Effect of annealing temperature on the magnetic properties of Zn 0.97Al 0.03O nanoparticles

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 208, Issue 10, 2011, Pages 2454-2459

  Gao, Hua ^a   Gao, Daqiang ^a   Yang, Guijin ^a   Zhang, Jing ^a   Zhang, Jinlin ^a   Shi, Zhenhua ^a   Xue, Desheng ^a  

^a LANZHOU UNIVERSITY   (China)

Author keywords

DMS; doping; room temperature ferromagnetism; ZnAlO nanoparticles

Indexed keywords

AL-DOPED ZNO; ANNEALING TEMPERATURES; CHARGED OXYGEN VACANCIES; DEFECT-RELATED EMISSION; DMS; FERROMAGNETIC ORDERINGS; INDUCTIVELY-COUPLED; PLASMA-ATOMIC EMISSION; ROOM TEMPERATURE FERROMAGNETISM; SELECTED AREA ELECTRON DIFFRACTION; SOL-GEL TECHNIQUE; ZNALO NANOPARTICLES;

ALUMINUM; ANNEALING; ATOMIC SPECTROSCOPY; DIFFRACTION; FERROMAGNETISM; INDUCTIVELY COUPLED PLASMA; MAGNETIC PROPERTIES; METAL ANALYSIS; NANOPARTICLES; OXYGEN VACANCIES; PARAMAGNETIC RESONANCE; PARAMAGNETISM; PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; SATURATION MAGNETIZATION; X RAY DIFFRACTION; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; ZINC; ZINC OXIDE;

NANOMAGNETICS;

EID: 80053986412     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.201127109     Document Type: Article

References (34)

1. T. Dietl, and, H. Ohno, MRS Bull. 28, 714 (2003).
2. M. H. F. Sluiter, Y. Kawazoe, P. Sharma, A. Inoue, A. R. Raju, C. Rout, and, U. V. Waghmare, Phys. Rev. Lett. 94, 187204 (2005).
3. H. Munekata, H. Ohno, S. von Molnar, A. Segmüller, L. L. Chang, and, L. Esaki, Phys. Rev. Lett. 63, 1849 (1989).
4. A. Ney, M. Opel, T. C. Kaspar, V. Ney, S. Ye, K. Ollefs, T. Kammermeier, S. Bauer, K.-W. Nielsen, S. T. B. Goennenwein, M. H. Engelhard, S. Zhou, K. Potzger, J. Simon, W. Mader, S. M. Heald, J. C. Cezar, F. Wilhelm, A. Rogalev, R. Gross, and, S. A. Chambers, New J. Phys. 12, 013020 (2010).
5. S. Q. Zhou, K. Potzger, J. von Borany, R. Grötzschel, W. Skorupa, M. Helm, and, J. Fassbender, Phys. Rev. B 77, 035209 (2008).
6. Y. X. Jin, Q. L. Cui, G. H. Wen, Q. S. Wang, J. Hao, S. Wang, and, J. Zhang, J. Phys. D, Appl. Phys. 42, 215007 (2009).
7. D. Q. Gao, D. S. Xue, Y. Xu, Z. J. Yan, and, Z. H. Zhang, Electrochim. Acta 54, 2392 (2009).
8. Q. Wang, Q. Sun, P. Jena, Z. Hu, R. Note, and, Y. Kawazoe, Appl. Phys. Lett. 91, 063116 (2007).
9. L. Q. Zhang, Z. Z. Ye, J. G. Lu, B. Lu, Y. Z. Zhang, L. P. Zhu, J. Zhang, D. Yang, K. W. Wu, J. Huang, and, Z. Xie, J. Phys. D, Appl. Phys. 43, 015001 (2010).
10. Y. Liu, J. H. Yang, Q. F. Guan, L. L. Yang, Y. J. Zhang, Y. X. Wang, B. Feng, J. Cao, X. Y. Liu, Y. T. Yang, and, M. B. Wei, J. Alloys Compd. 486, 835 (2009).
11. N. Gopalakrishnan, L. Balakrishnan, B. Srimathy, M. S. Kumar, and, T. Balasubramanian, Phys. Status Solidi A 207, 2180 (2010).
12. H. B. Wang, H. Wang, C. Zhang, F. J. Yang, C. P. Yang, H. S. Gu, M. J. Zhou, Q. Li, and, Y. Jiang, Mater. Chem. Phys. 113, 884 (2009).
13. K. Kenmochi, V. A. Dinh, K. Sato, A. Yanase, and, H. Katayama-Yoshida, J. Phys. Soc. Jpn. 73, 2952 (2004).
14. K. Kenmochi, M. Seike, K. Sato, A. Yanase, and, H. Katayama-Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L934 (2004).
15. T. K. Jia, W. M. Wang, F. Long, Z. Y. Fu, H. Wang, and, Q. J. Zhang, J. Phys. Chem. C 113, 9071 (2009).
16. J. Zhang, R. Skomski, L. P. Yue, Y. F. Lu, and, D. J. Sellmyer, J. Phys.: Condens. Matter 19, 256204 (2007).
17. A. Gupta, F. J. Owens, K. V. Rao, Z. Iqbal, J. M. O. Guille, and, R. Ahuja, Phys. Rev. B 74, 224449 (2006).
18. B. Seipel, R. Erni, A. Gupta, C. Li, F. J. Owens, K. V. Rao, N. D. Browning, and, P. Moeck, J. Mater. Res. 22, 1396 (2007).
19. J. H. Chun, and, D. E. Kim, Phys. Status Solidi A 208, 691 (2011).
20. A. Gupta, H. T. Cao, K. Parekh, K. V. Rao, A. R. Raju, and, U. V. Waghmare, J. Appl. Phys. 101, 09N513 (2007).
21. L. M. Huang, C. M. AraÃjo, and, R. Ahuja, Europhys. Lett. 87, 27013 (2009).
22. G. Z. Xing, D. D. Wang, J. B. Yi, L. L. Yang, M. Gao, M. He, J. H. Yang, J. Ding, T. C. Sum, and, T. Wu, Appl. Phys. Lett. 96, 112511 (2010).
23. H. W. Peng, H. J. Xiang, S. H. Wei, S. S. Li, J. B. Xia, and, J. B. Li, Phys. Rev. Lett. 102, 017201 (2009).
24. Z.-C. Jin, I. Hamberg, and, C. G. Granqvist, J. Appl. Phys. 64, 5117 (1988).
25. S. Major, S. Kumar, M. Bhatnagar, and, K. L. Chopra, Appl. Phys. Lett. 49, 394 (1986).
26. J.-B. Yoo, A. L. Fahrenbruch, and, R. H. Bube, J. Appl. Phys. 68, 4694 (1990).
27. D. Q. Gao, J. Zhang, G. J. Yang, J. L. Zhang, Z. H. Shi, J. Qi, Z. H. Zhang, and, D. S. Xue, J. Phys. Chem. C 114, 13477 (2010).
28. D. Q. Gao, Z. H. Zhang, J. L. Fu, Y. Xu, J. Qi, and, D. S. Xue, J. Appl. Phys. 105, 113928 (2009).
29. A. M. Bataille, J.-B. Moussy, F. Paumier, S. Gota, M.-J. Guittet, M. Gautier-Soyer, P. Warin, P. Bayle-Guillemaud, P. Seneor, K. Bouzehouane, and, F. Petroff, Appl. Phys. Lett. 86, 012509 (2005).
30. B. Panigrahy, M. Aslam, D. S. Misra, M. Ghosh, and, D. Bahadur, Adv. Funct. Mater. 20, 1161 (2010).
31. A. B. DjurišiÄ, Y. H. Leung, K. H. Tam, Y. F. Hsu, L. Ding, W. K. Ge, Y. C. Zhong, K. S. Wong, W. K. Chan, H. L. Tam, K. W. Cheah, W. M. Kwok, and, D. L. Phillips, Nanotechnology 18, 095702 (2007).
32. K. C. Barick, and, D. Bahadur, J. Nanosci. Nanotechnol. 7, 1935 (2007).
33. A. van Dijken, E. A. Meulenkamp, D. Vanmaekelbergh, and, A. Meijerink, J. Lumin. 87, 454 (2000).
34. K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallant, and, J. A. Voigt, Appl. Phys. Lett. 68, 403 (1996).