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Volumn , Issue , 2007, Pages 211-212

Performance of sub-micron gate length InAlP native oxide GaAs-channel MOSFETs

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EID: 39549090337     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1109/DRC.2007.4373722     Document Type: Conference Paper
Times cited : (2)

References (8)
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    • X. Li et al., J. Appl. Phys., 95, p. 4209, 2004.
    • (2004) J. Appl. Phys , vol.95 , pp. 4209
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.