The local structure, magnetic, and transport properties of Cr-doped In 2O3 films

Journal of Applied Physics

Volumn 113, Issue 15, 2013, Pages

  Wang, Shiqi ^a,c   An, Yukai ^a,c   Feng, Deqiang ^a,c   Wu, Zhonghua ^b   Liu, Jiwen ^a,c  

^a BEIJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS   (China)

^b INSTITUTE OF HIGH ENERGY PHYSICS   (China)

^c Tianjin Key Lab for Photoelectric Materials and Devices   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CR CONCENTRATION; MAGNETIC CHARACTERIZATION; METALLIC TRANSPORT; MOTT VARIABLE-RANGE HOPPING; RF-MAGNETRON SPUTTERING; SATURATED MAGNETIZATION; SEMICONDUCTING BEHAVIOR; SI (100) SUBSTRATE;

FERROMAGNETISM; PHOTOELECTRONS; TRANSPORT PROPERTIES; X RAY DIFFRACTION; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 84884328678     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4800828     Document Type: Article

References (48)

1. H. Ohno, Science 281, 951 (1998). 10.1126/science.281.5379.951
2. S. A. Wolf, D. D. Awschalom, R. A. Buhrman, J. M. Daughton, S. von Molnar, M. L. Roukes, A. Y. Chtchelkanova, and D. M. Treger, Science 294, 1488 (2001). 10.1126/science.1065389
3. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000). 10.1126/science.287.5455.1019
4. A. J. Behan, A. Mokhtari, H. J. Blythe, D. Score, X. H. Xu, J. R. Neal, A. M. Fox, and G. A. Gehring, Phys. Rev. Lett. 100, 047206 (2008). 10.1103/PhysRevLett.100.047206
5. W. Q. Zou, C. N. Ge, G. Venkataiah, H. L. Su, H. S. Hsu, J. C. A. Huang, X. C. Liu, F. M. Zhang, and Y. W. Du, J. Appl. Phys. 111, 113704 (2012). 10.1063/1.4720381
6. K. R. Kittilstved and D. R. Gamelin, J. Am. Chem. Soc. 127, 5292 (2005). 10.1021/ja050723o
7. P. Mohanty, N. C. Mishra, R. J. Choudhary, A. Banerjee, T. Shripathi, N. P. Lalla, S. Annapoorni, and C. Rath, J. Phys. D: Appl. Phys. 45, 325301 (2012). 10.1088/0022-3727/45/32/325301
8. W. K. Park, R. J. Ortega-Hertogs, J. S. Moodera, A. Punnoose, and M. S. Seehra, J. Appl. Phys. 91, 8093 (2002). 10.1063/1.1452650
9. J. M. D. Coey, A. P. Douvalis, C. B. Fitzgerald, and M. Venkatesan, Appl. Phys. Lett. 84, 1332 (2004). 10.1063/1.1650041
10. C. B. Fitzgerald, M. Venkatesan, A. P. Douvalis, S. Huber, J. M. D. Coey, and T. Bakas, J. Appl. Phys. 95, 7390 (2004). 10.1063/1.1676026
11. H. Kim, M. Osofsky, M. M. Miller, S. B. Qadri, R. C. Y. Auyeung, and A. Pique, Appl. Phys. Lett. 100, 032404 (2012). 10.1063/1.3678038
12. Y. K. An, D. Q. Feng, L. S. Duan, Z. H. Wu, and J. W. Liu, J. Phys. D: Appl. Phys. 45, 295304 (2012). 10.1088/0022-3727/45/29/295304
13. A. P. S. Gaur, S. Sahoo, R. K. Katiyar, C. Rinaldi, J. F. Scott, and R. S. Katiyar, J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 495002 (2011). 10.1088/0022-3727/44/49/ 495002
14. A. M. H. R. Hakimi, M. G. Blamire, S. M. Heald, Marzook S. Alshammari, M. S. Alqahtani, D. S. Score, H. J. Blythe, A. M. Fox, and G. A. Gehring, Phys. Rev. B 84, 085201 (2011). 10.1103/PhysRevB.84.085201
15. J. Y. Kim, J. H. Park, B. G. Park, H. J. Noh, S. J. Oh, J. S. Yang, D. H. Kim, S. D. Bu, and T. W. Noh, Phys. Rev. Lett. 90, 017401 (2003). 10.1103/PhysRevLett.90.017401
16. G. Peleckis, X. L. Wang, and S. X. Dou, Appl. Phys. Lett. 89, 022501 (2006). 10.1063/1.2220529
17. X. Li, C. T. Xia, G. Q. Pei, and X. L. He, J. Phys. Chem. Solids 68, 1836 (2007). 10.1016/j.jpcs.2007.05.019
18. C. Y. Hsu, J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 415303 (2011). 10.1088/0022-3727/44/41/415303
19. P. Kharel, C. Sudakar, M. B. Sahana, G. Lawes, R. Suryanarayanan, R. Naik, and V. M. Naik, J. Appl. Phys. 101, 09H117 (2007). 10.1063/1.2712175
20. L. Bizo, M. Allix, H. Niu, and M. J. Rosseinsky, Adv. Funct. Mater. 18, 777 (2008). 10.1002/adfm.200700672
21. D. Berardan, E. Guilmeau, and D. Pelloquin, J. Magn. Magn. Mater. 320, 983 (2008). 10.1016/j.jmmm.2007.10.002
22. N. H. Honga, J. Sakaib, and F. Gervais, J. Magn. Magn. Mater. 316, 214 (2007). 10.1016/j.jmmm.2007.02.081
23. R. J. Green, D. W. Boukhvalov, E. Z. Kurmaev, L. D. Finkelstein, H. W. Ho, K. B. Ruan, L. Wang, and A. Moewes, Phys. Rev. B 86, 115212 (2012). 10.1103/PhysRevB.86.115212
24. J. He, S. Xu, Y. K. Yoo, Q. Xue, H. C. Lee, S. Cheng, X. D. Xiang, G. F. Dionne, and I. Takeuchi, Appl. Phys. Lett. 86, 052503 (2005). 10.1063/1.1851618
25. Y. K. Yoo, Q. Xue, H. C. Lee, S. Cheng, X. D. Xiang, G. F. Dionne, S. Xu, J. He, Y. S. Chu, S. D. Preite, S. E. Lofland, and I. Takeuchi, Appl. Phys. Lett. 86, 042506 (2005). 10.1063/1.1854720
26. L. A. Errico, M. Rentería, and M. Weissmann, Phys. Rev. B 72, 184425 (2005). 10.1103/PhysRevB.72.184425
27. C. E. Rodriguez-Torres, A. F. Cabrera, L. A. Errico, C. Adan, F. G. Requejo, M. Weissmann, and S. J. Stewart, J. Phys.: Condens. Matter. 20, 135210 (2008). 10.1088/0953-8984/20/13/135210
28. H. W. Ho, B. C. Zhao, B. Xia, S. L. Huang, J. G. Tao, A. C. H. Huan, and L. Wang, J. Phys.: Condens. Matter. 20, 475204 (2008). 10.1088/0953-8984/20/47/ 475204
29. C. Y. Park, C. Y. You, K. R. Jeon, and S. C. Shin, Appl. Phys. Lett. 100, 222409 (2012). 10.1063/1.4722928
30. S. C. Li, P. Ren, B. C. Zhao, B. Xia, and L. Wang, Appl. Phys. Lett. 95, 102101 (2009). 10.1063/1.3222867
31. G. Z. Xing, J. B. Yi, D. D. Wang, L. Liao, T. Yu, Z. X. Shen, C. H. A. Huan, T. C. Sun, J. Ding, and T. Wu, Phys. Rev. B. 79, 174406 (2009). 10.1103/PhysRevB.79.174406
32. R. D. Shannon and C. T. Prewitt, Acta Crystallogr. 25, 925 (1969). 10.1107/S0567740869003220
33. P. A. Bertrand, J. Vac. Sci. Technol. 18, 28 (1981). 10.1116/1.570694
34. C. Xu, M. Hassel, H. Kuhlenbeck, and H. J. Freund, Surf. Sci. 258, 23 (1991). 10.1016/0039-6028(91)90897-2
35. A. Maetaki, M. Yamamoto, H. Matsumoto, and K. Kishi, Surf. Sci. 445, 80 (2000). 10.1016/S0039-6028(99)01044-4
36. S. M. Yan, S. H. Ge, Y. L. Zuo, W. Qiao, and L. Zhang, Scr. Mater. 61, 387 (2009). 10.1016/j.scriptamat.2009.04.022
37. A. Samariya, R. K. Singhal, S. Kumar, Y. T. Xing, S. C. Sharma, P. Kumari, D. C. Jain, S. N. Dolia, U. P. Deshpande, T. Shripathi, and E. Saitovitch, Appl. Surf. Sci. 257, 585 (2010). 10.1016/j.apsusc.2010.07.037
38. S. Gautam, S. Kumar, P. Thakur, K. H. Chae, R. Kumar, B. H. Koo, and C. G. Lee, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 175406 (2009). 10.1088/0022-3727/42/17/ 175406
39. H. Kimura, T. Fukumura, M. Kawasaki, K. Inaba, T. Hasegawa, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 80, 94 (2002). 10.1063/1.1430856
40. Y. C. Yang, C. Song, F. Zeng, F. Pan, Y. N. Xie, and T. Liu, Appl. Phys. Lett. 90, 242903 (2007). 10.1063/1.2748081
41. X. H. Xu, F. X. Jiang, J. Zhang, X. C. Fan, H. S. Wu, and G. A. Gehring, Appl. Phys. Lett. 94, 212510 (2009). 10.1063/1.3147190
42. C. Y. Park, S. G. Yoon, Y. H. Jo, and S. C. Shin, Appl. Phys. Lett. 95, 122502 (2009). 10.1063/1.3232243
43. L. H. Ye, A. J. Freeman, and B. Delley, Phys. Rev. B. 73, 033203 (2006). 10.1103/PhysRevB.73.033203
44. M. He, Y. F. Tian, D. Springer, I. A. Putra, G. Z. Xing, E. E. M. Chia, S. A. Cheong, and T. Wu, Appl. Phys. Lett. 99, 222511 (2011). 10.1063/1.3665401
45. N. B. Ukah, R. K. Gupta, P. K. Kahol, and K. Ghosh, Appl. Surf. Sci. 255, 9420 (2009). 10.1016/j.apsusc.2009.07.045
46. N. Mott, Metal-Insulator Transitions (Taylor Francis, London, 1900).
47. T. C. Kaspar, T. Droubay, S. M. Heald, P. Nachimuthu1, C. M. Wang, V. Shutthanandan, C. A. Johnson, D. R. Gamelin, and S. A. Chambers, New J. Phys. 10, 055010 (2008). 10.1088/1367-2630/10/5/055010
48. J. M. D. Coey, M. Venkatesan, and C. B. Fitzgerald, Nature Mater. 4, 173 (2005). 10.1038/nmat1310