Synthesis and fundamental studies of chlorinated Si-Ge hydride macromolecules for strain engineering and selective-area epitaxial applications

Chemistry of Materials

Volumn 20, Issue 13, 2008, Pages 4374-4385

  Tice, Jesse B ^a   Fang, Y Y ^a   Tolle, John ^a   Chizmeshya, Andrew ^a   Kouvetakis, J ^a  

^a ARIZONA STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HIGH-PURITY; STRAIN ENGINEERING;

GERMANIUM; SILICON; SUPRAMOLECULAR CHEMISTRY;

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EID: 47749109878     PISSN: 08974756     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cm800427p     Document Type: Article

References (16)

1. Ritter, C. J.; Hu, C.; Chizmeshya, A. V. G.; Tolle, J.; Kiewer, D.; Tsong, I. S. T.; Kouvetakis, J. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127 (27), 9855.
2. Hu, C.-W.; Menendez, J.; Tsong, I. S. T.; Tolle, J.; Chizmeshya, A. V. G.; Ritter, C.; Kouvetakis, J. Appl. Phys. Lett. 2005, 87 (18), 181903.
3. Chizmeshya, A. V. G.; Ritter, C. J.; Hu, C.-W.; Tice, J. B.; Tolle, J.; Nieman, R.; Tsong, I. S. T.; Kouvetakis, J. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128 (21), 7950.
4. Tice, J. B.; Chizmeshya, A. V. G.; Roucka, R.; Tolle, J.; Cherry, B. R.; Kouvetakis, J. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129 (25), 6919.
5. Fang, Y.-Y.; Tice, J. B.; Chizmeshya, A. V. G.; Tolle, J.; D'Costa, V. R.; Menendez, J.; Kouvetakis, J. Appl. Phys. Lett., submitted for publication.
6. Kiyota, Y.; Udo, T.; Hashimoto, T.; Kodama, A.; Shimamoto, H.; Hayami, R.; Ohue, E.; Washio, K. IEEE Trans. Electron Devices 2002, 49 (5), 739-745.
7. (a) Ghani, T.; Armstrong, M.; Auth, C.; Bost, M.; Charvat, P.; Glass, G.; Hoffmann, T.; Johnson, K.; Kenyon, C.; Klaus, J.; McIntyre, B.; Mistry, K.; Murthy, A.; Sandford, J.; Silberstein, M.; Sivakumar, S.; Smith, P.; Zawadzki, K.; Thompson, S.; Bohr, M. IEDM Technol. Dig. 2003, 1161.
8. Wang, G. H.; Toh, E.-H.; Tung, C.-H.; Du, A.; Lo, G.-Q.; Samudra, G.; Yeo, Y.-C. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46 (4B), 2062-2066.
9. Ang, K.-W.; Chui, K.-J.; Bliznetsov, V.; Tung, C-H.; Du, A.; Balasubramanian, N.; Samudra, G.; Fu Li, M.; Yeo, Y.-C. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 93102.
10. Ang, K.-W.; Tung, C.-H.; Balasubramanian, N.; Samudra, G. S.; Yeo, Y.-C. IEEE Electron Devices Lett. 2003, 28 (7), 609.
11. Bogumilowicz, Y.; Hartmann, J. M.; Fabri, J. M.; Billon, T. Semicond. Sci. Technol. 2006, 21, 1668-1674.
12. Chizmeshya, A. V. G.; Ritter, C.; Tollc, J.; Cook, C.; Menendez, J.; Kouvetakis, J. Chem. Mater. 2006, 18 (26), 6266-6277.
13. Drake, J. E.; Goddard, N. Inorg. Nucl. Chem. Lett. 1968, 4 (7), 385-8.
14. Frisch, M. J.; Frisch, M. J.; Trucks, G. W.; Schlegel, H. B.; Scuseria, G. E.; Robb, M. A.; Cheeseman, J. R.; Montgomery, J. A., Jr.; Vreven, T.; Kudin, K. N.; Burant, J. C.; Millam, J. M.; Iyengar, S. S.; Tomasi, J.; Barone, V.; Mennucci, B.; Cossi, M.; Scalmani, G.; Rega, N.; Petersson, G. A.; Nakatsuji, H.; Hada, M.; Ehara, M.; Toyota, K.; Fukuda, R.; Hasegawa, J.; Ishida, M.; Nakajima, T.; Honda, Y.; Kitao, O.; Nakai, H.; Klene, M.; Li, X.; Knox, J. E.; Hratchian, H. P.; Cross, J. B.; Adamo, C.; Jaramillo, J.; Gomperts, R.; Stratmann, R. E.; Yazyev, O.; Austin, A. J.; Cammi, R.; Pomelli, C.; Ochterski, J. W.; Ayala, P. Y.; Morokuma, K.; Voth, G. A.; Salvador, P.; Dannenberg, J. J.; Zakrzewski, V. G.; Dapprich, S.; Daniels, A. D.; Strain, M. C.; Farkas, O.; Malick, D. K.; Rabuck, A. D.; Raghavachari, K.; Foresman, J. B.; Ortiz, J. V.; Cui, Q.; Baboul, A. G.; Clifford, S.; Cioslowski, J.; Stefanov, B. B.; Liu, G.; Liashenko, A.; Piskorz, P.; Komaromi, I.; Martin, R. L.; Fox, D. J.; Keith, T.; Al-Laham, M. A.; Peng, C. Y.; Nanayakkara, A.; Challacombe, M.; Gill, P. M. W.; Johnson, B.; Chen, W.; Wong, M. W.; Gonzalez, C.; Pople, J. A. Gaussian 03, Revision B.04; Gaussian Inc.: Wallingford, CT, 2004.
15. Buca, D.; Winnerl, S.; Lenk, S.; Buchal, Ch.; Xu, D.-X. Appl. Phys. Lett. 2002, 80 (22), 4172.
16. Kuo, Y.-U.; Lee, Y.-K.; Ge, Y.; Ren, S.; Roth, J. E.; Kamins, T. I.; Miller, D. A. B.; Harris, J. S. Nature 2005, 437 (7063), 1334.