Ultrafast laser ablation and deposition of wide band gap semiconductors

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 115, Issue 8, 2011, Pages 3203-3211

  Sanz, Mikel ^a   López Arias, Marien ^a,b,c   Marco, José F ^a   De Nalda, Rebeca ^a   Amoruso, Salvatore ^d   Ausanio, Giovanni ^d   Lettieri, Stefano ^d   Bruzzese, Riccardo ^d   Wang, Xuan ^d   Castillejo, Marta ^a  

^a INSTITUTO DE QUÍMICA FÍSICA ROCASOLANO   (Spain)

^b UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID   (Spain)

^c INSTITUTO DE ESTRUCTURA DE LA MATERIA   (Spain)

^d UNIVERSITY OF NAPLES FEDERICO II   (Italy)

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AVERAGE DIAMETER; AVERAGE SIZE; CDS; CHEMICAL CHARACTERISTIC; CRYSTALLINE PHASE; DEPOSITED MATERIALS; FEMTOSECOND PULSE; II-VI SEMICONDUCTOR; NANOSTRUCTURED FILMS; PLUME DYNAMICS; TWO WAVELENGTH; ULTRAFAST PULSED LASERS; UV ABLATION; WIDE BAND GAP; WIDE-BAND-GAP SEMICONDUCTOR;

ABLATION; CADMIUM COMPOUNDS; CADMIUM SULFIDE; CHEMICAL PROPERTIES; ELECTROMAGNETIC PULSE; ENERGY GAP; FILM GROWTH; IRRADIATION; LIGHT ABSORPTION; PULSED LASER DEPOSITION; PULSED LASERS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SEMICONDUCTOR LASERS; STOICHIOMETRY; ULTRAFAST LASERS; ZINC SULFIDE;

NANOPARTICLES;

EID: 79952009894     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp108489k     Document Type: Article

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