Metallorganic chemical vapor deposition of ZnO nanowires from zinc acetylacetonate and oxygen

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 156, Issue 1, 2009, Pages

  Baxter, Jason B ^a   Aydil, Eray S ^b  

^a Drexel University   (United States)

^b University of Minnesota   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CORUNDUM; DEPOSITION; ELECTRIC WIRE; FILM GROWTH; HYDRATES; HYDRATION; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MICROSCOPIC EXAMINATION; NANOSTRUCTURED MATERIALS; NANOWIRES; NUCLEATION; ORGANOMETALLICS; OXYGEN; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; SOLAR CELLS; SOLAR ENERGY; SUBSTRATES; VAPORS; ZINC; ZINC ALLOYS; ZINC OXIDE;

BRANCHED STRUCTURES; DEFECT EMISSIONS; DENSE ARRAYS; DEPOSITION CONDITIONS; DYE-SENSITIZED SOLAR CELLS; HIGH SURFACE AREAS; NANOWIRE GROWTHS; NANOWIRE MORPHOLOGIES; NUCLEATION SITES; POLYCRYSTALLINE FILMS; POTENTIAL APPLICATIONS; RANDOM ORIENTATIONS; SAPPHIRE SUBSTRATES; SEED PARTICLES; SUBSTRATE TEMPERATURES; ZINC ACETYLACETONATE; ZNO NANOWIRES;

NANOSTRUCTURES;

EID: 56749166063     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.3006390     Document Type: Article

References (61)

1. J. B. Baxter and E. S. Aydil, Appl. Phys. Lett., 86, 053114 (2005).
2. M. Law, L. E. Greene, J. C. Johnson, R. Saykally, and P. D. Yang, Nature Mater., 4, 455 (2005).
3. J. B. Baxter and E. S. Aydil, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 90, 607 (2006).
4. J. B. Baxter, A. M. Walker, K. van Ommering, and E. S. Aydil, Nanotechnology, 17, S304 (2006).
5. Q. Wan, Q. H. Li, Y. J. Chen, T. H. Wang, X. L. He, J. P. Li, and C. L. Lin, Appl. Phys. Lett., 84, 3654 (2004).
6. H. T. Wang, B. S. Kang, F. Ren, L. C. Tien, P. W. Sadik, D. P. Norton, S. J. Pearton, and J. Lin, Appl. Phys. Lett., 86, 243503 (2005).
7. Y. S. Zhang, K. Yu, D. S. Jiang, Z. Q. Zhu, H. R. Geng, and L. Q. Luo, Appl. Surf. Sci., 242, 212 (2005).
8. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Q. Yan, Y. Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. D. Yang, Science, 292, 1897 (2001).
9. J. H. Choy, E. S. Jang, J. H. Won, J. H. Chung, D. J. Jang, and Y. W. Kim, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.), 15, 1911 (2003).
10. C. J. Lee, T. J. Lee, S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett., 81, 3648 (2002).
11. Y. W. Zhu, H. Z. Zhang, X. C. Sun, S. Q. Feng, J. Xu, Q. Zhao, B. Xiang, R. M. Wang, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett., 83, 144 (2003).
12. Y. K. Tseng, C. J. Huang, H. M. Cheng, I. N. Lin, K. S. Liu, and I. C. Chen, Adv. Funct. Mater., 13, 811 (2003).
13. J. J. Wu and S. C. Liu, J. Phys. Chem. B, 106, 9546 (2002).
14. J. J. Wu and S. C. Liu, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.), 14, 215 (2002).
15. J. B. Baxter and E. S. Aydil, J. Cryst. Growth, 274, 407 (2005).
16. W. I. Park, D. H. Kim, S. W. Jung, and G. C. Yi, Appl. Phys. Lett., 80, 4232 (2002).
17. A. R. Kaul, O. Y. Gorbenko, A. N. Botev, and L. I. Burova, Superlattices Microstruct., 38, 272 (2005).
18. W. Lee, M. C. Jeong, and J. M. Myoung, Acta Mater., 52, 3949 (2004).
19. M. H. Huang, Y. Y. Wu, H. Feick, N. Tran, E. Weber, and P. D. Yang, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.), 13, 113 (2001).
20. T. Ghoshal, S. Biswas, S. Kar, A. Dev, S. Chakrabarti, and S. Chaudhuri, Nanotechnology, 19, 065606 (2008).
21. F. Li, Z. Li, and F. J. Jin, Physica B, 403, 664 (2008).
22. P. Prete, N. Lovergine, and L. Tapfer, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process., 88, 21 (2007).
23. W. W. Wang, G. M. Zhang, L. G. Yu, X. Bai, Z. X. Zhang, and X. Y. Zhao, Physica E (Amsterdam), 36, 86 (2007).
24. Z. R. Dai, Z. W. Pan, and Z. L. Wang, Adv. Funct. Mater., 13, 9 (2003).
25. P. X. Gao and Z. L. Wang, Appl. Phys. Lett., 84, 2883 (2004).
26. X. D. Wang, C. J. Summers, and Z. L. Wang, Nano Lett., 4, 423 (2004).
27. M. Kirkham, X. D. Wang, Z. L. Wang, and R. L. Snyder, Nanotechnology, 18, 365304 (2007).
28. Z. L. Wang, J. Nanosci. Nanotechnol., 8, 27 (2008).
29. J. B. Cui and U. J. Gibson, Appl. Phys. Lett., 87, 133108 (2005).
30. Y. Li, G. W. Meng, L. D. Zhang, and F. Phillipp, Appl. Phys. Lett., 76, 2011 (2000).
31. J. Elias, R. Tena-Zaera, and C. Levy-Clement, J. Phys. Chem. C, 112, 5736 (2008).
32. Y. F. Gao, M. Nagai, T. C. Chang, and J. J. Shyue, Cryst. Growth Des., 7, 2467 (2007).
33. R. Konenkamp, R. C. Word, M. Dosmailov, J. Meiss, and A. Nadarajah, J. Appl. Phys., 102, 056103 (2007).
34. L. Li, S. S. Pan, X. C. Dou, Y. G. Zhu, X. H. Huang, Y. W. Yang, G. H. Li, and L. D. Zhang, J. Phys. Chem. C, 111, 7288 (2007).
35. L. Vayssieres, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.), 15, 464 (2003).
36. L. E. Greene, M. Law, J. Goldberger, F. Kim, J. C. Johnson, Y. F. Zhang, R. J. Saykally, and P. D. Yang, Angew. Chem., Int. Ed., 42, 3031 (2003).
37. C. H. Ku and J. J. Wu, J. Phys. Chem. B, 110, 12981 (2006).
38. R. B. Peterson, C. L. Fields, and B. A. Gregg, Langmuir, 20, 5114 (2004).
39. S. Y. Li, C. Y. Lee, and T. Y. Tseng, J. Cryst. Growth, 247, 357 (2003).
40. R. J. H. Morris, M. G. Dowsett, S. H. Dalal, D. L. Baptista, K. B. K. Teo, and W. I. Milne, Surf. Interface Anal., 39, 898 (2007).
41. P. D. Yang, H. Q. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. R. He, and H. J. Choi, Adv. Funct. Mater., 12, 323 (2002).
42. L. E. Greene, M. Law, D. H. Tan, M. Montano, J. Goldberger, G. Somorjai, and P. D. Yang, Nano Lett., 5, 1231 (2005).
43. J. B. Baxter and C. A. Schmuttenmaer, J. Phys. Chem. B, 110, 25229 (2006).
44. M. Wang, X. L. Cao, H. X. Wang, G. M. Hua, Y. X. Lin, and L. D. Zhang, Chem. Lett., 35, 1234 (2006).
45. M. Z. Wu, L. Z. Yao, W. L. Cai, G. W. Jiang, X. G. Li, and Z. Yao, J. Mater. Sci. Technol., 20, 11 (2004).
46. H. Sato, T. Minami, T. Miyata, S. Takata, and M. Ishii, Thin Solid Films, 246, 65 (1994).
47. K. Haga, T. Shishido, K. Nakajima, and T. Matsunaga, Surf. Rev. Lett., 14, 783 (2007).
48. K. Haga, T. Suzuki, Y. Kashiwaba, H. Watanabe, B. P. Zhang, and Y. Segawa, Thin Solid Films, 433, 131 (2003).
49. Y. Kashiwaba, F. Katahira, K. Haga, T. Sekiguchi, and H. Watanabe, J. Cryst. Growth, 221, 431 (2000).
50. H. Saitoh, M. Satoh, N. Tanaka, Y. Ueda, and S. Ohshio, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 38, 6873 (1999).
51. H. T. Ng, B. Chen, J. Li, J. E. Han, M. Meyyappan, J. Wu, S. X. Li, and E. E. Haller, Appl. Phys. Lett., 82, 2023 (2003).
52. P. Fons, K. Iwata, A. Yamada, K. Matsubara, S. Niki, K. Nakahara, T. Tanabe, and H. Takasu, Appl. Phys. Lett., 77, 1801 (2000).
53. Y. F. Chen, D. M. Bagnall, H. J. Koh, K. T. Park, K. Hiraga, Z. Q. Zhu, and T. Yao, J. Appl. Phys., 84, 3912 (1998).
54. T. M. Barnes, S. Hand, J. Leaf, and C. A. Wolden, J. Vac. Sci. Technol. A, 22, 2118 (2004).
55. R. C. Wang, C. P. Liu, and J. L. Huang, Appl. Phys. Lett., 89, 173121 (2006).
56. T. Arii and A. Kishi, J. Therm Anal. Calorim., 83, 253 (2006).
57. G. A. M. Hussien, Thermochim. Acta, 186, 187 (1991).
58. K. Nakamoto, A. E. Martell, and P. J. McCarthy, J. Am. Chem. Soc., 83, 1272 (1961).
59. K. Vanheusden, W. L. Warren, C. H. Seager, D. R. Tallant, J. A. Voigt, and B. E. Gnade, J. Appl. Phys., 79, 7983 (1996).
60. D. W. Langer and C. J. Vesely, Phys. Rev. B, 2, 4885 (1970).
61. G. Deroubaix and P. Marcus, Surf. Interface Anal., 18, 39 (1992).