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Volumn 4, Issue 8, 2007, Pages 3056-3060

Electrical levels of nanoscale NiSi2 precipitates in silicon band gap

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ELECTRIC LEVELS; EXTENDED DEFECTS; INTERNATIONAL CONFERENCES; NANO SCALING;

EID: 49549087115     PISSN: 18626351     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssc.200775453     Document Type: Conference Paper
Times cited : (5)

References (10)
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    • 0342509795 scopus 로고    scopus 로고
    • N. Lehto, Phys. Rev. B 55(23), 15601 (1997).
    • (1997) Phys. Rev. B , vol.55 , Issue.23 , pp. 15601
    • Lehto, N.1


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.