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Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Volumn 20, Issue 12, 2009, Pages 1225-1228

Preparation and photoelectric properties of Ti doped ZnO thin films annealed in vacuum

(5) Jiang, Minhong a Liu, Xinyu a Chen, Guohua a Cheng, Jun a Zhou, Xiujuan a

a GUILIN UNIVERSITY OF ELECTRONIC TECHNOLOGY (China)

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ANNEALING IN VACUUM; CONDUCTIVE PROPERTIES; FOUR-POINT PROBE TECHNIQUES; GLASS SUBSTRATES; IN-VACUUM; OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES; PHOTOELECTRIC PROPERTY; PREFERRED GROWTH; RADIO FREQUENCY MAGNETRON SPUTTERING; ROOM TEMPERATURE; SCANNING ELECTRONIC MICROSCOPY; SURFACE FIGURE; TI DOPED;

ANNEALING; ELECTRIC PROPERTIES; FILM PREPARATION; METALLIC FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; OPTICAL PROPERTIES; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; TITANIUM; VACUUM; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS; ZINC OXIDE;

CONDUCTIVE FILMS;

EID: 70350339676 PISSN: 09574522 EISSN: 1573482X Source Type: Journal
DOI: 10.1007/s10854-009-9856-9 Document Type: Article

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