Optical properties of ZnO soccer-ball structures grown by vapor phase transport

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 51, Issue 2 PART 1, 2012, Pages

  Nam, Giwoong ^a   Lee, Sang Heon ^b   Kim, Soaram ^a   Kim, Min Su ^a   Kim, Do Yeob ^c   Yim, Kwang Gug ^a   Lee, Dong Yul ^d   Kim, Jin Soo ^e   Kim, Jong Su ^b   Son, Jeong Sik ^f   Kim, Sung O ^c   Jung, Jae Hak ^b   Leem, Jae Young ^a  

^a Inje University   (South Korea)

^b Yeungnam University   (South Korea)

^c Clemson University   (United States)

^d Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

^e Chonbuk National University   (South Korea)

^f Kyungwoon University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DONOR-ACCEPTOR PAIRS; FIRST-ORDER; FREE EXCITONS; GRAPHITE POWDER; LONGITUDINAL OPTICAL PHONONS; MIXED SYSTEMS; NEUTRAL DONOR; PL SPECTRA; RADIATIVE LIFETIME; SI (100) SUBSTRATE; SOCCER BALLS; SPECTRAL WIDTHS; TEMPERATURE DEPENDENT; VAPOR PHASE TRANSPORT; ZNO;

EXCITONS; OPTICAL PROPERTIES; SPORTING GOODS;

ZINC OXIDE;

EID: 84863139332     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.51.021102     Document Type: Article

References (44)

1. D. G. Thomas: J. Phys. Chem. Solids 15 (1960) 86.
2. S. J. Jiao, Z. Z. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, B. Yao, J. Y. Zhang, B. H. Li, D. X. Zhao, X. W. Fan, and Z. K. Tang: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 031911.
3. E.-S. P. Leong, S. F. Yu, and S. P. Lau: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 221109.
4. W. J. Shin, Y. J. Lee, W. T. Kim, S. Y. No, J. W. Cho, and K. Y. Choi: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 091911.
5. M. S. Kim, G. S. Kim, M. Y. Cho, D. Y. Kim, H. Y. Choi, S. M. Jeon, K. G. Yim, and J.-Y. Leem: J. Korean Phys. Soc. 56 (2010) 827.
6. M. S. Kim, K. G. Yim, D.-Y. Lee, J. S. Kim, J. S. Kim, and J.-Y. Leem: J. Korean Phys. Soc. 58 (2011) 821.
7. M. Shimizu, T. Shiosaki, and A. Kawabata: J. Cryst. Growth 57 (1982) 94.
8. C. X. Xu, X. W. Sun, Z. L. Dong, M. B. Yu, T. D. My, X. H. Zhang, S. J. Chua, and T. J. White: Nanotechnology 15 (2004) 839.
9. X. Liu, X. Wu, H. Cao, and R. P. H. Chang: J. Appl. Phys. 95 (2004) 3141.
10. Y. X. Chen, M. Lewis, and W. L. Zhou: J. Cryst. Growth 282 (2005) 85.
11. C. Li, G. Fang, Q. Fu, F. Su, G. Li, X. Wu, and X. Zhao: J. Cryst. Growth 292 (2006) 19.
12. L. Yujie, Y. Liping, D. Ran, S. Pengbo, D. Honglin, Q. Yongping, and Q. Guogang: Nanotechnology 15 (2004) 581.
13. C. Li, G. Fang, Y. Ren, Q. Fu, and X. Zhao: J. Nanosci. Nanotechnol. 6 (2006) 1467.
14. J. Y. Lao, J. Y. Huang, D. Z. Wang, Z. F. Ren, D. Steeves, B. Kimball, and W. Porter: Appl. Phys. A 78 (2004) 539.
15. P. C. Chang, Z. Y. Fan, D. W. Wang, W. Y. Tseng, W. A. Chiou, J. Hong, and J. G. Lu: Chem. Mater. 16 (2004) 5133.
16. M. A. Reshchikov and R. Y. Korotkov: Phys. Rev. B 64 (2001) 115205.
17. W. S. Shi, O. Agyeman, and C. N. Xu: J. Appl. Phys. 91 (2002) 5640.
18. T. M. Williams, D. Hunter, A. K. Pradhan, and I. V. Kityk: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 043116.
19. V. A. Fonoberov, K. A. Alim, A. A. Balandin, F. Xiu, and J. Liu: Phys. Rev. B 73 (2006) 165317.
20. K. Bando, T. Sawabe, K. Asaka, and Y. Masumoto: J. Lumin. 108 (2004) 385.
21. K. Vanheusden, W. L. Warren, C. H. Seager, D. R. Tallant, and J. A. Voigt: J. Appl. Phys. 79 (1996) 7983.
22. S. B. Zhang, S. H. Wei, and A. Zunger: Phys. Rev. B 63 (2001) 075205.
23. H. C. Wang, S. J. Lin, Y. C. Lu, Y. C. Cheng, C. C. Yang, and K. J. Ma: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 1371.
24. G. W. 't Hooft, W. A. J. A. van der Poel, and L. W. Molenkamp: Phys. Rev. B 35 (1987) 8281.
25. G. D. Chen, M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. Asif Khan, and C. J. Sun: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 1653.
26. J. Feldmann, G. Peter, E. O. Göbel, P. Dawson, K. Moore, C. Foxon, and R. J. Elliott: Phys. Rev. Lett. 59 (1987) 2337.
27. G. Nam, S. Kim, M. S. Kim, K. G. Kim, D. Y. Kim, S.-O. Kim, and J.-Y. Leem: J. Korean Phys. Soc. 59 (2011) 129.
28. R. S. Wagner and W. C. Ellis: Appl. Phys. Lett. 4 (1964) 89.
29. R. Ferro, A. Saccone, D. Maccio, and S. Delfino: Gold Bull. 36 (2003) 39.
30. M. Biswas, E. McGlynn, M. O. Henry, M. McCann, and A. Rafferty: J. Appl. Phys. 105 (2009) 094306.
31. Y. Chen, D. M. Bagnall, H. J. Koh, K. T. Park, K. Hiraga, Z. Q. Zhu, and T. Yao: J. Appl. Phys. 84 (1998) 3912.
32. A. B. Djurišić, W. C. H. Choy, V. A. L. Roy, Y. H. Leung, C. Y. Kwong, K. W. Cheah, T. K. G. Rao, W. K. Chan, H. F. Lui, and C. Surya: Adv. Funct. Mater. 14 (2004) 856.
33. K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallant, and J. A. Voigt: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 403.
34. A. van Dijken, E. A. Meulenkamp, D. Vanmaekelbergh, and A. Meijerink: J. Phys. Chem. B 104 (2000) 1715.
35. S. Majumdar and P. Banerji: Sens. Actuators B 140 (2009) 134.
36. R. D. Vispute, V. Talyansky, S. Choopun, R. P. Sharma, and T. Venkatesan: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 348.
37. Y. R. Jang, K.-H. Yoo, and S. M. Park: J. Korean Phys. Soc. 53 (2008) 110.
38. U. Woggon, H. Wenisch, D. Hommel, and E. Luthgens: Phys. Rev. B 63 (2001) 073205.
39. R. Chen, G. Z. Xing, J. Gao, Z. Zhang, T. Wu, and H. D. Sun: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 061908.
40. F. Jiang, J. Dai, L. Wang, W. Fang, Y. Pu, Q. Wang, and Z. Tang: J. Lumin. 122 (2007) 162.
41. P. Y. Yu and M. Cardona: Fundamentals of Semiconductors (Springer, Berlin, 1999), 4th ed., Chap. 7.
42. S.-K. Lee, S. L. Chen, D. Hongxing, L. Sun, Z. Chen, W. M. Chen, and I. A. Buyanova: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 083104.
43. H. Akiyama, S. Koshiba, T. Someya, K. Wada, H. Noge, Y. Nakamura, T. Inoshita, A. Shimizu, and H. Sakaki: Phys. Rev. Lett. 72 (1994) 924.
44. R. Eccleston, B. F. Feuerbacher, J. Kuhl, W. W. Rühle, and K. Ploog: Phys. Rev. B 45 (1992) 11403.