Enhanced hole injection in phosphorescent organic light-emitting diodes by thermally evaporating a thin indium trichloride layer

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 4, Issue 10, 2012, Pages 5211-5216

  Gao, Chun Hong ^a   Cai, Shi Duan ^a   Gu, Wei ^a   Zhou, Dong Ying ^a   Wang, Zhao Kui ^a   Liao, Liang Sheng ^a  

^a SOOCHOW UNIVERSITY   (China)

Author keywords

hole injection; indium trichloride; phosphorescent OLEDs; surface modification; thermal evaporation; work function

Indexed keywords

CURRENT DENSITY-VOLTAGE CHARACTERISTICS; CURRENT EFFICIENCY; DEVICE PERFORMANCE; HALF LIFETIME; HOLE INJECTION; HOLE INJECTION BARRIER HEIGHT; INDIUM TIN OXIDE; INDIUM TRICHLORIDE; OZONE TREATMENT; PHOSPHORESCENT OLEDS; POWER EFFICIENCY; TEMPERATURE DEPENDENT; ULTRA-VIOLET; ULTRATHIN LAYERS;

INDIUM; LIGHT EMISSION; ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES (OLED); OZONE; PHOSPHORESCENCE; PHOTOELECTRONS; SURFACE TREATMENT; THERMAL EVAPORATION; TIN; TIN OXIDES; ULTRAVIOLET PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; WORK FUNCTION; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ELECTRON INJECTION;

EID: 84867753127     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am3011324     Document Type: Article

References (37)

1. Tang, C. W.; VanSlyke, S. A. Appl. Phys. Lett. 1987, 51, 913-915
2. Xiao, L.; Chen, Z.; Qu, B.; Luo, J.; Kong, S.; Gong, Q.; Kido, J. Adv. Mater. 2011, 23, 926-952
3. Liao, L. S.; Slusarek, W. K.; Hatwar, T. K.; Ricks, M. L.; Comfort, D. L. Adv. Mater. 2008, 20, 324-329
4. Zhou, D. Y.; Cai, S. D.; Gu, W.; Liao, L. S.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 223302
5. Wang, Z. K.; Lou, Y.; Naka, S.; Okada, H. ACS Appl. Mater. Interfaces 2011, 3, 2496-2503
6. Wang, Z. K.; Lou, Y.; Naka, S.; Okada, H. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 063302
7. Wang, Z. B.; Helander, M. G.; Qiu, J.; Puzzo, D. P.; Greiner, M. T.; Liu, Z. W.; Lu, Z. H. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 073310
8. Ding, X. M.; Hung, L. M.; Cheng, L. F.; Deng, Z. B.; Hou, X. Y.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 2704-2706
9. Sugiyama, K.; Ishii, H.; Ouchi, Y.; Seki, K. J. Appl. Phys. 2000, 87, 295-298
10. Ishida, T.; Kobayashi, H.; Nakato, Y. J. Appl. Phys. 1993, 73, 4344-4350
11. Zhu, L.; Tang, H.; Harima, Y.; Yamashita, K.; Aso, Y.; Otsubo, T. J. Mater. Chem. 2002, 12, 2250-2254
12. Van Slyke, S. A.; Chen, C. H.; Tang, C. W. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 2160-2162
13. Kondakova, M. E.; Young, R. H.; Prosperi, D. A.; Miller, R. L.; Comfort, D. L. SID'10 Dig. 2010, 1808-1811
14. Chan, I. M.; Hsu, T. Y.; Hong, F. C. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 1899-1901
15. Zhu, X. L.; Sun, J. X.; Peng, H. J.; Meng, Z. G.; Wong, M.; Kwok, H. S. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 153508
16. Wang, F.; Qiao, X.; Xiong, T.; Ma, D. G. Org. Electron. 2008, 9, 985-993
17. Son, M. J.; Kim, S.; Kwon, S.; Kim, J. W. Org. Electron. 2009, 10, 637-642
18. Groenendaal, L.; Jonas, F.; Freitag, D; Pielartzik, H.; Reynolds, J. R. Adv. Mater. 2000, 23, 481-494
19. Hung, L. S.; Zheng, L. R.; Mason, M. G. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 673-675
20. Tang, J. X.; Li, Y. Q.; Zheng, L. R.; Hung, L. S. J. Appl. Phys. 2004, 95, 4397-4403
21. Zhou, X.; Pfeiffer, M.; Blochwitz, J.; Werner, A.; Nollau, A.; Fritz, T.; Leo, K. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 410-412
22. Scott, J. C.; Kaufman, J. H.; Brock, P. J.; DiPietro, R.; Salem, J.; Goitia, J. A. J. Appl. Phys. 1996, 79, 2745-2751
23. Helander, M. G.; Wang, Z. B.; Qiu, J.; Greiner, M. T.; Puzzo, D. P.; Liu, Z. W.; Lu, Z. H. Science 2011, 332, 944-947
24. Cao, X. A.; Zhang, Y. Q. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 183304
25. Nefedov, V. I.; Zhumadilov, E. K.; Kopytova, T. Yu. J. Struct. Chem 1977, 18, 549-533
26. Briggs, D. Handbook of X-Ray and Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy; Heyden and Son Ltd.: London, 1977; Chapter 7.
27. Beerbom, M. M.; Lägel, B.; Cascio, A. J.; Doran, B. V.; Schlaf, R. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 2006, 152, 12-17
28. Schlaf, R.; Murata, H.; Kafafi, Z. H. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 2001, 120, 149-154
29. Gmeiner, J.; Karg, S.; Meier, M.; Riess, W.; Strohriegl, P.; Schwoerer, M. Acta Polym. 1993, 44, 201-205
30. Lou, Y.; Wang, Z.; Naka, S.; Okada, H. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 033305
31. Scott, J. C. J. Vac. Sci. Technol., A 2003, 21, 521-531
32. Shen, Y.; Klein, M. W.; Jacobs, D. B.; Scott, J. C.; Malliaras, G. G. Phys. Rev. Lett. 2001, 86, 3867
33. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Device, 2 nd ed.; Wiley: New York, 1981; Chapter 5.
34. Liao, L. S.; Ren, X.; Begley, W. J.; Tyan, Y. S.; Pellow, C. A. SID'08 Dig. 2008, 818-821
35. Lee, S. T.; Gao, Z. Q.; Hung, L. S. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 1404-1406
36. Mason, M. G.; Hung, L. S.; Tang, C. W.; Lee, S. T.; Wong, K. W.; Wang, M. J. Appl. Phys. 1999, 86, 1688-1692
37. Zhang, Y. Q.; Acharya, R.; Cao, X. A. J. Appl. Phys. 2012, 112, 013103