HfOx thin films for resistive memory device by use of atomic layer deposition

Materials Research Society Symposium Proceedings

Volumn 997, Issue , 2007, Pages 191-197

  Chen, Pang Shiu ^a   Lee, Heng Yuan ^b   Wang, Ching Chiun ^b   Tsai, Ming Jinn ^b   Liu, Kou Chen ^c  

^a MINGHSIN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Taiwan)

^b INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE   (Taiwan)

^c CHANG GUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRODES; HAFNIUM COMPOUNDS; SWITCHING SYSTEMS; THIN FILMS;

ATOMIC LAYER CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (ALCVD); NEXT GENERATION MEMORY DEVICES; NONSTOICHOMETRIC HAFNIUM OXIDE;

DATA STORAGE EQUIPMENT;

EID: 38549151149     PISSN: 02729172     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1557/proc-0997-i07-04     Document Type: Conference Paper

References (12)

1. C. C. Hung, M. J. Kao, Y. S. Chen, Y. H. Wang, H. H. Hsu, C. M. Chen, Y. J. Lee, W. C. Chen, J. Y. Lee, W. S. Chen, W. C. Lin, K. H. Shen, J. H. Wei, L. C. Wang, K. L. Chen, S. Chao, D. D. Tang and M. -J. Tsai, in IEDM Tech. Dig.: pp. 575-578 (2004).
2. S. Lai, in ESDM Tech. Dig.: pp. 257-258 (2003).
3. N. Mathur: Nature (London), 390,229 (1997).
4. I. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D.-S. Suh, J. C. Park, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U-In Chung, and J. T. Moon, in IEDM Tech. Dig.: pp. 587- 590 (2004).
5. C. Rohde, B. J. Choi, D. S. Jeong, S. Choi, J. S. Zhao, and C. S. Hwang: Appl. Phys. Lett., vol. 86, 262907 (2005).
6. S. Kim, I. Byun, I. Hwang, J. Kim, J. Choi, B.H. Park, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D. S. Suh, Y. S. Joung and I. K. Yoo: Jpn. J. Appl. Phys., 44, L345 (2005).
7. I. G. Baek, D. C Kim, M. J. Lee, H. -J. Kim, E. K. Yim, M. S. Lee, J. E. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. H. Lee, J. C Park, Y. K. Cha, S. O. Park, H. S. Kim, L K. Yoo U' -In Chung' J. T. Moon and B. I. Ryu: EEDM Tech. Dig., pp. 750-753 (2005).
8. Heng-Yuan Lee, Pang - Shiu Chen, Ching-Chiun Wang, Siddheswar Maikap, Pei-Jer Tzeng, Cha-Hsin Lin, Lurng-Shehng Lee, and Ming-Jinn Tsai: J. J. Appl. Phys., 46, 2175 (2007).
9. D. Triyoso, R. Liu, D. Roan, M. Ramon, N. V. Edwards, R. Gregory, D. Werho, J. Kulik, G.Tam, E. Irwin, X.-D. Wang, L. B. La, C. Hobbs, R. Garcia, J. Baker, B. E. White, Jr., and P. Tobina: Journal of The Electrochemical Society, 151, F220 (2004).
10. D. C. Kim, M. J. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. C Park, I. K. Yoo, I. G. Baek, H. J. Kim, E. K. Yim, J. E. Lee, S. O. Park, H. S. Kim, U-In Chung, J. T. Moon, and B. I. Ryu: Appl. Phys. Lett., 88, 232106 (2006).
11. K. Kinoshita, T. Tamura, H. Aso, H. Noshiro, C. Yoshida, M. Aoki, Y. Sugiyama and H. Tanaka: Nonvolatile Semiconductor Memory Workshop, pp. 84-85 (2006).
12. Kyung Min Kim, Byung Joon Choi, Bon Wook Koo, Seol Choi, Doo Seok Jeong, and Cheol Seong Hwang: Electrochemical and Solid-state Lett. 9, G343 (2006).