Growth of Ge dots on templated Si substrates with diffusion-altered holes

EPL

Volumn 85, Issue 5, 2009, Pages

  Rinke, G ^a,b   Mussler, G ^a,b   Gerharz, J ^a,b   Moers, J ^a,b   Grutzmacher D ^a,b  

^a FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH   (Germany)

^b JARA Fundamentals of Future Information Technologies   (Germany)

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EID: 79051469769     PISSN: 02955075     EISSN: 12864854     Source Type: Journal    
DOI: 10.1209/0295-5075/85/58002     Document Type: Article

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