Formation of p-n junction in double-walled carbon nanotubes based on heteromaterial encapsulation

Applied Physics Express

Volumn 2, Issue 9, 2009, Pages

  Li, Yongfeng ^a   Hatakeyama, Rikizo ^a   Oohara, Wataru ^a   Kaneko, Toshiro ^a  

^a TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

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DOUBLE-WALLED CARBON NANOTUBES; ELECTRICAL TRANSPORT PROPERTIES; ELECTRON ACCEPTOR; ELECTRON DONORS; ION IRRADIATION; P-N JUNCTION; RECTIFYING CHARACTERISTICS;

ATOMS; CARBON NANOTUBES; CESIUM; DISTILLATION; ELECTRIC PROPERTIES; ENCAPSULATION; IRRADIATION; PLASMAS; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; TRANSPORT PROPERTIES;

MULTIWALLED CARBON NANOTUBES (MWCN);

EID: 70349125772     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.2.095005     Document Type: Article

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