Effects of thermal annealing on Si-implanted GaN films grown at low temperature by metallorganic vapor phase

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 152, Issue 11, 2005, Pages

  Sheu, J K ^a   Chen, S S ^b   Lee, M L ^c   Lai, W C ^a   Chi, G C ^b  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

^c SOUTHERN TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CARRIER CONCENTRATION; ELECTRIC CONDUCTIVITY; FILM GROWTH; HALL EFFECT; HIGH TEMPERATURE EFFECTS; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; RAPID THERMAL ANNEALING; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

BAND CONDUCTION; BANDGAP; CARRIER TRANSPORT; SELF-INSULATING MATERIALS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 27944470485     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2039941     Document Type: Article

References (15)

1. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys., 86, 1 (1999), and references therein.
2. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett., 48, 353 (1986).
3. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 30, L1705 (1991).
4. P. Stumm and D. A. Drabold, Phys. Rev. Lett., 79, 677 (1997).
5. C. J. Kao, J. K. Sheu, W. C. Lai, M. L. Lee, M. C. Chen, and G. C. Chii, Appl. Phys. Lett., 85, 1430 (2004).
6. M. L. Lee, J. K. Sheu, W. C. Lai, S. J. Chang, Y. K. Su, M. G. Chen,C. J. Kao, J. M. Tsai, and G. C. Chi, J. Appl. Phys., 94, 1753 (2003).
7. M. L. Lee, J. K. Sheu, W. C. Lai, S. J. Chang, Y. K. Su, M. G. Chen, C. J. Kao, J. M. Tsai, and G. C. Chi, Appl. Phys. Lett., 82, 2913 (2003).
8. S. J. Chang, M. L. Lee, J. K. Sheu, W. C. Lai, Y. K. Su, C. S. Chang. C. J. Kao, G. C. Chi, and J. M. Tsai, IEEE Electron Device Lett., 24, 212 (2003).
9. D. C. Look, D. C. Walters, M. O. Manasreh, J. R. Sizelove, C. E. Stutz, and K. R. Evans, Phys. Rev. B, 42, 3578 (1990).
10. J. K. Sheu and G. C. Chi, J. Phys.: Condens. Matter, 14, R657 (2002).
11. L. B. Rowland, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, Appl. Phys. Lett., 66, 1495 (1995).
12. J. K. Sheu, M. L. Lee, C. J. Tun, C. J. Kao, L. S. Yeh, C. C. Lee, S. J. Chang, and G. C. Chi, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 8, 167 (2002).
13. N. F. Mott and W. D. Twose, Adv. Phys., 10, 107 (1961).
14. E. F. Schubert, Doping in III-V Semiconductors, p. 41, Cambridge University Press, Cambridge, U.K. (1993).
15. J. C. Zolper, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett., 68, 1945 (1996).