Structural, electronic and infrared spectral properties of ZnO hexagonal nanodisks with different saturate conditions

Science of Advanced Materials

Volumn 3, Issue 5, 2011, Pages 709-718

  Sheng, Fengyu ^a   Xu, Chunxiang ^a   Guo, Jiyuan ^a   Zhu, Gangyi ^a   Chen, Qian ^a  

^a SOUTHEAST UNIVERSITY   (China)

Author keywords

First principle; Infrared spectra; Nanodisk; ZnO

Indexed keywords

EID: 84857391946     PISSN: 19472935     EISSN: 19472943     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/sam.2011.1239     Document Type: Article

References (33)

1. M. H. Huang, Y. Y. Wu, H. Feick, N. Tran, E. Weber, and P. D. Yang, Adv. Mater. 13, 113 (2001).
2. W. I. Park, D. H. Kim, S. W. Jung, and G. C. Yi, Appl. Phys. Lett. 80, 4232 (2002).
3. C. X. Xu, A. Wei, X. W. Sun, and Z. L. Dong, J. Phys. D: Appl. Phys. 39, 1690 (2006).
4. Y. Li, G. W. Meng, L. D. Zhang, and F. Phillipp, Appl. Phys. Lett. 76, 2011 (2000).
5. J. Dai, C. X. Xu, K. Zheng, C. G. Lv, and Y. P. Cui, Appl. Phys. Lett. 95, 3 (2009).
6. Z. Y. Fan and J. G. Lu, Appl. Phys. Lett. 86, 032111 (2005).
7. L. Zhu, Y. Q. Fan, M. C. Zhao, M. Wu, J. Y. Zhang, C. X. Xu, and Y. P. Cui, Chin. Phys. Lett. 26, 018401 (2009).
8. C. X. Xu, X. W. Sun, and B. J. Chen, Appl. Phys.Lett. 84, 1540 (2004).
9. C. X. Xu, X. W. Sun, Z. L. Dong, and M. B. Yu, Appl. Phys. Lett. 85, 3878 (2004).
10. C. X. Xu, G. P. Zhu, J. Kasim, S. T. Tan, Y. Yang, X. Li, Z. X. Shen, and X. W. Sun, Curr. Appl. Phys. 9, 573 (2009).
11. J. H. Zeng, B. B. Jin, and Y. F. Wang, Chem. Phys. Lett. 472, 90 (2009).
12. G. A. Shi, M. Saboktakin, M. Stavola, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 85, 5601 (2004).
13. Y. Wang, B. Meyer, X. Yin, M. Kunat, D. Langenberg, F. Traeger, A. Birkner, and C. Woll, Phys. Rev. Lett. 95, 266104 (2005).
14. Z. Zhou, Y. Li, L. Liu, Y. Chen, S. B. Zhang, and Z. Chen, J. Phys. Chem. C 112, 13926 (2008).
15. A. L. Schoenhalz, J. T. Arantes, A. Fazzio, and G. M. Dalpian, J. Phys. Chem. C 114, 18293 (2010).
16. Q. Tang, Y. F. Li, Z. Zhou, Y. S. Chen, and Z. F. Chen, Acs Appl. Mater. Interfaces 2, 2442 (2010).
17. B. Wen and R. Melnik, Chem. Phys. Lett. 466, 84 (2008).
18. B. L. Wang, J. J. Zhao, J. M. Jia, D. N. Shi, J. G. Wan, and G. G. Wang, Appl. Phys. Lett. 93, 3 (2008).
19. S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, Y. W. Heo, and T. Steiner, Prog. Mater. Sci. 50, 293 (2005).
20. M. D. Kim, J. E. Oh, S. G. Kim, and W. C. Yang, Solid State Commun. 151, 768 (2011).
21. S. F. J. Cox, E. A. Davis, S. P. Cottrell, P. J. C. King, J. S. Lord, J. M. Gil, H. V. Alberto, R. C. Vilao, J. P. Duarte, N. A. de Campos, A. Weidinger, R. L. Lichti, and S. J. C. Irvine, Phys. Rev. Lett. 86, 2601 (2001).
22. J. P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996).
23. B. Delley, J. Chem. Phys. 113, 7756 (2000).
24. B. Delley, Phys. Rev. B 66, 155125 (2002).
25. S. Wawzonek, E. W. Blaha, R. Berkey, and M. E. Runner, J. Electrochem. Soc. 102, 235 (1955).
26. B. Auer, R. Kumar, J. R. Schmidt, and J. L. Skinner, Proc. Natl. Acad. Sci. 104, 14215 (2007).
27. J. Jia, D. Shi, J. Zhao, and B. Wang, Nanotechnology 18, 455708 (2007).
28. A. L. He, X. Q. Wang, R. Q. Wu, Y. H. Lu, and Y. P. Feng, J. Phys.: Condes. Matter 22, 7 (2010).
29. F. C. Zhang, Z. Y. Zhang, W. H. Zhang, J. F. Yan, and J. N. Yong, Chin. Phys. B 18, 2508 (2009).
30. H. Pan and Y. P. Feng, Acs Nano 2, 2410 (2008).
31. L. Vayssieres, K. Keis, A. Hagfeldt, and S. E. Lindquist, Chem. Mater. 13, 4395 (2001).
32. Y. Hara, J. Brownson, and M. Anderson, Phys. Status Solidi A: Appl. Mater. Sci. 206, 711 (2009).
33. Q. Z. Wu, X. Chen, P. Zhang, Y. C. Han, X. M. Chen, Y. H. Yan, and S. P. Li, Crys. Growth. Des. 8, 3010 (2008).