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Volumn 59, Issue 6, 2011, Pages 3396-3400

Effect of the Ga Ratio on the Dielectric Function of Solution-processed InGaZnO Films

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Ellipsometry; Ga ratio; InGaZnO; Sol gel process

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EID: 83455201314     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.59.3396     Document Type: Article
Times cited : (4)

References (19)
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    • 83455204504 scopus 로고    scopus 로고
    • VASETM, J. A. Woollam Co., Inc., USA
    • VASETM, J. A. Woollam Co., Inc., USA.


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.