Fabrication of carbon nanotube diode with atomic force microscopy manipulation

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 112, Issue 20, 2008, Pages 7544-7546

  Jiao, Liying ^a   Xian, Xiaojun ^a   Fan, Ben ^a   Wu, Zhongyun ^a   Zhang, Jin ^a   Liu, Zhongfan ^a  

^a PEKING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ATOMIC PHYSICS; ATOMS; DIODES; FABRICATION; FIELD EFFECT TRANSISTORS; MICROSCOPIC EXAMINATION; NANOCOMPOSITES; NANOPORES; NANOSTRUCTURED MATERIALS; NANOSTRUCTURES; NANOTUBES; SCANNING PROBE MICROSCOPY; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBES (SWCN);

ATOMIC FORCE; CONTACT LENGTH; FIELD EFFECTS; SCHOTTKY BARRIER; SINGLE-WALLED CARBON;

CARBON NANOTUBES;

EID: 53349102141     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp8020744     Document Type: Article

References (24)

1. Tans, S. J.; Verschueren, A. R. M.; Dekker, C. Nature 1998, 393, 49.
2. Javey, A.; Guo, J.; Farmer, D. B.; Wang, Q.; Wang, D. W.; Gordon, R. G.; Lundstrom, M.; Dai, H. J. Nano Lett. 2004, 4, 447.
3. Esfarjani, K.; Farajian, A. A.; Hashi, Y.; Kawazoe, Y. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 79.
4. Kong, J.; Franklin, N. R.; Zhou, C. W.; Chapline, M. G.; Peng, S.; Cho, K. J.; Dai, H. J. Science 2000, 287, 622.
5. Chen, Z. H.; Appenzeller, J.; Lin, Y. M.; Sippel-Oakley, J.; Rinzler, A. G.; Tang, J. Y.; Wind, S. J.; Solomon, P. M.; Avouris, P. Science 2006, 311, 1735.
6. Heinze, S.; Tersoff, J.; Martel, R.; Derycke, V.; Appenzeller, J.; Avouris, P. Phys. Rev. Lett. 2002, 89, 106801.
7. Yang, M. H.; Teo, K. B. K.; Milne, W. I.; Hasko, D. G. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 253116.
8. Manohara, H. M.; Wong, E. W.; Schlecht, E.; Hunt, B. D.; Siegel, P. H. Nano Lett. 2005, 5, 1469.
9. Lu, C. G.; An, L.; Fu, Q. A.; Liu, J.; Zhang, H.; Murduck, J. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 133501.
10. Kim, B. K.; Kim, J. J.; So, H. M.; Kong, K. J.; Chang, H.; Lee, J. O.; Park, N. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 243115.
11. Duan, X. J.; Zhang, J.; Ling, X.; Liu, Z. F. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 8268.
12. Duan, X. J.; Tang, C.; Zhang, J.; Guo, W. L.; Liu, Z. F. Nano Lett. 2007, 7, 143.
13. Zhang, Y. Y.; Zhang, J.; Son, H. B.; Kong, J.; Liu, Z. F. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 17156.
14. Yao, Y. G.; Li, Q. W.; Zhang, J.; Liu, R.; Jiao, L. Y.; Zhu, Y. T.; Liu, Z. F. Nat. Mater. 2007, 6, 283.
15. Kong, J.; LeRoy, B. J.; Lemay, S. G.; Dekker, C. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 112106.
16. Bezryadin, A.; Verschueren, A. R. M.; Tans, S. J.; Dekker, C. Phys. Rev. Lett. 1998, 80, 4036.
17. Jorio, A.; Saito, R.; Hafner, J. H.; Lieber, C. M.; Hunter, M.; McClure, T.; Dresselhaus, G.; Dresselhaus, M. S. Phys. Rev. Lett. 2001, 86, 1118.
18. Cronin, S. B.; Swan, A. K.; Unlu, M. S.; Goldberg, B. B.; Dresselhaus, M. S.; Tinkham, M. Phys. Rev. Lett. 2004, 93, 167401.
19. Gao, B.; Duan, X. J.; Zhang, J.; Wu, T. J.; Son, H. B.; Kong, J.; Liu, Z. F. Nano Lett. 2007, 7, 750.
20. Nemec, N.; Tomanek, D.; Cuniberti, G. Phys. Rev. Lett. 2006, 96, 076802.
21. Wakaya, F.; Katayama, K.; Gamo, K. Microelectron. Eng. 2003, 67-8, 853.
22. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices; Wiley: New York, 1981.
23. Appenzeller, J.; Radosavljevic, M.; Knoch, J.; Avouris, Ph. Phys. Rev. Lett. 2004, 92, 048301.
24. Li, H.; Zhang, C.; Marzari, N. Nano. Lett. 2008, 8, 64.