Ultraviolet band-pass photodetectors formed by Ga-doped ZnO contacts to n-GaN

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 11, 2008, Pages

  Sheu, J K ^a   Chang, K H ^a   Lee, M L ^b  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b SOUTHERN TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC CONTACTS; GALLIUM; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SEMICONDUCTOR DOPING; ZINC OXIDE;

NARROW BAND-PASS SPECTRAL RESPONSE; SCHOTTKY BARRIER PHOTODETECTORS (PD);

PHOTODETECTORS;

EID: 41049110854     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2899942     Document Type: Article

References (15)

1. X. A. Cao, S. J. Pearton, G. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.125559 75, 4130 (1999).
2. E. Monroy, E. Muoz, F. J. Sánchez, F. Calle, E. Calleja, B. Beaumout, P. Gibart, J. A. Muoz, and F. Cussó, Semicond. Sci. Technol. SSTEET 0268-1242 10.1088/0268-1242/13/9/013 13, 1042 (1998).
3. Z. C. Huang, J. C. Chen, and D. Wickenden, J. Cryst. Growth JCRGAE 0022-0248 10.1016/S0022-0248(96)00576-3 170, 362 (1997).
4. G. Parish, S. Keller, P. Kozodoy, J. A. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. B. Fleischer, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.124337 75, 247 (1999).
5. Q. Z. Liu, L. S. Yu, S. S. Lau, J. M. Redwing, N. R. Perkins, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.118551 70, 1275 (1997).
6. L. Wang, M. I. Nathan, T.-H. Lim, M. A. Khan, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.115948 68, 1267 (1996).
7. C. T. Lee, Y. J. Lin, and D. S. Liu, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1410358 79, 2573 (2001).
8. J. K. Kim, H. W. Jang, C. M. Jeon, and J.-L. Lee, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1524035 81, 4655 (2002).
9. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, and C. M. Chang, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.121636 72, 3317 (1998).
10. J. K. Sheu, M. L. Lee, and W. C. Lai, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1861113 86, 052103 (2005), and references therein.
11. J. K. Sheu, S. S. Chen, M. L. Lee, W. C. Lai, W. H. Chang, and G. C. Chi, J. Electrochem. Soc. JESOAN 0013-4651 10.1149/1.2039941 152, G813 (2005).
12. J. K. Sheu, K. W. Shu, M. L. Lee, C. J. Tun, and G. C. Chi, J. Electrochem. Soc. JESOAN 0013-4651 10.1149/1.2721760 154, H521 (2007).
13. M. L. Lee, J. K. Sheu, and C. C. Hu, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2803067 91, 182106 (2007).
14. M. L. Lee, J. K. Sheu, W. C. Lai, S. J. Chang, Y. K. Su, M. G. Chen, C. J. Kao, J. M. Tsai, and G. C. Chi, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1587890 94, 1753 (2003).
15. D. J. H. Lambert, M. M. Wong, U. Chowdhury, C. Collins, T. Li, H. K. Kwon, B. S. Shelton, T. G. Zhu, J. C. Campbell, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1311821 77, 1900 (2000).