TFT technologies for large area electronics

ECS Transactions

Volumn 8, Issue 1, 2007, Pages 39-43

  Jang, Jin ^a  

^a Kyung Hee University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS SILICON; CONTINUOUS WAVE LASERS; GRAIN GROWTH; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE; SILICON COMPOUNDS; THIN FILM TRANSISTORS; THIN FILMS; ULSI CIRCUITS;

AMORPHOUS SILICON (A-SI); CW LASER CRYSTALLIZATION; DISK-SHAPED GRAINS; LARGE-AREA ELECTRONICS; MOBILE APPLICATIONS; POLYCRYSTALLINE SILICON (POLY-SI); SELF-ORGANIZED PROCESS; SOLID PHASE CRYSTALLIZATION;

THIN FILM CIRCUITS;

EID: 45749136395     PISSN: 19385862     EISSN: 19386737     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1149/1.2767284     Document Type: Conference Paper

References (19)

1. H. Sakamoto, N. Makita, M. Hilkigawa, M. Osame, Y. Tanada, and S. Yamazaki, Digest of SID'00, p. 1190 (2000).
2. J. H. Choi, D. Y. Kim, B. K. Choo, W. S. Sohn, and J. Jang, Electrochem. Solid-State Lett., 6, G16 (2003).
3. J. H. Choi, S. S. Kim, J. H. Cheon, S. J. Park, Y. D. Son, and J. Jang, J. Electrochem. Soc., 151, G448 (2004).
4. K. C. Park, J. H. Jeon, C. M. Park, M. C. Lee, and M. K. Han, Appl. Phys. Lett., 75, 460 (1999).
5. M. P. Hong, B. S. Kim, Y. U. Lee, K. K. Song, J. H. Oh, J. H. Kim, T. Y. Choi, M. S. Ryu, K. Chung, S. Y. Lee, B. W. Koo, J. H. Shin, E. J. Jeong, and L. S. Pu, Digest of SID'05, p. 23 (2005).
6. S. H. Han, S. M. Cho, J. H. Kim, J. W. Choi, J. Jang, and M. H. Oh, Appl. Phys. Lett. 89, 093504 (2006).
7. D. H. Song, M. H. Choi, J. Y. Kim, J. Jang, S. Kirchmeyer, Appl. Phys. Lett. 90, 053504 (2007).
8. S. H. Kim, S. H. Park, Y. D. Nam, H. J. Kim, S. M. Hong, J. H. Hur and J. Jang IDW/AD'05, p. 2003 (2005).
9. S. H. Kim, J. H. Hur, E. B. Kim, H. Y. Choi, M. H. Kang, S. M. Hong, E. H. Lee and J. Jang, Digest of SID'06, p. 1555 (2006).
10. S. H. Kim, E. B. Kim, H. Y. Choi, D. H. Kang, W. H. Park, J. H. Oh, E. Y. Lee, S. H. Lee, D. H. Oh, K. H. Kim, M. H. Kang, J. H. Hur and J. Jang, Digest of SID'07, p. 1093 (2007).
11. Y. Uraoke, T. Hatayama, T. Fuyuki, T. Kawamura, Y. Tsuchihashi, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 2833 (2001).
12. M. A. Crowder, A. T. Voutsas, S. R. Droes, M. Moriguchi, and Y. Mitani, IEEE Trans. Electron Devices, 51, p. 560 (2004).
13. C. H. Oh, M. Ozawa, and M. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys., 37, p. L492 (1998).
14. R. Ishihara, M. He, V. Rana, Y. Hiroshima, S. Inoue, T. Shimoda, J. W. Metselaar, and C. I. M. Beenakker, Thin Solid Films 487, 97 (2005).
15. M. Tai, M. Hatano, S. Yamaguchi, T. Noda, S. K. Park, T. Shiba, and M. Ohkura, IEEE Trans. Electron Devices, 51, p. 934 (2004).
16. S. J. Park, Y. M. Ku, E. H. Kim, K. H. Kim, C. O. Kim, and J. Jang, J. Non-Cryst. Solids 352, 993 (2006).
17. Y. D. Son, N. K. Son, K. H. Kim, E. H. Kim, J. H. Oh, and J. Jang, Digest of SID'07, p. 76 (2007).
18. L. Zhou, A. Wanga, S.-C. Wu, J. Sun, S. Park, and T. N. Jackson, Appl. Phys. Lett. 88, 083502 (2006).
19. H. Y. Choi, S. H. Kim and J. Jang, Adv. Mater. 16, 732, (2004).