Growth front nucleation of rubrene thin films for high mobility organic transistors

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 19, 2007, Pages

  Hsu, C H ^a   Deng, J ^a,b   Staddon, C R ^a   Beton, P H ^a  

^a UNIVERSITY OF NOTTINGHAM   (United Kingdom)

^b BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER MOBILITY; FILM GROWTH; NUCLEATION; PARAMETER ESTIMATION;

AMORPHOUS ISLANDS; GROWTH PARAMETERS; HIGH MOBILITY ORGANIC TRANSISTORS; RUBRENE THIN FILMS;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 36049009814     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2805030     Document Type: Article

References (28)

1. S. F. Nelson, Y.-Y. Lin, D. J. Gundlach, and T. N. Jackson, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.121205 72, 1854 (1998); C. D. Sheraw, L. Zhou, J. R. Huang, D. J. Gundlach, T. N. Jackson, M. G. Kane, I. G. Hill, M. S. Hammond, J. Campi, B. K. Greening, J. Francl, and J. West, Appl. Phys. Lett. 80, 1088 (2002).
2. S. F. Nelson, Y.-Y. Lin, D. J. Gundlach, and T. N. Jackson, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.121205 72, 1854 (1998); C. D. Sheraw, L. Zhou, J. R. Huang, D. J. Gundlach, T. N. Jackson, M. G. Kane, I. G. Hill, M. S. Hammond, J. Campi, B. K. Greening, J. Francl, and J. West, Appl. Phys. Lett. 80, 1088 (2002).
3. R. Ruiz, D. Choudhary, B. Nickel, T. Toccoli, K. C. Chang, A. C. Mayer, P. Clancy, J. M. Blakely, R. L. Headrick, S. Iannotta, and G. G. Malliaras, Chem. Mater. 16, 4497 (2004).
4. H. E. Katz, Chem. Mater. 16, 4748 (2004).
5. H. Klauk, M. Halik, U. Zschieschang, G. Schmid, W. Radlik, and W. Weber, J. Appl. Phys. 92, 5259 (2002).
6. C. D. Dimitrakopoulos and P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 99 (2002).
7. G. Wang, Y. Luo, and P. H. Beton, Appl. Phys. Lett. 83, 3108 (2003).
8. Y. Luo, G. Wang, J. A. Theobald, and P. H. Beton, Surf. Sci. 537, 241 (2003).
9. L. L. Chua, J. Zaumseil, J. F. Chang, E. C. W. Ou, P. K. H. Ho, H. Sirringhaus, and R. H. Friend, Nature (London) 434, 194 (2005).
10. F.-J. Meyer zu Heringdorf, M. C. Reuter, and R. M. Tromp, Nature (London) 412, 517 (2001).
11. V. Podzorov, V. M. Pudalov, and M. E. Gershenson, Appl. Phys. Lett. 82, 1739 (2003).
12. V. Podzorov, S. E. Sysoev, E. Loginova, V. M. Pudalov, and M. E. Gershenson, Appl. Phys. Lett. 83, 3504 (2003).
13. V. C. Sundar, J. Zaumseil, V. Podzorov, E. Menard, R. L. Willett, T. Someya, M. E. Gershenson, and J. A. Rogers, Science 303, 1644 (2004).
14. R. W. I. de Boer, M. E. Gershenson, A. F. Morpurgo, and V. Podzorov, Phys. Status Solidi A 201, 1302 (2004).
15. A. F. Stassen, R. W. I. de Boer, N. N. Iosad, and A. F. Morpurgo, Appl. Phys. Lett. 85, 3899 (2004).
16. S. Seo, B. N. Park, and P. G. Evans, Appl. Phys. Lett. 88, 232114 (2006).
17. D. Kafer and G. Witte, Phys. Chem. Chem. Phys. 7, 2850 (2005).
18. J. H. Seo, D. S. Park, S. W. Cho, C. Y. Kim, W. C. Jang, C. N. Whang, K-H. Yoo, G. S. Chang, T. Pedersen, A. Moewes, K. H. Chae, and S. J. Cho, Appl. Phys. Lett. 89, 163505 (2006).
19. S.-W. Park, S. H. Jeong, J.-M. Choi, J. M. Hwang, J. H. Kim, and S. Im, Appl. Phys. Lett. 91, 033506 (2007).
20. T. Komeda, K. Namba, and Y. Nishioka, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3 (1998).
21. P. Silberzan, L. Leger, D. Ausserre, and J. J. Benattar, Langmuir 7, 1647 (1991).
22. Y. Luo, M. Brun, P. Rannou, and B. Grevin, Phys. Status Solidi A 204, 1851 (2007).
23. M. Haemori, J. Yamaguchi, S. Yaginuma, K. Itaka, and H. Koinuma, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 44, 6A (2005).
24. L. Granasy, T. Pusztai, T. Borzsonyi, J. A. Warren, and J. F. Douglas, Nat. Mater. 3, 645 (2004).
25. M. Brinkmann, S. Graff, and F. Biscarini, Phys. Rev. B 66, 165430 (2002).
26. N. Stingelin-Stutzmann, E. Smits, H. Wondergem, C. Tanase, P. Blom, P. Smith, and D. De Leeuw, Nat. Mater. 4, 601 (2005).
27. D. E. Henn, J. Appl. Crystallogr. 4, 256 (1971).
28. R. C. Haddon, A. S. Perel, R. C. Morris, T. C. M. Palstra, A. F. Hebard, and R. M. Fleming, Appl. Phys. Lett. 67, 121 (1995).