Study of La-induced flat band voltage shift in metal/HfLaO x/SiO2/Si capacitors

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 46, Issue 11, 2007, Pages 7251-7255

  Yamamoto, Yoshiki ^a   Kita, Koji ^a   Kyuno, Kentaro ^a   Toriumi, Akira ^a  

^a UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

Author keywords

Dipole; Flat band voltage; HfLaOx; High k dielectric; Interface

Indexed keywords

DIELECTRIC MATERIALS; ELECTRIC POTENTIAL; FERMI LEVEL; INTERFACES (MATERIALS); LANTHANUM;

DIPOLE LAYERS; FERMI-LEVEL PINNING; FLAT BAND VOLTAGE;

CAPACITORS;

EID: 35948958613     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.46.7251     Document Type: Article

References (14)

1. Y. C. Yeo, P. Ranade, T.-J. King, and C. Hu: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 342.
2. C. C. Hobbs, L. R. C. Fonseca, A. Knizhnik, V. Dhandapani, S. B. Samavedam, W. J. Taylor, J. M. Grant, L. G. Dip, D. H. Toriyoso, R. I. Hegde, D. C. Gilmer, R. Garcia, D. Roan, M. L. Lovejoy, R. S. Rai, E. A. Hebert, H.-H. Tseng, S. G. H. Anderson, B. E. White, and P. J. Tobin: IEEE Trans. Electron Devices 51 (2004) 971.
3. K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 102906.
4. K. Tomida, K. Kita, and A. Toriumi: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 142902.
5. Y. Zhao, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 252905.
6. Y. Yamamoto, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 032903.
7. Y. F. Loo, S. Taylor, R. T. Murray, A. C. Jones, and P. R. Chalker: J. Appl. Phys. 99 (2006) 103704.
8. S. V. Ushakov, C. E. Brown, and A. Navrotsky: J. Mater. Res. 19 (2004) 693.
9. X. P. Wang, M. F. Li, C. Ren, X. F. Yu, C. Shen, H. H. Ma, A. Chin, C. X. Zhu, J. Ning, M. B. Yu, and D.-L. Kwong: IEEE Electron Device Lett. 27 (2006) 31.
10. H. N. Alshareef, H. R. Harris, H. C. Wen, C. S. Park, C. Huffman, K. Choi, H. F. Luan, P. Majhi, B. H. Lee, R. Jammy, D. J. Lichtenwalner, J. S. Jur, and A. I. Kingon: Dig. Symp. VLSI Technology, 2006, p. 10.
11. L. Pantisano, T. Schram, B. O'Sullivan, T. Conard, S. De Gendt, G. Groeseneken, P. Zimmerman, A. Akheyar, M. M. Heyns, S. Shamuilla, V. V. Afanas'ev, and A. Stesmans: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 113505.
12. V. Narayanan, V. K. Paruchuri, N. A. Bojarczuk, B. P. Linder, B. Doris, Y. H. Kim, S. Zafar, J. Stathis, S. Brown, J. Arnold, M. Copel, M. Steen, E. Cartier, A. Callegari, P. Jamison, J.-P. Locquet, D. L. Lacey, Y. Wang, P. E. Batson, P. Ronsheim, R. Jammy, M. P. Chudzik, M. Ieong, S. Guha, G. Shahidl, and T. C. Chen: Dig. Symp. VLSI Technology, 2006, p. 224.
13. A. M. Cowley and S. M. Sze: J. Appl. Phys. 36 (1965) 3212.
14. Y. Kamimuta, M. Koyama, T. Ino, K. Sekine, M. Sato, K. Eguchi, M. Takayanagi, M. Tomita, and A. Nishiyama: Ext. Abstr. Int. Conf. Solid State Device and Materials, 2005, p. 24.