Features of molecular beam epitaxy of the GaN (0001) and GaN (0001̄) layers with the use of different methods of activation of nitrogen

Semiconductors

Volumn 43, Issue 8, 2009, Pages 1058-1063

  Mizerov, A M ^a   Jmerik, V N ^a   Kaibyshev, V K ^a   Komissarova, T A ^a   Masalov, S A ^a   Ivanov, S V ^a  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

68.37. d; 68.43.Nr; 81.05.Ea; 81.15.Hi

Indexed keywords

EID: 70349559185     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/S1063782609080181     Document Type: Article

References (19)

1. Y. F. Wu, A. Saxler, and M. Moore, IEEE Electron Dev. Lett. 25, 117 (2004).
2. D. Huang, P. Visconti, K. M. Jones, M. A. Reshchikov, F. Yun, A. A. Baski, T. King, and H. Morkoč, Appl. Phys. Lett. 78, 4145 (2001).
3. B. Heying, R. Averbeck, L. F. Chen, E. Haus, H. Riechert, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 88, 1855 (2000).
4. V. N. Zhmerik, A. M. Mizerov, T. V. Shubina, S. B. Listoshin, and S. V. Ivanov, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 33(8), 36 (2007) [Tech. Phys. Lett. 33, 333 (2007)].
5. K. Xu and A. Yoshikawa, Appl. Phys. Lett. 82, 251 (2003).
6. S. Keller, C. S. Suh, Z. Chen, R. Chu, S. Rajan, N. A. Fichtenbaum, M. Furukawa, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 103, 033708 (2008).
7. M. N. Wong, S. Rajan, R. M. Chu, T. Palacios, C. S. Suh, L. S. McCarthy, S. Keller, J. S. Speck, and U. K. Mushra, Phys. Status Solidi A 204, 2049 (2007).
8. X. Q. Shen, T. Ide, S. H. Cho, M. Shimizu, S. Hara, and H. Okumura, Appl. Phys. Lett. 77, 4013 (2000).
9. E. Monroy, E. Sarigiannidou, F. Fossard, N. Gogneau, E. Bellet-Amalric, J.-L. Rouvie're, S. Monnoye, H. Mank, and B. Daudin, Appl. Phys. Lett. 84, 3684 (2004).
10. C. Adelmann, J. Brault, G. Mula, B. Daudin, L. Lymperakis, and J. Neugebauer, Phys. Rev. B 67, 165419 (2003).
11. N. Grandjean, M. Leroux, M. Laügt, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 71, 240 (1997).
12. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, M.-S. Shin, M. Skowronsky, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Appl. Phys. Lett. 72, 2114 (1998).
13. A. Yoshikawa and K. Xu, Thin Sol. Films 412, 38 (2002).
14. D. Crawford, R. Held, A. M. Johnston, A. M. Dabiran, and P. I. Cohen, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1(12) (1996).
15. N. Granjean, J. Massies, F. Semond, S. Yu. Karpov, and R. A. Talalaev, Appl. Phys. Lett. 74, 1854 (1999).
16. S. Vezian, F. Natali, F. Semond, and J. Massies, Phys. Rev. B 69, 125329 (2004).
17. S. Yu. Karpov, R. A. Talalaev, Yu. N. Makarov, N. Grandjean, J. Massies, and B. Damilano, Surf. Sci. 450, 191 (2000).
18. B. Monemar, P. P. Paskov, J. P. Bergman, A. A. Toropov, T. V. Shubina, T. Malinauskas, and A. Usui, Phys. Status Solidi B 245, 1723 (2008).
19. T. Zywietz, J. Neugebauer, and M. Scheffler, Appl. Phys. Lett. 74, 1695 (1999).