Improved a-plane GaN quality grown with flow modulation epitaxy and epitaxial lateral overgrowth on r-plane sapphire substrate

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 23, 2008, Pages

  Huang, Jeng Jie ^a   Shen, Kun Ching ^a   Shiao, Wen Yu ^a   Chen, Yung Sheng ^a   Liu, Tzu Chi ^a   Tang, Tsung Yi ^a   Huang, Chi Feng ^a   Yang, C C ^a  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL MODIFICATION; CRYSTAL GROWTH; EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM; GALLIUM NITRIDE; MODULATION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NITROGEN; SAPPHIRE; SEMICONDUCTING GALLIUM; STEEL ANALYSIS; SURFACE ROUGHNESS;

(1 1 0) SURFACE; (I ,J) CONDITIONS; A PLANE; CRYSTAL QUALITIES; EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH (ELOG); FLOW MODULATIONS; HIGH GROWTH RATES; NITROGEN SUPPLY; PLANE SAPPHIRE;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 45449089525     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2942391     Document Type: Article

References (22)

1. M. D. Craven, F. Wu, A. Chakraborty, B. Imer, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 84, 1281 (2004).
2. A. Chitnis, C. Chen, V. Adivarahan, M. Shatalov, E. Kuokstis, V. Mandavilli, J. Yang, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 84, 3663 (2004).
3. C. K. Choi, Y. H. Kwon, B. D. Little, G. H. Gainer, J. J. Song, Y. C. Chang, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Phys. Rev. B 64, 245339 (2001).
4. J. P. Liu, J. B. Limb, J.-H. Ryou, D. Yoo, C. A. Horne, R. D. Dupuis, Z. H. Wu, A. M. Fischer, F. A. Ponce, A. D. Hanser, L. Liu, E. A. Preble, and K. R. Evans, Appl. Phys. Lett. 92, 011123 (2008).
5. B. Imer, F. Wu, M. D. Craven, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 45, 8644 (2006).
6. P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, H. T. Grahn, J. Menniger, M. Ramsteiner, M. Reiche, and K. H. Ploog, Nature (London) 406, 865 (2000).
7. K. C. Kim, M. C. Schmidt, H. Sato, F. Wu, N. Fellows, Z. Jia, M. Saito, S. Nakamura, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and K. Fujito, Appl. Phys. Lett. 91, 181120 (2007).
8. M. C. Schmidt, K. C. Kim, R. M. Farrell, D. F. Feezell, D. A. Cohen, M. Saito, K. Fujito, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 46, L190 (2007).
9. M. D. Craven, P. Waltereit, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 84, 496 (2004).
10. N. Akopian, G. Bahir, D. Gershoni, M. D. Craven, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 86, 202104 (2005).
11. E. Kuokstis, C. Q. Chen, M. E. Gaevski, W. H. Sun, J. W. Yang, G. Simin, M. Asif Khan, H. P. Maruska, D. W. Hill, M. C. Chou, J. J. Gallagher, and B. Chai, Appl. Phys. Lett. 81, 4130 (2002).
12. M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 81, 469 (2002).
13. T. Koida, S. F. Chichibu, T. Sota, M. D. Craven, B. A. Haskell, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 84, 3768 (2004).
14. M. Araki, N. Mochimizo, K. Hoshino, and K. Tadatomo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 46, 555 (2007).
15. X. Ni, Y. Fu, Y. T. Moon, N. Biyikli, and H. Morko̧, J. Cryst. Growth 290, 66 (2006).
16. N. Kobayashi, T. Makimoto, and Y. Horikoshi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 24, L962 (1985).
17. N. Kobayashi, T. Makimoto, Y. Yamauchi, and Y. Horikoshi, J. Appl. Phys. 66, 640 (1989).
18. T. Akasaka, Y. Kobayashi, and T. Makimoto, Appl. Phys. Lett. 90, 121919 (2007).
19. X. Ni, Ü. Özgür, H. Morko̧, Z. Liliental-Weber, and H. O. Everitt, J. Appl. Phys. 102, 053506 (2007).
20. P. P. Paskov, R. Schifano, T. Paskova, T. Malinauskas, J. P. Bergman, B. Monemar, S. Figge, and D. Hommel, Physica B 376, 473 (2006).
21. T. Paskova, V. Darakchieva, P. P. Paskov, J. Birch, E. Valcheva, P. O. Å. Persson, B. Arnaudov, S. Tungasmita, and B. Monemar, Phys. Status Solidi A 2, 2027 (2005).
22. P. Kozodoy, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Cryst. Growth 195, 265 (1998).