Impact of the plasma ambient and the ruthenium precursor on the growth of ruthenium films by plasma enhanced atomic layer deposition

ECS Solid State Letters

Volumn 1, Issue 2, 2012, Pages

  Swerts, J ^a   Delabie, A ^a   Salimullah, M M ^a   Popovici, M ^a   Kim, M S ^a   Schaekers, M ^a   Van Elshocht, S ^a  

^a IMEC   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GROWTH BEHAVIOR; INCUBATION TIME; PLASMA-ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION; PYRROLYL; RUTHENIUM FILMS; RUTHENIUM PRECURSORS; STEADY STATE;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; DEPOSITION; RUTHENIUM;

PLASMAS;

EID: 84875472816     PISSN: 21628742     EISSN: 21628750     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/2.003202ssl     Document Type: Article

References (16)

1. International Technology Roadmap for Semiconductors (2009).
2. T. Aaltonen, P. Alen, M. Ritala, and M. Leskala, Chem. Vap. Deposition, 9, 45 (2003).
3. J. A. Zhao, M. A. Pawlak, M. Popovici, M. Schaekers, E. Sleeckx, E. Vancoille, D. J. Wouters, Z. Tokei, and J. A. Kittl, ECS Trans., 25, 377 (2009).
4. K. Kukli, M. Kernell, E. Puukilainen, J. Aarik, A. Aidla, T. Sajavaara, M. Laitinen, M. Tallarida, J. Sundqvist, M. Ritala, and M. Leskala, J. Electrochem. Soc., 158, 158 (2011).
5. S. S. Yim, D. J. Lee, K. S. Kim, S. H. Kim, T. S. Yoon, and K. B. Kim, J. Appl. Phys., 103, 113509 (2008).
6. O. K. Kwon, S. H. Kwon, H. S. Park, and S. W. Kang, J. Electrochem. Soc., 151(12), C753 (2004).
7. J. Swerts, S. Armini, L. Carbonell,M. Popovici, A. Delabie, A. Franquet, S. Mertens, M. Schaekers, T. Witters, Z. Tokei, G. Beyer, S. Van Elshocht, V. Gravey, A. Cockburn, K. Shah, and J. Aubuchon, J. Vac. Sci. Technol. A., 30, 01A103 (2012).
8. S. H. Kwon, O. K. Kwon, J. H. Kim, H. R. Oh, K. H. Kim, and S. W. Kang, J. Electrochem. Soc., 155(5), H296 (2008).
9. S. S. Yim, M.S. Lee, K. S. Kim, and K. B. Kim, Appl. Phys. Lett., 89(9), 093115 (2006).
10. O. K. Kwon, S. H. Kwon, H. S. Park, and S. W. Kang, Electrochem. Solid-State Lett., 7, 46 (2004).
11. S. H. Kwon, O. K. Kwon, J. S. Min, and S. W. Kang, J. Electrochem. Soc., 153(6), G578 (2006).
12. S. W. Kim, S. H. Kwon, S. J. Jeong, and S. W. Kang, J. Electrochem. Soc., 155(11), H885 (2008).
13. C. C. Chang and F. M. Pan, J. Electrochem. Soc., 158, 97 (2011).
14. S. S. Yim, M.S. Lee, K. S. Kim, and K. B. Kim, Appl. Phys. Lett., 89(9), 093115 (2006).
15. W. H. Kim, S. J. Park, and H. Kim, NMDC IEEE, 1, 636 (2006).
16. Q. Xie, Y. L. Long, J. Musschoot, D. Deduytsche, C. Detavernier, R.L. Van Meirhaeghe, S. Van den Berghe, G. P. Ru, B. Z. Li, and X. P. Qu, Thin Solid Films, 517, 4689 (2006).