Formation of lateral low density in(Ga)as quantum dot pairs in GaAs nanoholes

Crystal Growth and Design

Volumn 9, Issue 5, 2009, Pages 2525-2528

  Alonso Gonzalez P ^a   Martin Sanchez J ^a   Gonzalez Y ^a   Alen B ^a   Fuster, D ^a   Gonzalez L ^a  

^a INSTITUTO DE MICROELECTRÓNICA DE MADRID   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 66249135266     PISSN: 15287483     EISSN: 15287505     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg900065v     Document Type: Article

References (25)

1. Stevenson, R. M.; Young, R. J.; Atkinson, P.; Cooper, K.; Ritchie, D. A.; Shields, A. J. Nature (London) 2006, 439, 179.
2. Hennessy, K.; Badolato, A.; Wigner, M.; Gerace, D.; Atatüre, M.; Gulde, S.; Fält, D.; Hu, E. L.; Imamoglu, A. Nature (London) 2007, 445, 896.
3. Intallura, P. M.; Ward, M. B.; Karimov, O. Z.; Yuan, Z. L.; See, P.; Shields, A. J.; Atkinson, P.; Ritchie, D. A. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 161103.
4. Heidemeyer, H.; Müller, C.; Schmidt, O. G. J. Cryst. Growth 2004, 261, 444.
5. Songmuang, R.; Kiravittaya, S.; Schmidt, O. G. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 2892.
6. Atkinson, P.; Ward, M. B.; Bremner, S. P.; Anderson, D.; Farrow, T.; Jones, G. A. C.; Shields, A. J.; Ritchie, D. A. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 2519.
7. Li, S. S.; Xia, J. B.; Yuan, Z. L.; Xu, Z. Y.; Ge, W.; Wang, X. R.; Wang, Y.; Wang, J.; Chang, L. L. Phys. Rev. B 1996, 54, 11575.
8. Robledo, L.; Elzerman, J.; Jundt, G.; Atatüre, M.; Högele, A.; Fält, S.; Imamoglu, A. Science 2008, 320, 772.
9. Stinaff, E. A.; Scheibner, M.; Bracker, A. S.; Ponomarev, I. V.; Korenev, V. L.; Ware, M. E.; Doty, M. F.; Reinecke, T. L.; Gammon, D. Science 2006, 311, 636.
10. Beirne, G. J.; Hermannstädter, C.; Wang, L.; Rastelli, A.; Schmidt, O. G.; Michler, P. Phys. Rev. Lett. 2006, 96, 137401.
11. Wang, L.; Rastelli, A.; Kiravittaya, S.; Atkinson, P.; Ding, F.; Bufon, C. C. B.; Hermannstädter, C.; Witzany, M.; Beirne, G. J.; Michler, P.; Schmidt, O. G. N. J. Phys. 2008, 10, 045010.
12. Mano, T.; Watanabe, K.; Tsukamoto, S.; Fujioka, H.; Oshima, M.; Koguchi, N. J. Cryst. Growth 2000, 209, 504.
13. Lee, J. H.; Wang, Zh. M.; Ware, M. E.; Wijesundara, K. C.; Garrido, M.; Stinaff, E. A.; Salamo, G. J. Cryst. Growth Des. 2008, 8, 1945-1951.
14. Lee, J. H.; Wang, Zh. M.; Strom, N. W.; Mazur, Yu. I.; Salamo, G. J. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 202101.
15. Wang, Zh. M.; Liang, B. L.; Sablon, K. A.; Salamo, G. J. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 113120.
16. Alonso-González, P.; Fuster, D.; González, L.; Martín-Sánchez, J.; González, Y. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 183106.
17. Liang, B. L.; Wang, Zh. M.; Wang, X. Y.; Lee, J. H.; Mazur, Y. I.; Shih, C. K.; Salamo, G. J. ACS Nano 2008, 2, 2219.
18. Strom, N. W.; Wang, Zh. M.; Lee, J. H.; Abuwaar, Z. Y.; Mazur, Yu. I.; Salamo, G. J. Nan. Res. Lett. 2007, 2, 112.
19. Alonso-González, P.; Alén, B.; Fuster, D.; González, Y.; González, L.; Martínez-Pastor, J. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 163104.
20. Alonso-González, P.; González, L.; Fuster, D.; González, Y.; Taboada, A. G.; Ripalda, J. M.; Beltrán, A. M.; Sales, D. L.; Ben, T.; Molina, S. I. Cryst. Growth Des. 2009, 9 (2), 1216.
21. Li, S. S.; Xia, J. B. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 092119.
22. Liang, B. L.; Wong, P. S.; Nuntawong, N.; Albrecht, A. R.; Tatebayashi, J.; Rotter, T. J.; Balakrishnan, G.; Huffaker, D. L. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 243106.
23. Lippen, T. v.; Silov, A. Yu.; Nötzel, R. Phys. Rev. B 2007, 75, 115414.
24. Shen, X. Q.; Kishimoto, D.; Nishinaga, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1994, 33, 11.
25. Sanguinetti, S.; Henini, M.; Grassi, M.; Capizzi, M.; Frigeri, P.; Franchi, S. Phys. Rev. B 1999, 60, 8276.