On the origin of an additional Raman mode at 275 cm -1 in N-doped ZnO thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 111, Issue 6, 2012, Pages

  Wu, Keyue ^a,b   Fang, Qingqing ^a   Wang, Weina ^a   Thomas, M Allan ^b   Cui, Jingbiao ^b  

^a ANHUI UNIVERSITY   (China)

^b University of Arkansas at Little Rock ^*  (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DOPING MECHANISM; ELECTRICAL MEASUREMENT; EXPERIMENTAL DATA; N-DOPED; N-DOPING; N-SUBSTITUTION; RAMAN INTENSITIES; RAMAN MODES; RAMAN PEAK; SYSTEMATIC INVESTIGATIONS; ZNO FILMS; ZNO THIN FILM;

OPTICAL FILMS; OPTICAL PROPERTIES; PULSED LASER DEPOSITION; SEMICONDUCTOR DOPING; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

METALLIC FILMS;

EID: 84859518669     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3697971     Document Type: Article

References (53)

1. A. Özgür, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005). 10.1063/1.1992666
2. M. D. McCluskey and S. J. Jokela, J. Appl. Phys. 106, 071101 (2009). 10.1063/1.3216464
3. S. Limpijumnong, X. Li, S. H. Wei, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 86, 211910 (2005). 10.1063/1.1931823
4. M. S. Oh, D. K. Hwang, Y. S. Choi, J. W. Kang, S. J. Park, C. S. Hwang, and K. I. Cho, Appl. Phys. Lett. 93, 111905 (2008). 10.1063/1.2936962
5. J. B. Cui, M. A. Thomas, Y. C. Soo, H. Kandel, and T. P. Chen, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 155407 (2009). 10.1088/0022-3727/42/15/155407
6. F. Friedrich, M. A. Gluba, and N. H. Nickel, Appl. Phys. Lett. 95, 141903 (2009). 10.1063/1.3243454
7. G. Kaczmarczyk, A. Kaschner, A. Hoffmann, and C. Thomsen, Phys. Rev. B, 61, 5353 (2000). 10.1103/PhysRevB.61.5353
8. A. Kaschner, U. Haboeck, M. Strassburg, G. Kaczmarczyk, A. Hoffmann, C. Thomsen, A. Zeuner, H. R. Alves, D. M. Hofmann, and B. K. Meyer, Appl. Phys. Lett. 80, 1909 (2002). 10.1063/1.1461903
9. X. Q. Wang, S. Yang, J. Wang, M. Li, X. Jiang, G. Du, X. Liu, and R. P. H. Chang, J. Cryst. Growth 226, 123 (2001). 10.1016/S0022-0248(01)01367-7
10. F. J. Manjn, B. Mar, J. Serrano, and A. H. Romero, J. Appl. Phys. 97, 053516 (2005). 10.1063/1.1856222
11. J. B. Wang, H. M. Zhong, Z. F. Li, and W. Lu, Appl. Phys. Lett. 88, 101913 (2006). 10.1063/1.2185261
12. L. Arts, R. Cusc, E. Alarcn-Llad, G. Gonzlez-Daz, I. Mrtil, J. Jiménez, B. Wang, and M. Callahan, Appl. Phys. Lett. 90, 181911 (2007). 10.1063/1.2734474
13. C. Bundesmann, N. Ashkenov, M. Schubert, D. Spemann, T. Butz, E. M. Kaidashev, M. Lorenz, and M. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 83, 1974 (2003). 10.1063/1.1609251
14. K. Y. Wu, Q. Q. Fang, W. N. Wang, C. Zhou, W. J. Huang, J. G. Li, Q. R. Lv, Y. M. Liu, Q. P. Zhang, and H. M. Zhang, J. Appl. Phys. 108, 063530 (2010). 10.1063/1.3468690
15. J. G. Yu, H. Z. Xing, Q. Zhao, H. B. Mao, Y. Shen, J. Q. Wang, Z. S. Lai, and Z. Q. Zhu, Solid State Commun. 138, 502 (2006). 10.1016/j.ssc.2006.04.019
16. C. Z. Wang, Z. Chen, H. Q. Hua, and D. Zhang, Physica B 404, 4075 (2009). 10.1016/j.physb.2009.07.165
17. J. D. Ye, S. L. Gu, S. M. Zhu, S. M. Liu, Y. D. Zheng, R. Zhang, Y. Shi, Q. Chen, H. Q. Yu, and Y. D. Ye, Appl. Phys. Lett. 88, 101905 (2006). 10.1063/1.2182107
18. H. E. Nian, S. H. Hahn, K. K. Koo, E. W. Shin, and E. J. Kim, Mater. Lett. 63, 2246 (2009). 10.1016/j.matlet.2009.07.038
19. M. A. Thomas and J. B. Cui, J. Phys. Chem. Lett. 1, 1090 (2010). 10.1021/jz100246e
20. H. B. Zeng, W. P. Cai, J. L. Hu, G. T. Duan, P. S. Liu, and Y. Li, Appl. Phys. Lett. 88, 171910 (2006). 10.1063/1.2196051
21. S. F. Chichibu, T. Sota, G. Cantwell, D. B. Eason, and C. W. Litton, J. Appl. Phys. 93, 756 (2003). 10.1063/1.1527707
22. B. P. Zhang, N. T. Binh, Y. Segawa, K. Wakatsuki, and N. Usami, Appl. Phys. Lett. 83, 1635 (2003). 10.1063/1.1605803
23. A. Teke, A. Özgür, S. Dogan, X. Gu, H. Morko, B. Nemeth, J. Nause, and H. O. Everitt, Phys. Rev. B 70, 195207 (2004). 10.1103/PhysRevB.70. 195207
24. J. Sann, J. Stehr, A. Hofstaetter, D. M. Hofmann, A. Neumann, M. Lerch, U. Haboeck, A. Hoffmann, and C. Thomsen, Phys. Rev. B 76, 195203 (2007). 10.1103/PhysRevB.76.195203
25. M. Schirra, R. Schneider, A. Reiser, G. M. Prinz, M. Feneberg, J. Biskupek, U. Kaiser, C. E. Krill, K. Thonke, and R. Sauer, Phys. Rev. B 77, 125215 (2008). 10.1103/PhysRevB.77.125215
26. D. Tainoff, B. Masanelli, P. Melinon, A. Belsky, G. Ledoux, D. Amans, C. Dujardin, N. Fedorov, and P. Martin, Phys. Rev. B 81, 115304 (2010). 10.1103/PhysRevB.81.115304
27. M. A. Thomas and J. B. Cui, J. Appl. Phys. 105, 093533 (2009). 10.1063/1.3125447
28. Y. R. Ryu, T. S. Lee, and H. W. White, Appl. Phys. Lett. 83, 87 (2003). 10.1063/1.1590423
29. A. Travlos, N. Boukos, C. Chandrinou, H. S. Kwack, and L. S. Dang, J. Appl. Phys. 106, 104307 (2009). 10.1063/1.3259413
30. S. Zhong, W. Y. Zhang, X. P. Wu, B. X. Lin, and Z. X. Fu, Chin. Phys. Lett. 25, 2585 (2008). 10.1088/0256-307X/25/7/069
31. M. Ding, D. X. Zhao, B. Yao, B. H. Li, Z. Z. Zhang, and D. Z. Shen, Appl. Phys. Lett. 98, 062102 (2011). 10.1063/1.3549304
32. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002). 10.1063/1.1504875
33. P. Cao, D. X. Zhao, J. Y. Zhang, D. Z. Shen, Y. M. Lu, B. Yao, B. H. Li, Y. Bai, and X. W. Fan, Appl. Surf. Sci. 254, 2900 (2008). 10.1016/j.apsusc.2007. 10.056
34. A. Zuener, H. Alves, D. M. Hofmann, B. K. Meyer, A. Hofmann, U. Haboeck, M. Strassburg, and M. Dworzak, Phys. Status Solidi B 234, R7 (2002). 10.1002/1521-3951(200212)234:3R7::AID-PSSB999973.0.CO;2-D
35. M. Ding, D. X. Zhao, B. Yao, B. H. Li, Z. Z. Zhang, and D. Z. Shen, Appl. Phys. Lett. 98, 062102 (2011). 10.1063/1.3549304
36. L. J. Wang and N. C. Giles, Appl. Phys. Lett. 84, 3049 (2004). 10.1063/1.1711162
37. K. Thonke, T. Gruber, N. Teofilov, R. Schonfelder, A. Waag, and R. Sauer, Physica B 308, 945 (2001). 10.1016/S0921-4526(01)00877-8
38. G. Xiong, K. B. Ucer, R. T. Williams, J. Lee, D. Bhattacharyya, J. Metson, and P. Evans, J. Appl. Phys. 97, 043528 (2005). 10.1063/1.1854208
39. D. C. Reynolds, D. C. Look, B. Jogai, R. L. Jones, C. W. Litton, W. Harsch, and G. Cantwell, J. Lumin. 82, 173 (1999). 10.1016/S0022-2313(99)00020-4
40. B. K. Meyer, H. Alves, D. M. Hofmann, W. Kriegseis, D. Forster, F. Bertram, J. Christen, A. Hoffmann, M. Straburg, M. Dworzak, U. Haboeck, and A. V. Rodina, Phys. Status Solidi B 241, 231 (2004). 10.1002/pssb.200301962
41. D. C. Look, G. C. Farlow, P. Reunchan, S. Limpijumnong, S. B. Zhang, and K. Nordlund, Phys. Rev. Lett. 95, 225502 (2005). 10.1103/PhysRevLett.95.225502
42. A. Janotti and C. G. Van de Walle, Rep. Prog. Phys. 72, 126501 (2009). 10.1088/0034-4885/72/12/126501
43. E. C. Lee, Y. S. Kim, Y. G. Jin, and K. J. Chang, Phys. Rev. B 64, 085120 (2001). 10.1103/PhysRevB.64.085120
44. A. Janotti and C. G. Van de Walle, J. Cryst. Growth 287, 58 (2006). 10.1016/j.jcrysgro.2005.10.043
45. A. Janotti and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 75, 165202 (2007). 10.1103/PhysRevB.76.165202
46. Y. G. Wang, S. P. Lau, X. H. Zhang, H. W. Lee, H. H. Hng, and B. K. Tay, J. Cryst. Growth 252, 265 (2003). 10.1016/S0022-0248(03)00878-9
47. N. Hasuike, H. Fukumura, H. Harima, K. Kisoda, H. Matsui, H. Saeki, and H. Tabata, J. Phys.: Condens. Matter 16, S5807 (2004). 10.1088/0953-8984/16/48/ 053
48. J. Serrano, F. J. Manjn, A. H. Romero, A. Ivanov, M. Cardona, R. Lauck, A. Bosak, and M. Krisch, Phys. Rev. B 81, 174304 (2010). 10.1103/PhysRevB.81. 174304
49. J. Serrano, A. H. Romero, F. J. Manjn, R. Lauck, M. Cardona, and A. Rubio, Phys. Rev. B 69, 094306 (2004). 10.1103/PhysRevB.69.094306
50. S. J. Lim, S. J. Kwon, and H. Kim, Appl. Phys. Lett. 91, 183517 (2007). 10.1063/1.2803219
51. X. Y. Yang, A. Wolcott, G. M. Wang, A. Sobo, R. C. Fitzmorris, F. Qian, J. Z. Zhang, and Y. Li, Nano. Lett. 9, 2331 (2009). 10.1021/nl900772q
52. P. Erhart and K. Albe, Appl. Phys. Lett. 88, 201918 (2006). 10.1063/1.2206559
53. A. Escobedo-Morales and U. Pal, Curr. Appl. Phys. 11, 525 (2011). 10.1016/j.cap.2010.09.007