85, 287 (1999). 10.1063/1.369443
27. S. Matsushima, T. Maekawa, J. Tamaki, N. Miura, and N. Yamazoe, Sens. Actuators B 9, 71 (1992). 10.1016/0925-4005(92)80196-5
28. C. N. Xu, J. Tamaki, N. Miura, and N. Yamazoe, Sens. Actuators B 3, 147 (1991). 10.1016/0925-4005(91)80207-Z
29. P. Q. Hu, G. J. Du, W. J. Zhou, J. J. Cui, J. J. Lin, H. Liu, D. Liu, J. Y. Wang, and S. W. Chen, ACS Appl. Mater. Interfaces 2, 3263 (2010). 10.1021/am100707h
30. D. D. Lin, H. Wu, and W. Pan, Adv. Mater. 19, 3968 (2007). 10.1002/adma.200602802
31. D. D. Lin, H. Wu, R. Zhang, and W. Pan, Nanotechnology 18, 465301 (2007). 10.1088/0957-4484/18/46/465301
32. E. A. Morais and L. V. A. Scalvi, J. Mater. Sci. 42, 2216 (2007). 10.1007/s10853-006-1320-0
33. E. A. Morais, L. V. A. Scalvi, V. Geraldo, R. M. F. Scalvi, S. J. L. Ribeiro, C. V. Santilli, and S. H. Pulcinelli, J. Eur. Ceram. Soc. 24, 1857 (2004). 10.1016/S0955-2219(03)00515-6
34. H. Fong, W. D. Liu, C. S. Wang, and R. A. Vaia, Polymer 43, 775 (2002). 10.1016/S0032-3861(01)00665-6
35. Z. Y. Hou, P. P. Yang, C. X. Li, L. L. Wang, H. Z. Lian, Z. W. Quan, and J. Lin, Chem. Mater. 20, 6686 (2008). 10.1021/cm801538t
36. S. Banerjee, A. Bumajdad, and P. S. Devi, Nanotechnology 22, 275506 (2011). 10.1088/0957-4484/22/27/275506
37. H. Ogawa, M. Nishikawa, and A. Abe, J. Appl. Phys. 53, 4448 (1982). 10.1063/1.331230