Ambipolar memory devices based on reduced graphene oxide and nanoparticles

Advanced Materials

Volumn 22, Issue 18, 2010, Pages 2045-2049

  Myung, Sung ^a   Park, Jaesung ^b   Lee, Hyungwoo ^a   Kim, Kwang S ^b   Hong, Seunghun ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMBIPOLAR; MEMORY DEVICE; UNIFORM ARRAY;

GRAPHENE; NANOPARTICLES;

GRAPHITE;

CARBON; GOLD; METAL NANOPARTICLE; OXIDE; SILICON DIOXIDE;

ARTICLE; CHEMISTRY;

CARBON; GOLD; METAL NANOPARTICLES; OXIDES; SILICON DIOXIDE;

EID: 77952814027     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200903267     Document Type: Article

References (24)

1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Crigorleva, A. A. Firsov, Science 2004, 306, 666.
2. K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K, S. Kim, J. H. Ahn, P. Kim, J. Y. Choi, B. H. Hong, Nature 2009, 457, 706.
3. X. Li, W. Cai, J. An, S. Kim, J. Nah, D. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I. Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo, R. S. Ruoff, Science 2009, 324, 1312.
4. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos, A. A. Firsov, Nature 2005, 438, 197.
5. Y. Zhang, Y.-W. Tan, H. L. Stormer, P. Kim, Nature 2005, 438, 201.
6. M. Han, B. Özyilmaz, Y. Zhang, P. Kim, Phys. Rev. Lett. 2007, 98, 206805.
7. F. Schedin, A. K. Geim, S. V. Morozov, E. W. Hill, P. Blake, M. I, Katsnelson, K. S. Novoselov, Nat. Mater. 2007, 6, 652.
8. A. K. Geim, K. S. Novoselov, Nat. Mater. 2007, 6, 183.
9. L. Jiao, L. Zhang, X. Wang, G. Diankov, H. Dai, Nature 2007, 458, 877.
10. I. Merie, M. Y. Han, A. F. Young, B. Ozyilmaz, P. Kim, K. L. Shepard, Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 654.
11. J. B. Oosínga, H. B. Heersche, X. Liu, A. F. Morpurgo, L. M. K. Vandersypen, Nat. Mater. 2007, 7, 151.
12. X. Du, A. Barker, E. Andrei, Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 491.
13. K. I. Bolotin, K. J. Sikes, Z. Jiang, M. Klima, G. Fudenberg, J. Hone, P. Kim, H. L. Stormer, Solid State Commun. 2008, 146, 351.
14. T. Echtermeyer, M. C. Lemme, M. Baus, B. N. Szafranek, A. K. Geim, H. Kurz, IEEE Electr. Device Lett. 2008, 29, 952.
15. Y. Doh, G. Yi, arXiv.0904.2242, 2009.
16. Z. Yi, G. Ni, C. Toh, M. Zeng, S. Chen, K. Yao, B. Ozyilmaz, arXiv:0904.1326, 2009.
17. X. Wang, X. Li, L. Zhang, Y. Yoon, P. K. Weber, H. Wang, J. Guo, H. Dai, Science 2009, 324, 768.
18. M. Lee, J. Im, B. Y. Lee, S. Myung, J. Kang, L. Huang, Y. K. Kwon, S. Hong, Nat. Nanotechnol. 2006, 1, 66.
19. S. Myung, M. Lee, G. Kim, J. Ha, S. Hong, Adv. Mater. 2005, 17, 2361.
20. G. Eda, G. Fanchinl, M. Chhowalla, Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 270.
21. D. A. Dikin, S. Stankovich, E. J. Zimney, R. D. Piner, G. H. B. Dommett, G. Evmenenko, S. T. Nguyen, R. S. Ruoff, Nature 2007, 448, 457.
22. Z. Chen, Y. Lin, M. Rooks, P. h. Avouris, Physiea E 2007, 40, 228.
23. Y. Lin, P. h. Avouris, Nano Lett. 2008, 8, 2119.
24. K. Kim, H. J. Park, B. Woo, K. J. Kim, G. T. Kim, W. S. Yun, Nono Lett. 2008, 8, 3092.