SnO 2 nanowire arrays and electrical properties synthesized by fast heating a mixture of SnO 2 and CNTs waste soot

Nanoscale Research Letters

Volumn 4, Issue 12, 2009, Pages 1434-1438

  Li, Zi Jiong ^a,b   Qin, Zhen ^c   Zhou, Zhi Hua ^b   Zhang, Li Ying ^b   Zhang, Ya Fei ^b  

^a ZHENGZHOU UNIVERSITY OF LIGHT INDUSTRY   (China)

^b SHANGHAI JIAO TONG UNIVERSITY   (China)

^c NORTH CHINA INSTITUTE OF WATER CONSERVANCY AND HYDROELECTRIC POWER   (China)

Author keywords

Field effect transistor; Semiconducting; SnO 2 nanowires

Indexed keywords

ELECTRICAL PROPERTY; HIGH FREQUENCY INDUCTION HEATING; NANO-MATERIALS; NANOELECTRONIC DEVICES; NANOWIRE ARRAYS; ON/OFF RATIO; TRANSISTOR PERFORMANCE;

CARBON NANOTUBES; ELECTRIC PROPERTIES; ELECTRIC WIRE; HEATING; INDUCTION HEATING; NANOWIRES; SEMICONDUCTOR GROWTH; SOOT;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 74649086090     PISSN: 19317573     EISSN: 1556276X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s11671-009-9416-5     Document Type: Article

References (35)

1. F. L. Wang, L. Y. Wang, Y. F. Zhang, Nano. Res. Lett. 4, 153 (2009).
2. Y. Zhang, K. Suenaga, C. Colliex, S. Lijima, Science 281, 973 (1998).
3. H. V. Fajardo, E. Longo, L. F. D. Probst et al., Nano. Res. Lett. 3, 194 (2008).
4. M. Y. Cheng, B. J. Hwang, Nano. Res. Lett. 2, 28 (2007).
5. J. Mu, L. Liu, S. Z. Kang, Nano. Res. Lett. 2, 100 (2007).
6. Y. Zhang, T. Ichihashi, E. Landree, F. Nihey, S. Lijima, Science 285, 1719 (1999).
7. X. Peng, L. Manna, W. Yang, J. Wickham, E. Scher, A. Kadavanich, A. P. Alivisatos, Nature 404, 59 (2000).
8. X. F. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. F. Wang, C. M. Lieber, Nature 409, 66 (2001).
9. H. Y. Peng, Z. W. Pan, L. Xu, X. H. Fan, N. B. Wang, C. S. Lee, S. T. Lee, Adv. Mater. 13, 317 (2001).
10. C. B. Murray, C. R. Cagan, M. G. Bawendi, Science 270, 1335 (1995).
11. E. R. Leite, I. T. Weber, E. Longo, J. A. Varela, Adv. Mater. 12, 965 (2000).
12. H. W. Ch Postma, T. Teepen, Z. Yao, M. Grifoni, C. Deckker, Science 293, 76 (2001).
13. Z. W. Chen, J. K. L. Lai, C. H. Shek, Phys. Rev. B 70, 165314 (2004).
14. C. Li, D. H. Zhang, S. Han, X. L. Liu, T. Tang, C. W. Zhou, Adv. Mater. 15, 143 (2003).
15. Y. Idota, T. Kubota, A. Matsufuji, Y. Maekawa, T. Miyasaka, Science 276, 1395 (1997).
16. Q. Dong, H. Su, D. Zhang, N. Zhu, X. Q. Guo, Acta. Mater. 13, 3146 (2008).
17. Z. Pan, Z. Dai, Z. L. Wang, Science 291, 1947 (2001).
18. Z. Q. Liu, D. H. Zhang, S. Han, C. Li, T. Tang, W. Jin, X. L. Liu, B. Lei, C. W. Zhou, Adv. Mater. 15, 1754 (2003).
19. D. F. Zhang, L. D. Sun, J. L. Yin, C. H. Yan, Adv. Mater. 15, 1022 (2003).
20. Z. R. Dai, Z. W. Pan, Z. L. Wang, Solid State Commun. 118, 351 (2001).
21. M. H. Huang, Y. Wu, H. Feick, N. Tran, E. Weber, P. Yang, Adv. Mater. 13, 113 (2001).
22. E. R. Leite, J. W. Gomes, M. M. Oliveira, E. J. H. Lee, E. Longo, J. A. Varela, C. A. Paskocimas, T. M. Boschi, F. Lanciotti Jr., P. S. Pizani, P. C. Soares Jr., Appl. Sci. Res. 2, 125 (2002).
23. Z. R. Dai, J. L. Gole, J. D. Stout, Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B 106, 1274 (2002).
24. M. Law, H. Kind, B. Messer, F. Kim, P. Yang, Angew. Chem. 114, 2511 (2002).
25. H. I. Liu, N. I. Maluf, R. F. W. Pease, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 2846 (1992).
26. T. Ono, H. Saitoh, M. Esashi, Appl. Phys. Lett. 70, 1852 (1997).
27. F. C. Frank, Discov. Faraday 5, 48 (1949).
28. R. S. Wagner, W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
29. Z. W. Chen, J. K. L. Lai, C. H. Shek, H. D. Chen, J. Mater. Res. 18, 1289 (2003).
30. Y. Cheng, P. Xiong, L. Fields, J. P. Zheng, R. S. Yang, Z. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 89, 093114 (2006).
31. M. G. McDowell, R. J. Sanderson, I. G. Hill, Appl. Phys. Lett. 92, 013502 (2008).
32. L. Luo, B. D. Sosnowchik, L. W. Lin, Appl. Phys. Lett. 90, 093101 (2007).
33. Y. J. Chen, Q. H. Li, Y. X. Liang, T. H. Wang, Q. Zhao, D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 85, 5682 (2006).
34. Q. Y. Wang, K. Yu, F. Xu, Solid State Commun. 143, 260 (2007).
35. W. M. Zhou, F. Fang, Z. Y. Hou, L. J. Yan, Y. F. Zhang, IEEE Electron Device Lett. 27, 463 (2006).