Heavily doped ZnO nanobelts and their violet emission

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 11, Issue 2, 2011, Pages 1205-1209

  Chen, Yiqing ^a   Shao, Yan ^a   Zhang, Xinhua ^a   Jia, Chong ^a   Su, Yong ^a   Li, Qiang ^a   Liu, Lizhu ^a   Guo, Taibo ^a  

^a HEFEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

In doped ZnO; Nanobelt; Photoluminescence; Thermal evaporation

Indexed keywords

DOPED ZNO; HEAVILY DOPED; HEAVY DOPING; PHOTOLUMINESCENCE SPECTRUM; THERMAL EVAPORATION METHOD; VIOLET EMISSION; X-RAY ENERGY DISPERSIVE SPECTROMETERS; XRD PATTERNS; ZINC INDIUM OXIDE; ZNO;

INDIUM; NANOBELTS; PHOTOLUMINESCENCE; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; THERMAL EVAPORATION; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION; ZINC;

ZINC OXIDE;

EID: 84863011925     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2011.3086     Document Type: Conference Paper

References (43)

1. H. Cao, J. Y. Xu, D. Z. Zhang, S. H. Chang, S. T. Ho, E. W. Seelig, X. Liu, and R. P. H. Chang, Phys. Rev. Lett. 5584, 84 (2000).
2. N. Saito, H. Haneda, T. Sekiguchi, T. Ohashi, I. Sakaguchi, and K. Koumoto, Adv. Mater. 418, 14 (2002).
3. L. Nie, L. Z. Gao, P. Feng, J. Y. Zhang, X. Q. Fu, Y. G. Liu, X. Y. Yan, and T. H. Wang, Small 621, 2 (2006).
4. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Q. Yan, Y. Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. D. Yang, Science 1897, 292 (2001).
5. S. C. Minne, S. R. Manalis, and C. F. Quate, Appl. Phys. Lett. 3918, 67 (1995).
6. Q. Wan, Q. H. Li, Y. J. Chen, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 3654, 84 (2004).
7. M. A. Contreras, B. Egaas, K. Ramanathan, J. Hiltner, A. Swartzlander, F. Hasoon, and R. Noufi, Prog. Photovoltaics 311, 7 (1999).
8. U. Rau and M. Schmidt, Thin Solid Films 141, 387 (2001).
9. L. F. Dong, Z. L. Cui, and Z. K. Zhang, Nanostruct. Mater. 815, 8 (1997).
10. B. Tang, H. Deng, Z. W. Shui, and Q. Zhang, J. Nanosci. Nanotechnol. 10, 1842 (2010).
11. C. Kwak, B. H. Kim, C. I. Park, S. H. Park, S. Y. Seo, S. H. Kim, and S. W. Han, J. Nanosci. Nanotechnol. 10, 912 (2010).
12. Y. Song, M. Zheng, L. Ma, and W. Shen, J. Nanosci. Nanotechnol. 10, 426 (2010).
13. S. J. Park, J. Qiu, W. He, W. Namgung, Y. D. Kim, J. H. Lee, Y. H. Hwang, and H.-K. Kim, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 6993 (2009).
14. J. Iqbal, W. Baiqi, X. Liu, H. Zhu, D. Yu, and R. Yu, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 6823 (2009).
15. J. Bae, E.-L. Shim, T. Y. Park, C. J. Kang, and Y. J. Choi, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 7398 (2009).
16. P. Joshi, S. Chakraborti, P. Chakrabarti, D. Haranath, V. Shanker, Z. A. Ansari, S. P. Singh, and V. Gupta, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 6427 (2009).
17. T. Ma, M. Guo, M. Zhang, and X. Wang, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 5920 (2009).
18. C. S. Rout, G. U. Kulkarni, and C. N. R. Rao, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 5652 (2009).
19. A. Umar, M. M. Rahman, and Y. B. Hahn, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4686 (2009).
20. S. Chatterjee, S. Gohil, B. Chalke, and P. Ayyub, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4792 (2009).
21. F. Y. Hsu, T. H. Chen, and K. C. Peng, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4008 (2009).
22. A. Dejneka, A. Churpita, Z. Hubika, V. Trepakov, Z. Potek, L. Jastrabík, G. Suchaneck, and G. Gerlach, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4094 (2009).
23. K. Keem, J. Kang, C. Yoon, D. Yeom, D. Y. Jeong, B. Park, J. Park, and S. Kim, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4240 (2009).
24. K. Park, Y. Choi, M. Ahn, D. Kim, Y. Sung, J. Park, and K. Choi, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4328 (2009).
25. P. Kumari, S. S. Roy, and J. M. Laughlin, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4367 (2009).
26. A. Umar, Y. K. Park, and Y.-B. Hahn, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 2692 (2009).
27. B. H. Kong, D. C. Kim, S. K. Mohanta, W. S. Han, H. K. Cho, C. H. Hong, and H. G. Kim, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4383 (2009).
28. K. Huo, J. Fu, H. Ni, Y. Hu, G. Qian, P. K. Chu, and Z. Hu, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 3848 (2009).
29. E. T. Y. Lee, Y. Shimotsuma, M. Sakakura, M. Nishi, K. Miura, and K. Hirao, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 618 (2009).
30. L. Xu, Y. Su, Y. Q. Chen, L. Zhu, H. H. Xiao, Q. T. Zhou, and S. Li, J. Phys. Chem. B 6637, 110 (2006).
31. H. Gao, H. Ji, X. T. Zhang, and H. Q. Lu, J. Vac. Sci. Technol. B 585, 26 (2008).
32. S. Y. Bae, C. W. Na, J. H. Kang, and J. Park, J. Phys. Chem. B 2526, 109 (2005).
33. Y. Ding, X. Y. Kong, and Z. L. Wang, Phys. Rev. B 235408, 70 (2004).
34. J. S. Jie, G. Z. Wang, X. H. Han, and J. G. Hou, J. Phys. Chem. B 17027, 108 (2004).
35. C. W. Na, S. Y. Bae, and J. Park, J. Phys. Chem. B 12785, 109 (2005).
36. J. S. Jie, G. Z. Wang, X. H. Han, Q. X. Yu, Y. Liao, G. P. Li, and J. G. Hou, Chem. Phys. Lett. 466, 387 (2004).
37. H. J. Fan, B. Fuhrmann, R. Scholz, C. Himcinschi, A. Berger, H. Leipner, A. Dadgar, A. Krost, S. Christiansen, U. Gösele, and M. Zacharias, Nanotechnology S231, 17 (2006).
38. X. F. Duan and C. M. Lieber, J. Am. Chem. Soc. 188, 122 (2000).
39. R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 89, 4 (1964).
40. J. D. Ye, S. L. Gu, S. M. Zhu, S. M. Liu, Y. D. Zheng, R. Zhang, Y. Shi, H. Q. Yu, and Y. D. Ye, J. Cryst. Growth 279, 283 (2005).
41. K. B. Nam, M. L. Nakarmi, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 2787, 83 (2003).
42. I. Lee, J. J. Lee, P. Kung, F. J. Sanchez, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 102, 74 (1999).
43. X. T. Zhang, Y. C. Liu, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, X. W. Fan, and X. G. Kong, J. Cryst. Growth 80, 254 (2003)