Structural characteristic, raman analysis and optical properties of indium-doped zno nanoparticles prepared by sol-gel method

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 9, Issue 5, 2009, Pages 3325-3329

  Chen, K J ^a   Hung, F Y ^a   Chang, S J ^a  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

Indium; Sol Gel.; ZnO

Indexed keywords

CONCENTRATION OF; CRYSTALLINE QUALITY; CRYSTALLIZED STRUCTURE; DOPED ZNO; ENERGY DISPERSIVE X-RAY; GREEN EMISSION BANDS; INDIUM DOPING; INDIUM-DOPED ZNO; NANOPARTIDES; RAMAN ANALYSIS; RAMAN SPECTRA; SEM; SOL-GEL METHODS; STRUCTURAL CHARACTERISTICS; UV EMISSIONS; XRD PATTERNS; ZNO; ZNO NANOPARTICLES;

CRYSTALLINE MATERIALS; DOPING (ADDITIVES); EMISSION SPECTROSCOPY; GELATION; GELS; INDIUM; OPTICAL PROPERTIES; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; SOL-GEL PROCESS; SOL-GELS; SOLS; X RAY DIFFRACTION; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS; ZINC OXIDE;

NANOPARTICLES;

EID: 67649183368     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2009.VC03     Document Type: Article

References (40)

1. S. J. Jiao, Z. Z. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, B. Yao, J. Y. Zhang, B. H. Li, D. X. Zhao, X. W. Fan, and Z. K. Tang, Appl. Phys. Lett. 88, 031911 (2006).
2. R. Ryu, T. S. Lee, J. A. Lubguban, H. W. White, Y. S. Park, and C. J. Youn, Appi. Phys. Left. 87, 153504 (2005).
3. J. Yoo, J. Lee, S. Kim, K. Yoon, I. J. Park, S. K. Dhungel, B. Karunagaran, D. Mangalaraj, and J. Yi, Phys. Stat. Sol. (c) 2, 1228 (2005).
4. Z. Fan and I. G. Lu, IEEE Trans. Nanotechnology 5, 393 (2006).
5. H. W. Ryu, B. S. Park, S. A. Akbar, W. S. Lee, K. J. Hong, Y. J. Seo, D. C. Shin, J. S. Park, and G. P. Choi, Sens. Actuators B 96, 717 (2003).
6. H. Gong, J. Q. Hu, J. H. Wang, C. H. Ong, and F. R. Zhu, Se, is. Actuators B 115, 247 (2006).
7. M. R. Wang, J. Wang, W. Chen, and L. D. Wang, .1. Mater Sci. 40, 5281 (2005).
8. S. J. Kang and Y. H. Joung, Appl. Surf Sci. 253, 7330 (2007).
9. Q. H. Li, Y. X. Liang, Q. Wan, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 85, 6389 (2004).
10. J. X. Wang, X. W. Sun, Y. Yang, H. Huang, Y. C. Lee, and O. K. Tan, Nanotechnology 17, 4995 (2006).
11. Z. G. Yu, P. Wu, and H. Gong, Appl. Phys. Lett. 88, 132114 (2006).
12. P. Fons, H. Tampo, A. V. kolobov, M. Ohkubo, S. Niki, J. Tominaga, R. Carboni, and S. Friedrich, Phys. Rev. Leit. 96, 045504 (2006).
13. J. J. Chen, M. H. Yu, W. L. Zhou, K. Sun, and L. M. Wang, Appl. Phys. Lett. 87, 173119 (2005).
14. P. C. Chang, Z. Fan, D. Wang, W. Y. Tseng, W. A. Chiou, J. Hong, and J. G. Lu, Chem. Mater 16, 5133 (2004).
15. M. Ristii, S. Musié, M. Ivanda, and S. Popovit, J. Alloys Coinpd. 397, 1 (2005).
16. Y. Cao, L. Miao, S. Tanemura, M. Tanemura, Y. Kuno, and Y. Hayashi, Appl. Phys. Lett. 88, 251116 (2006).
17. H. M. Zhou, D. Q. Yi, Z. M. Yu, L. R. Xiao, and J. Li, The Solid Films 515, 6909 (2007).
18. M. Wang, K. E. Lee, S. H. Hahn, E. J. Kim, S. Kim, J. S. Chung, E. W. Shin, and C. Park, Mater Letl. 61, 1118 (2007).
19. U. N. Maiti, P. K. Ghosh, S. Nandy, and K. K. Chattopadhyay, Physica B 387, 103 (2007).
20. R. Kaur, A. V. Singh, and R. M. Mehra, J. Non-Crys. Solids 352, 2335 (2006).
21. J. H. Lee and B. O. Park, Thin Solid Films 426, 94 (2003).
22. E. J. L. Arredondo, A. Maldonado, R. Asomoza, D. R. Acosta, M. A. M. Lira, and M. de Ia L. Olvera, Thin Solid Films 490, 132 (2005).
23. Y. C. Liu, Y. W. Chen, C. L. Shao, and S. X. Lu, J. Sol-Gel Sci. Tech. 39, 57 (2006).
24. K. J. Chen, T. H. Fang, F. Y. Hung, L. W. Ji, S. J. Chang, S. J. Young, and Y. J. Hsiao, Appi. Surf Sci. 254, 5791 (2008).
25. S. Fujihara, A. Suzuki, and T. Kimura, J. AppI. Phys. 94, 2411 (2003).
26. B. D. Cullity, The Elements of X-Ray Diffraction, Addison-Wesley, Reading, MA (1978), p. 102.
27. S. Musié, D. Dragevic, S. Popovié, and M. Ivanda, Mater Letl. 59, 2388 (2005).
28. Y. J. Xing, Z. H. Xi, Z. Q. Xue, X. D. Zhang, J. H. Song, R. M. Wang, I. Xu, Y. Song, S. L. Zhang, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 83, 1689 (2003).
29. D. G. Mead and G. R. Wilkinson, J. Raman Spectrosc. 6, 123 (1977).
30. J. Serrano, A. H. Romero, F. J. ManjOn, R. Lauck, M. Cardona, and A. Rubio, Phys. Rev. B 69, 094306 (2004).
31. T. C. Damen, S. P. S. Porto, and B. Tell, Phys. Rev. 142, 570 (1966).
32. A. W. Hewat, Solid State Commun. 8, 187 (1970).
33. Y. W. Chen, Y. C. Liu, S. X. Lu, C. S. Xu, C. L. Shao, C. Wang, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Chem. Phys. 123, 134701 (2005).
34. C. K. Chao, H. S. Chang, T. M. Hsu, C. N. Hsiao, C. C. Kei, S. Y. Kuo, and J. I. Chyi, Nanotechnology 17, 3930 (2006).
35. B. B. Li, X. Q. Xiu, R. Zhang, Z. L. Xie, Y. Chen, Y. Shi, P. Han, and Y. D. Zheng, Proceedings of IEEE Semiconducting and Insulating Materials (2004), pp. 202-205.
36. J. Zuo, C. Xu, L. Zhang, B. Xu, and R. Wu, J. Raman Spectrosc. 32, 979 (2001).
37. P. T. Hsieh, Y. C. Chen, S. Kao, M. S. Lee, and C. C. Cheng, J. European Ceramic Society 27, 3815 (2007).
38. K. Vanheusden, W. L. Warren, C. H. Seager, D. K. Tallant, J. A. Voigt, and B. E. Gnade, J. Appl. Phys. 79, 7983 (1996).
39. W. Walukiewice, Phys. Rev. B 41, 10218 (1990).
40. B. K. Choi, D. H. Chang, Y. S. Yoon, and S. J. Kang, J. Mater Sci.: Mater Electron. 17, 1011(2006).