Pentacene and ZnO hybrid channels for complementary thin-film transistor inverters operating at 2 v

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 7, 2007, Pages

  Oh, Min Suk ^a   Hwang, D K ^a   Lee, Kimoon ^a   Choi, Won Jun ^a   Kim, Jae Hoon ^a   Im, Seongil ^a   Lee, Seungjun ^b  

^a Yonsei University   (South Korea)

^b Ewha Womans University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPUTER SIMULATION; DEPOSITION; DYNAMIC RESPONSE; ELECTRIC INVERTERS; FABRICATION; FIELD EFFECT TRANSISTORS; ZINC OXIDE;

DEPOSITION TEMPERATURE; HYBRID CHANNELS; PENTACENE; THIN GATE OXIDES;

THIN FILMS;

EID: 35348858083     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2785852     Document Type: Article

References (22)

1. H. Sirringhaus, N. Tessler, and R. H. Friend, Science 280, 1741 (1998).
2. C. D. Dimitrakopoulos, S. Purushothaman, J. Kymissis, A. Callegari, and J. M. Shaw, Science 283, 822 (1999).
3. M. Halik, H. Klauk, U. Zschieschang, G. Schmid, C. Dehm, M. Schutz, S. Maisch, F. Effenberger, M. Brunnbauer, and F. Stellacci, Nature (London) 431, 963 (2004).
4. E. M. C. Fortunato, P. M. C. Barquinha, A. C. M. B. G. Pimentel, A. M. F. Goncalves, A. J. S. Marques, L. M. N. Pereira, and R. F. P. Martins, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 17, 590 (2005).
5. P. F. Carcia, R. S. McLean, and M. H. Reilly, Appl. Phys. Lett. 88, 123509 (2006).
6. J. F. Wager, Science 300, 1245 (2003).
7. H. Klauk, M. Halik, U. Zschieschang, F. Eder, D. Rohde, G. Schmid, and C. Dehm, IEEE Trans. Electron Devices 52, 618 (2005).
8. S. D. Vusser, S. Steudel, K. Myny, J. Genoe, and P. Heremans, Appl. Phys. Lett. 88, 162116 (2006).
9. M. H. Yoon, H. Yan, A. Facchetti, and T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 127, 10388 (2005).
10. T. D. Anthopoulos, S. Setayesh, E. C. P. Smits, M. Cölle, B. de Boer, E. Cantatore, P. W. M. Blom, and D. M. de Leeuw, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 18, 1900 (2006).
11. D. J. Gundlach, K. P. Pernstich, G. Wilckens, M. Gruter, S. Haas, and B. Batlogg, J. Appl. Phys. 98, 064502 (2005).
12. L.-L. Chua, J. Zaumseil, J.-F. Chang, E. C.-W. Ou, P. K.-H. Ho, H. Sirringhaus, and R. H. Friend, Nature (London) 434, 194 (2005).
13. C. D. Dimitrakopoulos and P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 99 (2002).
14. C. R. Kagan and P. Andry, Thin-Film Transistors (Dekker, New York, 2003), p. 325.
15. W. J. Kim, W. H. Koo, S. J. Jo, C. S. Kim, H. K. Baik, J. Lee, and S. Im, Electrochem. Solid-State Lett. 8, G341 (2005).
16. Ch. Pannemann, T. Diekmann, and U. Hilleringmann, J. Mater. Res. 19, 1999 (2004).
17. M. S. Oh, D. K. Hwang, K. Lee, S. Im, and S. Yi, Appl. Phys. Lett. 90, 173511 (2007).
18. D. K. Hwang, C. S. Kim, J. M. Choi, K. Lee, J. H. Park, E. Kim, H. K. Baik, J. H. Kim, and S. Im, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 18, 2299 (2006).
19. K. Lee, J. H. Kim, S. Im, C. S. Kim, and H. K. Baik, Appl. Phys. Lett. 89, 133507 (2006).
20. D. K. Hwang, K. Lee, J. H. Kim, S. Im, J. H. Park, and E. Kim, Appl. Phys. Lett. 89, 093507 (2006).
21. G. Gu, M. G. Kane, J. E. Doty, and A. H. Firester, Appl. Phys. Lett. 87, 243512 (2005).
22. R. B. M. Cross and M. M. De Souza, Appl. Phys. Lett. 89, 263513 (2006).