Flexible nonvolatile memory thin-film transistor using ferroelectric copolymer gate insulator and oxide semiconducting channel

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 158, Issue 9, 2011, Pages

  Yoon, Sung Min ^a   Yang, Shinhyuk ^a,b   Park, Sang Hee Ko ^b  

^a Kyung Hee University   (South Korea)

^b Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURVATURE RADII; FERROELECTRIC COPOLYMERS; GATE INSULATOR; GATE STACKS; MEMORY WINDOW; NON-VOLATILE MEMORIES; ON/OFF RATIO; POLY(ETHYLENE NAPHTHALATE); POLY(VINYLIDENE FLUORIDE-TRIFLUOROETHYLENE); ZNO;

ETHYLENE; THIN FILM TRANSISTORS; ZINC OXIDE;

FERROELECTRICITY;

EID: 79960920358     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.3609842     Document Type: Article

References (33)

1. J. S. Park, T. W. Kim, D. Stryakhilev, J. S. Lee, S. G. An, Y. S. Pyo, D. B. Lee, Y. G. Mo, D. U. Jin, and H. K. Chung, Appl. Phys. Lett., 95, 013503 (2007). 10.1063/1.3159832
2. M. Jung, J. Kim, J. Noh, N. Kim, C. Kim, G. Lee, J. Kim, H. Kang, K. Jung, A. D. Leonard, IEEE Trans. Electron Devices, 57, 571 (2010). 10.1109/TED.2009.2039541
3. K. L. Lin and K. Jain, IEEE Electron Device Lett., 30, 14 (2009). 10.1109/LED.2008.2008665
4. U. Zschieschang, F. Ante, T. Yamamoto, K. Takamiya, H. Kuwabara, M. Ikeda, T. Sekitani, T. Someya, K. Kerm, and H. Klauk, Adv. Mater., 22, 982 (2010). 10.1002/adma.201001502
5. T. Sekitani, H. Nakajima, H. Maeda, T. Fukushima, T. Aida, K. Hata, and T. Someya, Nature Mater., 8, 494 (2009). 10.1038/nmat2459
6. T. Sekitani, K. Zaitsu, Y. Noguchi, K. Ishibe, M. Takamiya, T. Sakurai, and T. Someya, IEEE Trans. Electron Devices, 56, 1027 (2009). 10.1109/TED.2009.2015169
7. N. Ueda, Y. Ogawa, K. Tanaka, K. Yamamoto, and Y. Yamauchi, SID Int. Symp. Digest Tech. Papers, 41, 615 (2010). 10.1889/1.3500544
8. C. H. Cheng, F. S. Yeh, and A. Chin, Adv. Mater., 23, 902 (2011). 10.1002/adma.201002946
9. Y. Ji, B. Cho, S. Song, T. W. Kim, M. Choe, Y. H. Khang, and T. Lee, Adv. Mater., 20, 2325 (2008). 10.1002/adma.200702567
10. S. H. Lim, A. C. Rastogi, and S. B. Desu, J. Appl. Phys., 96, 5673 (2004). 10.1063/1.1785836
11. S. J. Kang, I. Bae, Y. J. Park, T. H. Park, J. Sung, S. C. Yoon, K. H. Kim, D. H. Choi, and C. Park, Adv. Funct. Mater., 19, 1609 (2009). 10.1002/adfm.200801097
12. H. S. Nalwa, Ferroelectric Polymers: Chemistry, Physics and Applications, Marcel Dekker, New York (1995).
13. T. Furukawa, Phase Transitions, 18, 143 (1989). 10.1080/01411598908206863
14. S. J. Kang, Y. J. Park, I. Bae, K. J. Kim, H. C. Kim, S. Bauer, E. L. Thomas, and C. Park, Adv. Funct. Mater., 19, 2812 (2009). 10.1002/adfm.200900589
15. R. C. G. Naber, P. W. M. Blom, G. H. Gelinck, A. W. Marsman, and D. M. Leeuw, Adv. Mater., 17, 2692 (2005). 10.1002/adma.v17:22
16. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature (London), 432, 488 (2004). 10.1038/nature03090 (Pubitemid 39585210)
17. J. K. Jeong, H. W. Yang, J. H. Jeong, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett., 93, 123508 (2008). 10.1063/1.2990657
18. S. M. Yoon, S. H. Yang, S. W. Jung, C. W. Byun, S. H. K. Park, C. S. Hwang, G. G. Lee, E. Tokumitsu, and H. Ishiwara, Appl. Phys. Lett., 96, 232903 (2010). 10.1063/1.3452339
19. S. M. Yoon, S. Yang, C. Byun, S. H. K. Park, D. H. Cho, S. W. Jung, O. S. Kwon, and C. S. Hwang, Adv. Funct. Mater., 20, 921 (2010). 10.1002/adfm. 200902095
20. S. M. Yoon, S. W. Jung, S. Yang, S. H. Ko Park, B. G. Yu, and H. Ishiwara, Curr. Appl. Phys., In press.
21. Z. Chen, B. Cotterell, W. Wang, E. Guenther, and S. J. Chua, Thin Solid Films, 394, 201 (2001). 10.1016/S0040-6090(01)01138-5
22. H. Gleskova, S. Wagner, and Z. Suo, Appl. Phys. Lett., 75, 3011 (1999). 10.1063/1.125174
23. J. S. Park, T. W. Kim, D. Stryakhilev, J. S. Lee, S. G. An, Y. S. Pyo, D. B. Lee, Y. G. Mo, D. U. Jin, and H. K. Chung, Appl. Phys. Lett., 95, 013503 (2009). 10.1063/1.3159832
24. J. W. Yoon, S. M. Yoon, and H. Ishiwara, Jpn. J. Appl. Phys., 49, 030201 (2010). 10.1143/JJAP.49.030201
25. S. H. Noh, W. Choi, M. S. Oh, D. K. Hwang, K. Lee, S. Im, S. Jang, and E. Kim, Appl. Phys. Lett., 90, 253504 (2007). 10.1063/1.2749841 (Pubitemid 47141246)
26. C. H. Park, G. Lee, K. H. Lee, S. Im, B. H. Lee, and M. M. Sung, Appl. Phys. Lett., 95, 153502 (2009). 10.1063/1.3247881
27. K. H. Lee, G. Lee, K. Lee, M. S. Oh, S. Im, and S. M. Yoon, Adv. Mater., 21, 4287 (2009). 10.1002/adma.200900398
28. S. M. Yoon, S. H. Yang, S. H. K. Park, S. W. Jung, D. H. Cho, C. W. Byun, S. Y. Kang, C. S. Hwang, and B. G, Yu, J. Phys. D, 42, 245101 (2009). 10.1088/0022-3727/42/24/245101
29. J. Xiao, A. Sokolov, and P. A. Dowben, Appl. Phys. Lett., 90, 242907 (2007). 10.1063/1.2747672 (Pubitemid 46934801)
30. S. Fujisaki, H. Ishiwara, and H. Fujisaki, Appl. Phys. Express, 1, 081801 (2008). 10.1143/APEX.1.081801
31. C. H. Park, K. H. Lee, B. L. Lee, M. M. Sung, and S. Im, J. Mater. Chem., 20, 2638 (2010). 10.1039/b921732k
32. S. M. Yoon, S. H. Yang, C. W. Byun, S. H. Ko Park, S. W. Jung, D. H. Cho, S. Y. Kang, C. S. Hwang, and H. Ishiwara, Jpn. J. Appl. Phys., 49, 04DJ06 (2010). 10.1143/JJAP.49.04DJ06
33. S. M. Yoon, S. Yang, M. K. Ryu, C. W. Byun, S. W. Jung, S. H. Ko Park, C. S. Hwang, and K. I. Cho, IEEE Trans. Electron Devices, In press.