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Volumn 205, Issue 1, 2008, Pages 155-158

Towards p-type ZnO using post-growth annealing

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ACCEPTOR-RELATED SIGNATURES; NEAR-BAND-EDGE EMISSION;

EID: 38849151103     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200776828     Document Type: Conference Paper
Times cited : (15)

References (14)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.