Enhanced p-type conductivity of nitrogen doped ZnO by nano/micro structured rods and Zn-rich Co-doping process

Electronic Materials Letters

Volumn 7, Issue 2, 2011, Pages 115-119

  Mu, Wei ^a   Kerr, Lei L ^a   Look, David C ^b  

^a MIAMI UNIVERSITY   (United States)

^b WRIGHT STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

co doping; nano micro rods; nitrogen doped ZnO; p type

Indexed keywords

CO-DOPING; ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES; GROWTH PROCESS; NANO/MICRO RODS; NITROGEN DOPED ZNO; NITROGEN-DOPED; NITROGEN-DOPING; P-TYPE; P-TYPE CONDUCTIVITY; ZNO;

ELECTRIC PROPERTIES; OPTICAL PROPERTIES; THERMAL EVAPORATION; ZINC; ZINC OXIDE;

NITROGEN;

EID: 79960132741     PISSN: 17388090     EISSN: 20936788     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s13391-011-0605-x     Document Type: Article

References (21)

1. D. C. Look, B. Claflin, Y. I. Alivov, S. J. Park, Phys. Status Solidi A201, 2203 (2004).
2. S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, Y. W. Heo, and T. Steiner, J. Vac. Sci. Technol. B22, 932 (2004).
3. Z. Fang, B. Claflin, D. C. Look, L. L. Kerr, and X. Li, J. Appl. Phys. 102, 023714 (2007).
4. H. W. Liang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, Y. C. Liu, J. F. Yan, C. X. Shan, B. H. Li, Z. Z. Zhang, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, Phys. Status Solidi A202, 1060 (2005).
5. C. C. Lin, S. Y. Chen, S. Y. Cheng, and H. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 84, 5040 (2004).
6. J. M. Bian, X. M. Li, X. D. Gao, W. D. Yu, and L. D. Chen, Appl. Phys. Lett. 84, 541 (2004).
7. X. Li, Y. Yan, T. A. Gessert, C. L. Perkins, D. Young, C. DeHart, M. Young, and T. J. Coutts, J. Vac. Sci. Technol. A21, 1342 (2003).
8. Z. Z. Ye, J. G. Lu, H. H. Chen, Y. Z. Zhang, L. Wang, B. H. Zhao, and J. Y. Huang, J. Cryst. Growth. 253, 258 (2003).
9. A. B. M. A. Ashrafi, I. Suemune, H. Kumano, and S. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys. 241, L1281 (2002).
10. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
11. X. L. Guo, H. Tabata, and T. Kawai, J. Cryst. Growth. 237, 544 (2002).
12. M. Joseph, H. Tabata, and T. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys. 238, L1205 (1999).
13. K. Minegishi, Y. Koiwai, Y. Kikuchi, K. Yano, M. Kasuga, and A. Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys. 236, L1453 (1997).
14. J. Liu, G. Cao, Z. Yang, D. Wang, D. Dubois, X. Zhou, G. L. Graff, L. R. Pederson, and J. Zhang, Chemsuschem1, 676 (2008).
15. R. Zhang, S. Kumar, S. Zou, and L. L. Kerr, Cryst. Growth Des. 8, 381 (2008).
16. M. Willander, O. Nur, Q. X. Zhao, L. L. Yang, M. Lorenz, B. Q. Cao, J. Z. Perez, C. Czekalla, G. Zimmermann, M. Grundmann, A. Bakin, A. Behrends, M. Al-Suleiman, A. El-Shaer, A. C. Mofor, B. Postels, A. Waag, N. Boukos, A. Travlos, H. S. Kwack, J. Guinard, and D. L. S. Dang, Nanotechnology20, 332001 (2009).
17. E. Kaminska, I. Pasternak, A. Piotrowska, O. Volnianska, P. Boguslawski, E. Dynowska, A. Barcz, E. Przezdziecka, and T. Wojciechowski, MRS Proceeding, H5. 10 (2009).
18. E. Kaminska, A. Piotrowska, J. Kossut, A. Barcz, R. Butkute, W. Dobrowolski, E. Dynowska, R. Jakiela, E. Przezdziecka, R. Lukasiewicz, M. Aleszkiewicz, P. Wojnar, and E. Kowalczyk, Solid State Commun. 135, 11 (2005).
19. W. Mu, L. L. Kerr, and N. Leyarovska, Chem. Phys. Lett. 469, 318 (2009).
20. D. C. Look, G. C. Farlow, P. Reunchan, S. Limpijumnong, S. B. Zhang, and K. Nordlund, Phys. Rev. Lett. 95, 225502 (2005).
21. L. Wischmeier, T. Voss, I. Rueckmann, J. Gutowski, A. C. Mofor, A. Bakin, A. Waag, Phys. Rev. B74, 195333 (2006).