Field emission from graphene based composite thin films

Applied Physics Letters

Volumn 93, Issue 23, 2008, Pages

  Eda, Goki ^a   Emrah Unalan, H ^b   Rupesinghe, Nalin ^b   Amaratunga, Gehan A J ^b   Chhowalla, Manish ^a  

^a The State University of New Jersey   (United States)

^b UNIVERSITY OF CAMBRIDGE   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPOSITE FILMS; FIELD EMISSION; THIN FILMS;

APPLICATIONS.; COMPOSITE THIN FILMS; DEPOSITION METHODS; DIFFERENT SUBSTRATES; FIELD EMITTERS; FIELD ENHANCEMENTS; GENERAL SOLUTIONS; GRAPHENE; GRAPHENE SHEETS; LOW THRESHOLDS; SUBSTRATE SURFACES;

SUBSTRATES;

EID: 57649133313     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3028339     Document Type: Article

References (43)

1. A. K. Geim and K. S. Novoselov, Nature Mater. 6, 183 (2007).
2. S. Stankovich, D. A. Dikin, G. H. B. Dommett, K. M. Kohlhaas, E. J. Zimney, E. A. Stach, R. D. Piner, S. T. Nguyen, and R. S. Ruoff, Nature (London) 442, 282 (2006).
3. S. Watcharotone, D. A. Dikin, S. Stankovich, R. Piner, I. Jung, G. H. B. Dommett, G. Evmenenko, S. E. Wu, S. F. Chen, C. P. Liu, S. T. Nguyen, and R. S. Ruoff, Nano Lett. 7, 1888 (2007).
4. T. Ramanathan, A. A. Abdala, S. Stankovich, D. A. Dikin, M. Herrera-Alonso, R. D. Piner, D. H. Adamson, H. C. Schniepp, X. Chen, R. S. Ruoff, S. T. Nguyen, I. A. Aksay, R. K. Prud'Homme, and L. C. Brinson, Nat. Nanotechnol. 3, 327 (2008).
5. F. Schedin, A. K. Geim, S. V. Morozov, E. W. Hill, P. Blake, M. I. Katsnelson, and K. S. Novoselov, Nature Mater. 6, 652 (2007).
6. I. I. Barbolina, K. S. Novoselov, S. V. Morozov, S. V. Dubonos, M. Missous, A. O. Volkov, D. A. Christian, I. V. Grigorieva, and A. K. Geim, Appl. Phys. Lett. 88, 013901 (2006).
7. E. W. Hill, A. K. Geim, K. Novoselov, F. Schedin, and P. Blake, IEEE Trans. Magn. 42, 2694 (2006).
8. N. Tombros, C. Jozsa, M. Popinciuc, H. T. Jonkman, and B. J. van Wees, Nature (London) 448, 571 (2007).
9. T. J. Echtermeyer, M. C. Lemme, M. Baus, B. N. Szafranek, A. K. Geim, and H. Kurz, IEEE Electron Device Lett. 29, 952 (2008).
10. G. Eda, G. Fanchini, and M. Chhowalla, Nat. Nanotechnol. 3, 270 (2008).
11. X. Wang, L. Zhi, and K. Mullen, Nano Lett. 8, 323 (2007).
12. P. Blake, P. D. Brimicombe, R. R. Nair, T. J. Booth, D. Jiang, F. Schedin, L. A. Ponomarenko, S. V. Morozov, H. F. Gleeson, E. W. Hill, A. K. Geim, and K. S. Novoselov, Nano Lett. 8, 1704 (2008).
13. H. A. Becerill, J. Mao, Z. Liu, R. M. Stoltenberg, Z. Bao, and Y. Chen, ACS Nano 2, 463 (2008).
14. C. Wang, A. Garcia, D. C. Ingram, M. Lake, and M. E. Kordesche, Electron. Lett. 27, 1459 (1991).
15. K. Okano, S. Koizumi, S. R. P. Silva, and G. A. J. Amaratunga, Nature (London) 381, 140 (1996).
16. G. A. J. Amaratunga and S. R. P. Silva, Appl. Phys. Lett. 68, 2529 (1996).
17. W. A. De Heer, A. Chatelain, and D. Ugarte, Science 270, 1179 (1995).
18. A. G. Rinzler, J. H. Hafner, P. Nikolaev, P. Nordlander, D. T. Colbert, R. E. Smalley, L. Lou, S. G. Kim, and D. Tomanek, Science 269, 1550 (1995).
19. K. B. K. Teo, M. Chhowalla, G. A. J. Amaratunga, W. I. Milne, G. Pirio, P. Legagneux, F. Wyczisk, D. Pribat, and D. G. Hasko, Appl. Phys. Lett. 80, 2011 (2002).
20. Y. Saito, K. Hamaguchi, T. Nishino, K. Hata, K. Tohji, A. Kasuya, and Y. Nishina, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1340 (1997).
21. S. G. Wang, J. J. Wang, P. Miraldo, M. Y. Zhu, R. Outlaw, K. Hou, X. Zhao, B. C. Holloway, D. Manos, T. Tyler, O. Shenderova, M. Ray, J. Dalton, and G. McGuire, Appl. Phys. Lett. 89, 183103 (2006).
22. K. Hou, R. A. Outlaw, S. Wang, M. Zhu, R. A. Quinlan, D. M. Manos, M. E. Kordesch, U. Arp, and B. C. Holloway, Appl. Phys. Lett. 92, 133112 (2008).
23. J. Wang and T. Ito, Diamond Relat. Mater. 16, 589 (2007).
24. S. Bajic and R. V. Latham, J. Phys. D: Appl. Phys. 21, 200 (1988).
25. A. P. Burden, H. E. Bishop, M. Brierley, J. M. Friday, C. Hood, P. G. A. Jones, A. Y. Kyazov, W. Lee, R. J. Riggs, V. L. Shaw, and R. A. Tuck, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 900 (2000).
26. S. Watcharotone, R. S. Ruoff, and F. H. Read, Phys Procedia 1, 71 (2008).
27. P. C. P. Watts, S. M. Lyth, E. Mendoza, and S. R. P. Silva, Appl. Phys. Lett. 89, 103113 (2006).
28. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science 306, 666 (2004).
29. R. S. Ruoff, Nat. Nanotechnol. 3, 10 (2008).
30. S. Gijie, S. Han, M. Wang, K. L. Wang, and R. B. Kaner, Nano Lett. 7, 3394 (2007).
31. C. Gomez-Navarro, T. R. Weitz, A. M. Bittner, M. Scolari, A. Mews, M. Burghard, and K. Kern, Nano Lett. 7, 3499 (2007).
32. S. Stankovich, R. D. Piner, X. Q. Chen, N. Q. Wu, S. T. Nguyen, and R. S. Ruoff, J. Mater. Chem. 16, 155 (2006).
33. S. Stankovich, R. Piner, S. T. Nguyen, and R. S. Ruoff, Carbon 44, 3342 (2006).
34. M. Hirata, T. Gotou, S. Horiuchi, M. Fujiwara, and M. Ohba, Carbon 42, 2929 (2004).
35. Q. H. Wang, T. D. Corrigan, J. Y. Dai, R. P. H. Chang, and A. R. Krauss, Appl. Phys. Lett. 70, 3308 (1997).
36. I. Musa, D. A. I. Munindrasdasa, G. A. J. Amaratunga, and W. Eccleston, Nature (London) 395, 362 (1998).
37. W. Zhua, C. Bower, O. Zhou, G. Kochanski, and S. Jin, Appl. Phys. Lett. 75, 873 (1999).
38. N. L. Rupesinghe, M. Chhowalla, K. B. K. Teo, and G. A. J. Amaratunga, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 338 (2003).
39. R. H. Fowler and L. Nordheim, Proc. R. Soc. London, Ser. A 119, 173 (1928).
40. J. D. Levine, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 553 (1995).
41. I. Alexandrou, E. Kymakis, and G. A. J. Amaratunga, Appl. Phys. Lett. 80, 1435 (2002).
42. K. H. Bayliss and R. V. Latham, Proc. R. Soc. London, Ser. A 403, 285 (1986).
43. R. G. Forbes, Solid State Commun. 45, 779 (2001).