N-type reduced graphene oxide field-effect transistors (Fets) from photoactive metal oxides

Chemistry - A European Journal

Volumn 18, Issue 16, 2012, Pages 4923-4929

  Yoo, Heejoun ^a   Kim, Youngmin ^a   Lee, Junghyun ^a   Lee, Hyemi ^a   Yoon, Yeoheung ^a   Kim, Giyoun ^a   Lee, Hyoyoung ^a  

^a Sungkyunkwan University   (South Korea)

Author keywords

field effect transistors; graphene; photocatalysts; semiconductors; titanium dioxide; zinc oxide

Indexed keywords

ATMOSPHERIC CONDITIONS; DEVICE APPLICATION; ELECTRIC BEHAVIOR; ELECTRONS AND HOLES; METAL OXIDES; N-DOPING; PHOTOACTIVE MATERIALS; REDUCED GRAPHENE OXIDES; SATURATION CURVE; TIO; ZINC OXIDE (ZNO); ZNO;

ELECTRIC PROPERTIES; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GRAPHENE; METALLIC COMPOUNDS; PHOTOCATALYSTS; SEMICONDUCTOR MATERIALS; TITANIUM DIOXIDE; ZINC OXIDE;

MESFET DEVICES;

EID: 84859571555     PISSN: 09476539     EISSN: 15213765     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/chem.201103967     Document Type: Article

References (28)

1. M. Freitag, Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 455-457.
2. N. Yang, J. Zhai, D. Wang, Y. Chen, L. Jiang, ACS Nano 2010, 4, 887-894
3. X. Wang, L. Zhi, K. Mullen, Nano Lett. 2008, 8, 323-327.
4. P. Cui, S. Seo, J. Lee, L. Wang, E. Lee, M. Min, H. Lee, ACS Nano 2011, 5, 6826-6833
5. J. Lee, E. Hwang, E. Lee, S. Seo, H. Lee, Chem. Eur. J., DOI:, in press.
6. T. O. Wehling, K. S. Novoselov, S. V. Morozov, E. E. Vdovin, M. I. Katsnelson, A. K. Geim, A. I. Lichtenstein, Nano Lett. 2008, 8, 173-177.
7. B. Guo, Q. Liu, E. Chen, H. Zhu, L. Fang, J. R. Gong, Nano Lett. 2010, 10, 4975-4980
8. F. Tuinstra, J. L. Koenig, J. Chem. Phys. 1970, 53, 1126-1130.
9. X. Wang, X. Li, L. Zhang, Y. Yoon, P. K. Weber, H. Wang, J. Guo, H. Dai, Science 2009, 324, 768-771
10. F. Schedin, A. K. Geim, S. V. Morozov, E. W. Hill, P. Blake, M. I. Katsnelson, K. S. Novoselov, Nat. Mater. 2007, 6, 652-655
11. D. B. Farmer, G. M. Roksana, V. Perebeinos, Y. M. Lin, S. T. George, C. T. James, P. Avouris, Nano Lett. 2009, 9, 388-392.
12. J. H. Chen, C. Jang, S. Adam, M. S. Fuhrer, E. D. Williams, M. Ishigami, Nat. Phys. 2008. 4, 377-381.
13. K. M. McCreary, K. Pi, A. G. Swartz, W. Han, W. Bao, C. N. Lau, F. Guinea, M. I. Katsnelson, R. K. Kawakami, Phys. Rev. B 2010, 81, 115453
14. K. M. McCreary, K. Pi, R. K. Kawakami, Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 192101
15. K. Pi, K. M. McCreary, W. Bao, W. Han, Y. F. Chiang, Y. Li, S. W. Tsai, C. N. Lau, R. K. Kawakami, Phys. Rev. B 2009, 80, 075406.
16. S. Ryu, M. Y. Han, J. Maultzsch, T. F. Heinz, P. Kim, M. L. Steigerwald, L. E. Brus, Nano Lett. 2008, 8, 4597-4602
17. Y. Shi, W. Fang, K. Zhang, W. Zhang, L. J. Li, Small 2009, 5, 2005-2011
18. L. Liu, S. Ryu, M. R. Tomasik, E. Stolyarova, N. Jung, M. S. Hybertsen, M. L. Steigerwald, L. E. Brus, G. W. Flynn, Nano Lett. 2008, 8, 1965-1970.
19. L. Zhang, S. Diao, Y. Nie, K. Yan, N. Liu, B. Dai, Q. Xie, A. Reina, J. Kong, Z. Liu, J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 2706-2713
20. D. C. Hurum, A. G. Agrios, K. A. Gray, J. Phys. Chem. B 2003, 107, 4545-4549.
21. R. Asahi, T. Morikawa, T. Ohwaki, K. Aoki, Y. Taga, Science 2001, 293, 269-271.
22. B. Li, H. Cao, J. Mater. Chem. 2011, 21, 3346-3349.
23. P. Kumar, L. S. Panchakarla, S. V. Bhat, U. Maitra, K. S. Subrahmanyam, C. N. R. Rao, Nanotechnology 2010, 21, 385701.
24. U. Diebold, Surf. Sci. Rep. 2003, 48, 53-229.
25. L. J. Cote, F. Kim, J. Huang, J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 1043-1049
26. W. S. Hummers, R. E. Offeman, J. Am. Chem. Soc. 1958, 80, 1339.
27. S. Mahshid, M. Askari, M. S. Ghamsari, J. Mater. Process. Technol. 2007, 189, 296-300.
28. C-Y. Su, Y. Xu, W. Zhang, J. Zhao, A. Liu, X. Tang, C-H. Tsai, Y. Huang, L.-J. Li, ACS Nano 2010, 4, 5285-5292.