All-printed carbon nanotube finFETs on plastic substrates for high-performance flexible electronics

Advanced Materials

Volumn 24, Issue 3, 2012, Pages 358-361

  Shi, Jingsheng ^a   Guo, Chun Xian ^a   Chan Park, Mary B ^a   Li, Chang Ming ^a,b  

^a Nanyang Technological University   (Singapore)

^b SOUTHWEST UNIVERSITY   (China)

Author keywords

carbon nanotubes; field effect transistors; nanostructures; printed electronics; transfer printings

Indexed keywords

ALL-PRINTED; FIN FIELD-EFFECT TRANSISTORS; FINFETS; LARGE-AREA SUBSTRATES; PLASTIC SUBSTRATES; PRINTED ELECTRONICS; SILICON DEVICES; TRANSFER PRINTING;

CARBON; CARBON NANOTUBES; FIELD EFFECT TRANSISTORS; NANOSTRUCTURES; SUBSTRATES;

FLEXIBLE ELECTRONICS;

EID: 84862929856     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201103674     Document Type: Article

References (22)

1. L. S. Zhou, A. Wang, S. C. Wu, J. Sun, S. Park, T. N. Jackson, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 083502.
2. Y. N. Li, Y. L. Wu, B. S. Ong, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 3266.
3. B. A. Ridley, B. Nivi, J. M. Jacobson, Science 1999, 286, 746.
4. H. Yan, Z. H. Chen, Y. Zheng, C. Newman, J. R. Quinn, F. Dotz, M. Kastler, A. Facchetti, Nature 2009, 457, 679.
5. C. R. Kagan, D. B. Mitzi, C. D. Dimitrakopoulos, Science 1999, 286, 945.
6. D. H. Lee, Y. J. Chang, G. S. Herman, C. H. Chang, Adv. Mater. 2007, 19, 843.
7. T. Durkop, S. A. Getty, E. Cobas, M. S. Fuhrer, Nano Lett. 2004, 4, 35.
8. S. J. Kang, C. Kocabas, T. Ozel, M. Shim, N. Pimparkar, M. A. Alam, S. V. Rotkin, J. A. Rogers, Nat. Nanotechnol. 2007, 2, 230.
9. E. S. Snow, J. P. Novak, P. M. Campbell, D. Park, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 2145.
10. A. D. Franklin, Z. H. Chen, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 858.
11. D. M. Sun, M. Y. Timmermans, Y. Tian, A. G. Nasibulin, E. I. Kauppinen, S. Kishimoto, T. Mizutani, Y. Ohno, Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 156.
12. E. Artukovic, M. Kaempgen, D. S. Hecht, S. Roth, G. GrUner, Nano Lett. 2005, 5, 757.
13. K. Bradley, J. C. P. Gabriel, G. Gruner, Nano Lett. 2003, 3, 1353.
14. S.-H. Hur, D.-Y. Khang, C. Kocabas, J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5730.
15. M. A. Meitl, Y. X. Zhou, A. Gaur, S. Jeon, M. L. Usrey, M. S. Strano, J. A. Rogers, Nano Lett. 2004, 4, 1643.
16. H. Okimoto, T. Takenobu, K. Yanagi, Y. Miyata, H. Shimotani, H. Kataura, Y. Iwasa, Adv. Mater. 2010, 22, 3981.
17. S. H. Tseng, N. H. Tai, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 204104.
18. X. Huang, W. C. Lee, C. Kuo, D. Hisamoto, L. Chang, J. Kedzierski, E. Anderson, H. Takeuchi, Y. K. Choi, K. Asano, IEEE Trans. Electron Devices 2001, 48, 880.
19. D. G. Borse, K. N. Rani, N. K. Jha, A. N. Chandorkar, J. Vasi, V. Ramgopal Rao, B. Cheng, J. C. S. Woo, IEEE Trans. Electron Devices 2002, 49, 1077.
20. B. Yu, L. Chang, S. Ahmed, H. Wang, S. Bell, C. Y. Yang, C. Tabery, C. Ho, Q. Xiang, T. J. King, "FinFET scaling to 10 nm gate length", presented at IEDM '02. Digest. International, San Francisco, CA December 2002.
21. M. J. Ha, Y. Xia, A. A. Green, W. Zhang, M. J. Renn, C. H. Kim, M. C. Hersam, C. D. Frisbie, ACS Nano 2010, 4, 4388.
22. P. Avouris, M. Engel, J. P. Small, M. Steiner, M. Freitag, A. A. Green, M. C. Hersam, ACS Nano 2008, 2, 2445.