Improvement of device characteristics for TiN gate p-type metal-insulator-semiconductor field-effect transistor with Al2O 3-capped HfO2 dielectrics by controlling Al 2O3 diffusion annealing process

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 48, Issue 4 PART 2, 2009, Pages

  Morooka, Tetsu ^a   Matsuki, Takeo ^a   Mise, Nobuyuki ^a   Kamiyama, Satoshi ^a   Nabatame, Toshihide ^a   Eimori, Takahisa ^a   Nara, Yasuo ^a   Ohji, Yuzuru ^a  

^a SEMICONDUCTOR LEADING EDGE TECHNOLOGIES INC   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAP LAYERS; DEVICE CHARACTERISTICS; DIFFUSION ANNEALING; EQUIVALENT OXIDE THICKNESS; FLAT-BAND VOLTAGE; HIGH TEMPERATURE; HIGHER TEMPERATURES; KEY FACTORS; METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS; P-TYPE; POST DEPOSITION ANNEALING; SHIFT-AND; TIN GATES; VFB SHIFT;

FIELD EFFECT TRANSISTORS; HAFNIUM COMPOUNDS; METAL INSULATOR BOUNDARIES; MIS DEVICES; PERSONAL DIGITAL ASSISTANTS; SEMICONDUCTOR INSULATOR BOUNDARIES; TITANIUM NITRIDE;

ALUMINUM;

EID: 77952470622     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.48.04C010     Document Type: Article

References (16)

1. Z. B. Zhang, S. C. Song, C. Huffman, J. Barnett, N. Moumen, H. Alshareef, P. Majhi, M. Hussain, M. S. Akbar, J. H. Sim, S. H. Bae, B. Sassman, and B. H. Lee: VLSI Symp. Tech. Dig., 2005, p. 50.
2. F. Ootsuka, Y. Tamura, Y. Akasaka, S. Inumiya, H. Nakata, M. Ohtsuka, T. Watanabe, M. Kitajima, Y. Nara, and K. Nakamura: Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials, 2006, p. 1116.
3. S. C. Song, Z. B. Zhang, M. Hussain, C. Huffman, J. Barnett, S. H. Bae, H. J. Li, P. Majhi, C. S. Park, B. S. Ju, H. K. Park, C. Y. Kang, R. Choi, P. Zeitzoff, H. H. Tseng, B. H. Lee, and R. Jammy: VLSI Symp. Tech. Dig., 2006, p. 13.
4. S. Kubicek, T. Schram, V. Paraschiv, R. Vos, M. Demand, C. Adelmann, T. Witters, L. Nyns, L.-A. Ragnarsson, H. Yu, A. Veloso, R. Singanamallat, T. Kaueraufe, E. Rohr, S. Brus, C. Vrancken, V. S. Chang, R. Mitsuhashi, A. Akheyar, H.-J. Cho, J. C. Hooker, B. J. O'Sullivan, T. Chiarella, C. Kerner, A. Delabie, S. Van Elshocht, K. De Meyert, S. De Gendt, P. Absil, T. Hoffmann, and S. Biesemans: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 49.
5. N. Mise, T. Morooka, T. Eimori, S. Kamiyama, K. Murayama, M. Sato, T. Ono, Y. Nara, and Y. Ohji: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 527.
6. V. Narayanan, V. K. Paruchuri, N. A. Bojarczuk, B. P. Linder, B. Doris, Y. H. Kim, S. Zafar, J. Stathis, S. Brown, J. Arnold, M. Copel, M. Steen, E. Cartier, A. Callegari, P. Jamison, J.-P. Locquet, D. L. Lacey, Y. Wang, P. E. Batson, P. Ronsheim, R. Jammy, M. P. Chudzik, M. Ieong, S. Guha, G. Shahidi, and T. C. Chen: VLSI Symp. Tech. Dig., 2006, p. 224.
7. X. P. Wang, C. Shen, M. F. Li, H. Y. Yu, Y. Sun, Y. P. Feng, A. Lim, H. W. Sik, A. Chin, Y. C. Yeo, P. Lo, and D. L. Kwong: VLSI Symp. Tech. Dig., 2006, p. 9.
8. M. Kadoshima, A. Ogawa, M. Takahashi, H. Ota, N. Mise, K. Iwamoto, S. Migita, H. Fujiwara, H. Satake, T. Nabatame, and A. Toriumi: VLSI Symp. Tech. Dig., 2005, p. 70.
9. H. S. Jung, S. K. Han, H. Lim, Y. S. Kim, M. J. Kim, M. Y. Yu, C. K. Lee, M. S. Lee, Y. S. You, Y. Chung, S. Kim, H. S. Baik, J. H. Lee, N. I. Lee, and H. K. Kang: VLSI Symp. Tech. Dig., 2006, p. 162.
10. K. Iwamoto, A. Ogawa, Y. Kamimuta, Y. Watanabe, W. Mizubayashi, S. Migita, Y. Morita, M. Takahashi, H. Ito, H. Ota, T. Nabatame, and A. Toriumi: VLSI Symp. Tech. Dig., 2006, p. 70.
11. N. Yasuda, H. Ota, T. Horikawa, T. Nabatame, H. Satake, A. Toriumi, Y. Tamura, T. Sasaki, and F. Ootsuka: Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials, 2005, p. 250.
12. A. Cerezo, T. J. Godfrey, and G. D. W. Smith: Rev. Sci. Instrum. 59 (1988) 862.
13. K. Hono: Acta Mater. 47 (1999) 3127.
14. B. Deconihout, F. Vurpillot, B. Gault, G. D. Costa, M. Bouet, A. Bostel, D. Blavette, A. Hideur, G. Martel, and M. Brunel: Surf. Interface Anal. 39 (2007) 278.
15. M. J. M. Pelgrom, H. P. Tuinhout, and M. Vertregt: IEDM Tech. Dig., 1998, p. 915.
16. S. Saito, D. Hisamoto, S. Kimura, and M. Hiratani: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 797.