Morphology instability of silicon nitride nanowires

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 113, Issue 15, 2009, Pages 5902-5905

  Wang, Huatao ^a   Yang, Weiyou ^b   Xie, Zhipeng ^a   Wang, Yansong ^c   Xing, Feng ^d   An, Linan ^e  

^a TSINGHUA UNIVERSITY   (China)

^b NINGBO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

^c CHANGCHUN INSTITUTE OF OPTICS   (China)

^d SHENZHEN UNIVERSITY   (China)

^e UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

1D NANOSTRUCTURES; HIGH-TEMPERATURE ANNEALING; HIGH-TEMPERATURE APPLICATIONS; LIMITING FACTORS; SILICON-NITRIDE NANOWIRES; SURFACE ENERGIES; WIDTH-TO-THICKNESS RATIOS;

ELECTRIC WIRE; INTERFACIAL ENERGY; NANOBELTS; NANOWIRES; SILICON NITRIDE; SURFACE CHEMISTRY; SURFACE TENSION;

SURFACE DIFFUSION;

EID: 65249100810     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp901938a     Document Type: Article

References (28)

1. Cui. Y.; Lieber, C. M. Science 2001, 291, 851.
2. Cui, Y.; Zhong, Z. H.; Wang, D. L.; Wang, W. U.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2003, 3, 149.
3. De Franceschi, S.; van Dam, J. A.; Bakkers. E.; Feiner, L. F.; Gurevich, L.; Kouwenhoven, L. P. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 344.
4. Haraguchi, K.; Katsuyama, T.; Hiruma, K.; Ogawa, K. Appl. Phys. Lett. 1992, 60, 745.
5. Duan, X. F.; Huang, Y.; Cui, Y.; Wang, J. R: Lieber, C. M. Mature (London) 2001, 409. 66.
6. Wang, J. R; Gudiksen, M. S.: Duan, X. R; Cui, Y.; Lieber, C. M. Science 2001, 293, 1455.
7. Comini, E.; Faglia. G.; Sberveglieri, G.; Pan. Z. W.; Wang. Z. L. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 1869.
8. Kong. J.; Franklin, N. R.; Zhou. C. W.; Chapline. M. G.; Peng, S.: Cho. K. J.; Dai, H. J. Science 2000, 287, 622.
9. Herricks, T.; Chen, J. Y.; Xia, Y. N.Nano Lett. 2004, 4, 2367.
10. Pinna, N.; Weiss. K.; Urban, J.; Pileni, M. P. Adv. Mater. 2001, 13, 261.
11. Yu. S. H.; Wu, Y. S.; Yang. J.; Han. Z. H.; Xie, Y.; Qian, Y. T.; Liu. X. M. Chem. Mater. 1998, 10, 2309.
12. Morales. A. M.; Lieber. C. M. Science 1998, 279, 208.
13. Ha, T. H.; Koo, H. J.; Chung, B. H. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 1123.
14. Pan, Z. W.; Dai. Z. R.; Wang. Z. L. Science 2001, 291, 1947.
15. Barnard, A. S.; Xiao, Y.: Cai, Z. Chem. Phys. Lett. 2006, 419, 313.
16. Barnard, A. S. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 24498.
17. Fan. H. J.; Barnard, A. S.; Zacharias, M. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 143116.
18. Zhang, L. G.; Jin, H.; Yang. W. Y.; Xie, Z. P.; Miao. H. H.; An. L. N. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 061908.
19. Munakata, F; Matsuo, K.; Furuya. K.; Akimune, Y.; Ye. J.; Ishikawa, I. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 3498.
20. Zanatta, A. R.; Nunes, L. A. O. Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 3127.
21. Yang, W. Y.; Wang, H. T.; Liu, S. Z.; Xie, Z. P.; An. L. N. J. Phys. Chem. B 2007, 111, 4156.
22. Zou, G. R: Hu, B.; Xiong, K.; Li, H.; Dong, C.; Liang, J. B.; Qian. Y. T. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 181901.
23. Xu, C. K.; Kim, M.; Chun. J.; Kim. D. E.; Chon. B.; Hong. S.; Joo, T. Scripta Mater. 2005, 53, 949.
24. Zhang, J. Y.; Chen, Y. X.; Guo, T. L.; Lin, Z. X.; Wang, T. H. Nanotechnology 2007, 18, 325603.
25. Kramer, M.; Wittmuss, D.; Kuppers, H.; Hoffmann, M. J.; Petzow, G. J. Cryst. Growth 1994, 140, 157.
26. Yang, W. Y.; Xie, Z. P.; Li, J. J.; Miao, H. Z.; Zhang, L. G.; An, L. N. J. Am. Ceram. Soc. 2005, 88, 1647.
27. Wang, Z. W.; Daemen, L. L.; Zhao, Y. S.; Zha, C. S.: Downs, R. T.; Wang, X. D.; Wang. Z. L.; Hemley. R. J. Nat. Mater. 2005, 4, 922.
28. Yang, W. Y.; Xie, Z. P.; Miao, H. Z.; Zhang, L. G.; Ji, H.; An, L. N. J. Am. Ceram. Soc. 2005, 88, 466.