Electronic excited states in bilayer graphene double quantum dots

Nano Letters

Volumn 11, Issue 9, 2011, Pages 3581-3586

  Volk, C ^a,b   Fringes, S ^a   Terres B ^a,b   Dauber, J ^a   Engels, S ^a   Trellenkamp, S ^b   Stampfer, C ^a,b  

^a RWTH AACHEN UNIVERSITY   (Germany)

^b FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH   (Germany)

Author keywords

bilayer graphene; double quantum dot; excited states; Graphene; quantum dot

Indexed keywords

BI-LAYER; CHARGE STABILITY; CONSTANT LEVEL; DOUBLE QUANTUM DOTS; DOUBLE-QUANTUM DOT DEVICE; ELECTRONIC EXCITED STATE; ENERGY RANGES; INTERDOT COUPLING; PARALLEL MAGNETIC FIELD; SINGLE-PARTICLE ENERGY; TRIPLE POINTS; TUNNELING BARRIER; TUNNELING SPECTROSCOPY; WIDE ENERGY RANGE;

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRIC EXCITATION; EXCITED STATES; GRAPHENE; MAGNETIC FIELDS; PLASMA THEORY; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SPECTROSCOPY;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 80052810615     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl201295s     Document Type: Article

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