-
1
-
-
79955991177
-
-
M. T. Bjork, B. J. Ohlsson, T. Sass, et al., Appl. Phys. Lett. 80, 1058 (2002).
-
(2002)
Appl. Phys. Lett.
, vol.80
, pp. 1058
-
-
Bjork, M.T.1
Ohlsson, B.J.2
Sass, T.3
-
2
-
-
28344456271
-
-
S. Gradecak, F. Qian, Y. Li, H. G. Park, and C. M. Lieber, Appl. Phys. Lett. 87, 173111 (2005).
-
(2005)
Appl. Phys. Lett.
, vol.87
, pp. 173111
-
-
Gradecak, S.1
Qian, F.2
Li, Y.3
Park, H.G.4
Lieber, C.M.5
-
4
-
-
84874264390
-
-
N. A. Sanford, P. T. Blanchard, K. A. Bertness, et al., J. Appl. Phys. 107, 03418 (2010).
-
(2010)
J. Appl. Phys.
, vol.107
, pp. 03418
-
-
Sanford, N.A.1
Blanchard, P.T.2
Bertness, K.A.3
-
5
-
-
77955586841
-
-
L. Rigutti, M. Tchernycheva, A. De Luna Bugallo, et al., Nano Lett. 10, 2939 (2010).
-
(2010)
Nano Lett.
, vol.10
, pp. 2939
-
-
Rigutti, L.1
Tchernycheva, M.2
De Luna Bugallo, A.3
-
6
-
-
79959337751
-
-
A. De Luna Bugallo, L. Rigutti, G. Jacopin, et al., Appl. Phys. Lett. 98, 233107 (2011).
-
(2011)
Appl. Phys. Lett.
, vol.98
, pp. 233107
-
-
De Luna Bugallo, A.1
Rigutti, L.2
Jacopin, G.3
-
8
-
-
18744412711
-
-
G. E. Cirlin, V. G. Dubrovskii, N. V. Sibirev, et al., Semiconductors 39, 557 (2005).
-
(2005)
Semiconductors
, vol.39
, pp. 557
-
-
Cirlin, G.E.1
Dubrovskii, V.G.2
Sibirev, N.V.3
-
9
-
-
79952592921
-
-
V. G. Dubrovskii, G. E. Cirlin, N. V. Sibirev, et al., Nano Lett 11, 1247 (2011).
-
(2011)
Nano Lett
, vol.11
, pp. 1247
-
-
Dubrovskii, V.G.1
Cirlin, G.E.2
Sibirev, N.V.3
-
10
-
-
79960789260
-
-
V. Consonni, A. Trampert, L. Geelhaar, and H. Riechert, Appl. Phys. Lett. 99, 033 102 (2011).
-
(2011)
Appl. Phys. Lett.
, vol.99
, pp. 033-102
-
-
Consonni, V.1
Trampert, A.2
Geelhaar, L.3
Riechert, H.4
-
11
-
-
79551619083
-
-
V. Consonni, M. Hanke, M. Knelangen, et al., Phys. Rev. B 83, 035310 (2011).
-
(2011)
Phys. Rev. B
, vol.83
, pp. 035310
-
-
Consonni, V.1
Hanke, M.2
Knelangen, M.3
-
12
-
-
84860232105
-
-
V. G. Dubrovskii, V. Consonni, L. Geelhaar, et al., Phys. Rev. B 85, 165317 (2012).
-
(2012)
Phys. Rev. B
, vol.85
, pp. 165317
-
-
Dubrovskii, V.G.1
Consonni, V.2
Geelhaar, L.3
-
13
-
-
84859791342
-
-
V. G. Dubrovskii, V. Consonni, L. Geelhaar, et al., Appl. Phys. Lett. 100, 153101 (2012).
-
(2012)
Appl. Phys. Lett.
, vol.100
, pp. 153101
-
-
Dubrovskii, V.G.1
Consonni, V.2
Geelhaar, L.3
-
14
-
-
84860231930
-
-
V. Consonni, V. G. Dubrovskii, A. Trampert, et al., Phys. Rev. B 85 P, 155313 (2012).
-
(2012)
Phys. Rev. B
, vol.85 P
, pp. 155313
-
-
Consonni, V.1
Dubrovskii, V.G.2
Trampert, A.3
-
15
-
-
84874282573
-
-
E. Galopin, L. Largeau, G. Patriarche, et al., Nanotecnology 22, 245 606 (2011).
-
(2011)
Nanotecnology
, vol.22
, pp. 245-606
-
-
Galopin, E.1
Largeau, L.2
Patriarche, G.3
-
16
-
-
33947575339
-
-
R. K. Debnath, R. Meijers, T. Richter, et al., Appl. Phys. Lett. 90, 123 117 (2007).
-
(2007)
Appl. Phys. Lett.
, vol.90
, pp. 117-123
-
-
Debnath, R.K.1
Meijers, R.2
Richter, T.3
-
17
-
-
77954724825
-
-
V. G. Dubrovskii, N. V. Sibirev, G. E. Cirlin, et al., Phys. Rev. B 80, 205305 (2009).
-
(2009)
Phys. Rev. B
, vol.80
, pp. 205305
-
-
Dubrovskii, V.G.1
Sibirev, N.V.2
Cirlin, G.E.3
-
18
-
-
33244487787
-
-
V. G. Dubrovskii, I. P. Soshnikov, N. V. Sibirev, et al., J. Cryst. Growth 289, 31 (2006).
-
(2006)
J. Cryst. Growth
, vol.289
, pp. 31
-
-
Dubrovskii, V.G.1
Soshnikov, I.P.2
Sibirev, N.V.3
|