Vanadium pentoxide modified polycrystalline silicon anode for active-matrix organic light-emitting diodes

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 15, 2005, Pages 1-3

  Zhu, X L ^a   Sun, J X ^a   Peng, H J ^a   Meng, Z G ^a   Wong, M ^a   Kwok, H S ^a  

^a HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

LIGHT EMITTING DIODES; SILICON; THIN FILMS; TRANSISTORS; VANADIUM COMPOUNDS;

HOLE INJECTION; POLYCRYSTALLINE SILICON ANODE;

POLYCRYSTALLINE MATERIALS;

EID: 28344449884     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2099520     Document Type: Article

References (18)

1. X. L. Zhu, J. X. Sun, H. J. Peng, Z. G. Meng, M. Wong, and H. S. Kwok, Appl. Phys. Lett. 87, 083504 (2005).
2. C. W. Tang and S. A. Van Slyke, Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987).
3. J. Kido, M. Kimura, and K. Nagai, Science 267, 1332 (1995).
4. V. Bulović, P. Tian, P. E. Burrows, M. R. Gokhale, and S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett. 70, 2954 (1997).
5. D. Murley, N. Young, M. Trainor, and D. McCulloch, IEEE Trans. Electron Devices 48, 1145 (2001).
6. C. Y. Wu, Z. G. Meng, J. Li, X. Zhang, G. Yang, S. Xiong, X. Shi, H. J. Peng, M. Wong, H. S. Kwok, S. Yin, D. Zhang, T. Sun, L. Wang, and Y. Qiu, SID Int. Symp. Digest Tech. Papers 35, 1128 (2004).
7. C. W. Chen, P. Y. Hsieh, H. H. Chiang, C. L. Lin, H. M. Wu, and C. C. Wu, Appl. Phys. Lett. 83, 5127 (2003).
8. H. Kanno, Y. Sun, and S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett. 86, 263502 (2005).
9. S. Y. Kim, J. L. Lee, K. B. Kim, and Y. H. Tak, Appl. Phys. Lett. 86, 133504 (2005).
10. A. Chakrabarti, K. Hermann, R. Druzinic, M. Witko, F. Wagner, and M. Petersen, Phys. Rev. B 59, 10583 (1998).
11. K. Hermann, M. Witkoq, R. Druzinic, A. Chakrabarti, B. Tepper, M. Elsner, A. Gorschluter, H. Kuhlenbeck, and H. J. Freund, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 98-99, 245 (1999).
12. C. W. Chu, C. W. Chen, S. H. Li, E. H. Wu, and Y. Yang, Appl. Phys. Lett. 86, 253503 (2005).
13. F. J. Himpsel, F. R. Mcfeely, A. Talebibrahimi, J. A. Yarmoff, and G. Hollinger, Phys. Rev. B 38, 6084 (1988).
14. C. J. Huang, S. Han, D. Grozea, A. Turak, and Z. H. Lu, J. Appl. Phys. 97, 086107 (2005).
15. H. Y. Yu, X. D. Feng, D. Grozea, Z. H. Lu, R. N. S. Sodhi, A-M. Hor, and H. Aziz, Appl. Phys. Lett. 78, 2595 (2001).
16. R. H. Jordan, L. J. Rothberg, A. Dodabalapur, and R. E. Slusher, Appl. Phys. Lett. 69, 1997 (1996).
17. C. F. Qiu, H. J. Peng, H. Y. Chen, Z. L. Xie, M. Wong, and H. S. Kwok, IEEE Trans. Electron Devices 51, 1207 (2004).
18. H. Riel, S. Karg, T. Beierlein, B. Ruhstaller, and W. Riess, Appl. Phys. Lett. 82, 466 (2003).