Heteroepitaxy of La2O3 and La2-xY xO3 on GaAs (111)A by atomic layer deposition: Achieving low interface trap density

Nano Letters

Volumn 13, Issue 2, 2013, Pages 594-599

  Wang, Xinwei ^a,c   Dong, Lin ^b   Zhang, Jingyun ^b   Liu, Yiqun ^a,d   Ye, Peide D ^b   Gordon, Roy G ^a  

^a HARVARD UNIVERSITY   (United States)

^b PURDUE UNIVERSITY   (United States)

^c PEKING UNIVERSITY   (China)

^d IBM MICROELECTRONICS   (United States)

Author keywords

Epitaxy; field effect transistors; gallium arsenide; thin films

Indexed keywords

CONDUCTION BAND EDGE; EPITAXIAL STRUCTURE; EX SITU; FERMI LEVEL PINNING; FREQUENCY DISPERSION; GAAS; GAAS METAL OXIDE SEMICONDUCTORS; GAAS(111); HIGH QUALITY; HIGH-K DIELECTRIC OXIDES; INTERFACE QUALITY; INTERFACE TRAP DENSITY; INTERFACE TRAP STATE; TRAP DENSITY;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; CAPACITORS; DIELECTRIC DEVICES; DISPERSIONS; EPITAXIAL GROWTH; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GALLIUM ARSENIDE; LANTHANUM OXIDES; SEMICONDUCTING GALLIUM; THIN FILMS;

INTERFACE STATES;

EID: 84873628657     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl3041349     Document Type: Article

References (21)

1. Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs; Oktyabrsky, S., Ye, P. D., Eds.; Springer: New York, 2010.
2. del Alamo, J. A. Nature 2011, 479 (7373) 317-323
3. Wang, W. C.; Xiong, K.; Wallace, R. M.; Cho, K. J. Phys. Chem. C 2010, 114 (51) 22610-22618
4. Shubhakar, K.; Pey, K. L.; Kushvaha, S. S.; O'Shea, S. J.; Raghavan, N.; Bosman, M.; Kouda, M.; Kakushima, K.; Iwai, H. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 7
5. Hinkle, C. L.; Milojevic, M.; Brennan, B.; Sonnet, A. M.; Aguirre-Tostado, F. S.; Hughes, G. J.; Vogel, E. M.; Wallace, R. M. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 16
6. Tsao, J. Y.; Brennan, T. M.; Klem, J. F.; Hammons, B. E. J. Vac. Sci. Technol., A 1989, 7 (3) 2138-2142
7. Hong, M.; Passlack, M.; Mannaerts, J. P.; Kwo, J.; Chu, S. N. G.; Moriya, N.; Hou, S. Y.; Fratello, V. J. J. Vac. Sci. Technol., B 1996, 14 (3) 2297-2300
8. Hong, M.; Kwo, J.; Kortan, A. R.; Mannaerts, J. P.; Sergent, A. M. Science 1999, 283 (5409) 1897-1900
9. Hill, R. J. W.; Moran, D. A. J.; Xu, L.; Haiping, Z.; Macintyre, D.; Thoms, S.; Asenov, A.; Zurcher, P.; Rajagopalan, K.; Abrokwah, J.; Droopad, R.; Passlack, M.; Thayne, I. G. IEEE Electron Device Lett. 2007, 28 (12) 1080-1082
10. Ren, F.; Hong, M.; Hobson, W. S.; Kuo, J. M.; Lothian, J. R.; Mannaerts, J. P.; Kwo, J.; Chu, S. N. G.; Chen, Y. K.; Cho, A. Y. Solid-State Electron. 1997, 41 (11) 1751-1753
11. Sowwan, M.; Yacoby, Y.; Pitney, J.; MacHarrie, R.; Hong, M.; Cross, J.; Walko, D. A.; Clarke, R.; Pindak, R.; Stern, E. A. Phys. Rev. B 2002, 66, 20
12. Kortan, A. R.; Hong, M.; Kwo, J.; Mannaerts, J. P.; Krajewski, J. J.; Kopylov, N.; Steiner, C.; Bolliger, B.; Erbudak, M. J. Vac. Sci. Technol,. B 2001, 19 (4) 1434-1438
13. Hong, M.; Lu, Z. H.; Kwo, J.; Kortan, A. R.; Mannaerts, J. P.; Krajewski, J. J.; Hsieh, K. C.; Chou, L. J.; Cheng, K. Y. Appl. Phys. Lett. 2000, 76 (3) 312-314
14. Liu, Y.; Xu, M.; Heo, J.; Ye, P. D.; Gordon, R. G. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 16
15. Zhao, Y.; Kita, K.; Kyuno, K.; Toriumi, A. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 25
16. Kessels, W. M. M.; Putkonen, M. MRS Bull. 2011, 36 (11) 907-913
17. Lin, D.; Brammertz, G.; Sioncke, S.; Fleischmann, C.; Delabie, A.; Martens, K.; Bender, H.; Conard, T.; Tseng, W. H.; Lin, J. C.; Wang, W. E.; Temst, K.; Vatomme, A.; Mitard, J.; Caymax, M.; Meuris, M.; Heyns, M.; Hoffmann, T. IEEE Int. Electron. Dev. Mtg. Tech. Dig. 2009, 1-4
18. Urabe, Y.; Miyata, N.; Ishii, H.; Itatani, T.; Maeda, T.; Yasuda, T.; Yamada, H.; Fukuhara, N.; Hata, M.; Yokoyama, M.; Taoka, N.; Takenaka, M.; Takagi, S. IEEE Int. Electron. Dev. Mtg. Tech. Dig. 2010, 6.5.1-6.5.4
19. de Rouffignac, P.; Park, J.-S.; Gordon, R. G. Chem. Mater. 2005, 17 (19) 4808-4814
20. Wang, H.; Wang, J.-J.; Gordon, R.; Lehn, J.-S. M.; Li, H.; Hong, D.; Shenai, D. V. Electrochem. Solid State Lett. 2009, 12 (4) G13-G15
21. Kwon, J.; Dai, M.; Halls, M. D.; Langereis, E.; Chabal, Y. J.; Gordon, R. G. J. Phys. Chem. C 2009, 113 (2) 654-660