Barrier performance of ultrathin Ni-Ti film for integrating ferroelectric capacitors on Si

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 14, 2007, Pages

  Liu, B T ^a   Yan, X B ^a   Zhang, X ^a   Cheng, C S ^a   Li, F ^a   Bian, F ^a   Zhao, Q X ^a   Guo, Q L ^a   Wang, Y L ^a   Li, X H ^b   Zhang, X Y ^b   Li, C R ^c   Wang, Y S ^d  

^a HEBEI UNIVERSITY   (China)

^b YANSHAN UNIVERSITY   (China)

^c ZHEJIANG SCI TECH UNIVERSITY   (China)

^d INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COERCIVE FIELDS; CONDUCTIVE DIFFUSION BARRIER LAYERS; HIGH DENSITY FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORIES; REMNANT POLARIZATION;

CAPACITORS; FERROELECTRIC MATERIALS; HETEROJUNCTIONS; NICKEL COMPOUNDS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ULTRATHIN FILMS;

EID: 34948867882     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2794734     Document Type: Article

References (20)

1. X. Huang, G. J. Ackland, and K. M. Rabe, Nat. Mater. 2, 307 (2003).
2. W. M. Huang, Q. Y. Liu, L. M. He, and J. H. Yeo, Sens. Actuators, A 114, 118 (2004).
3. S. Miyazaki, in Engineering Aspects of Shape Memory Alloys, edited by, T. W. Duerig, K. N. Melton, D. Stöckel, and, C. W. Wayman, (Butterworths, London, 1990), pp. 394-413.
4. C. R. Rathod, B. Clausen, M. A. M. Bourke, and R. Vaidyanathan, Appl. Phys. Lett. 88, 201919 (2006).
5. Y. Zhang, Y.-T. Cheng, and D. S. Grummon, Appl. Phys. Lett. 89, 041912 (2006).
6. H.-J. Lee and A. G. Ramirez, Appl. Phys. Lett. 85, 1146 (2004).
7. H.-J. Lee, H. N. David, T. Wu, and A. G. Ramirez, Appl. Phys. Lett. 87, 114102 (2005).
8. O. Auciello, J. F. Scott, and R. Ramesh, Phys. Today 51 (7), 22 (1998).
9. H. Kuwabara, N. Menou, and H. Funakubo, Appl. Phys. Lett. 90, 222901 (2007).
10. F. D. Morrison, D. J. Jung, and J. F. Scott, J. Appl. Phys. 101, 094112 (2007).
11. I.-S. Chen, J. F. Roeder, D.-J. Kim, J.-P. Maria, and A. I. Kingon, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1833 (2001).
12. Y. J. Song, H. H. Kim, S. Y. Lee, D. J. Jung, B. J. Koo, J. K. Lee, Y. S. Park, H. J. Cho, S. O. Park, and K. Kim, Appl. Phys. Lett. 76, 451 (2000).
13. S. R. Summerfelt, T. S. Moise, G. Xing, L. Colombo, T. Sakoda, S. R. Gillbert, A. L. S. Loke, S. Ma, L. A. Wills, R. Kavari, T. Hsu, J. Amano, S. T. Johnson, D. J. Vestcyk, M. W. Russell, S. M. Bilodeau, and P. Van Buskirk, Appl. Phys. Lett. 79, 4004 (2001).
14. J. G. Lisoni, J. A. Johnson, L. Goux, V. Paraschiv, D. Maes, H. Van der Meeren, M. Willegems, L. Haspeslagh, D. J. Wouters, C. Caputa, R. Zambrano, Ch. Turquat, and Ch. Muller, J. Appl. Phys. 101, 014908 (2007).
15. B. T. Liu, C. S. Cheng, F. Li, L. Ma, Q. X. Zhao, Z. Yan, D. Q. Wu, C. R. Li, Y. Wang, X. H. Li, and X. Y. Zhang, Appl. Phys. Lett. 88, 252903 (2006).
16. S. Aggarwal, A. M. Dhote, H. Li, S. Ankem, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 74, 230 (1999).
17. B. T. Liu, K. Maki, S. Aggarwal, B. Nagaraj, V. Nagarajan, L. Salamanca-Riba, R. Ramesh, A. M. Dhote, and O. Auciello, Appl. Phys. Lett. 80, 3599 (2002).
18. S. Aggarwal, B. Nagaral, I. G. Jenkins, H. Li, R. P. Sharma, L. Salamanca-Riba, R. Ramash, A. M. Dhote, A. R. Krauss, and O. Auciello, Acta Mater. 48, 3387 (2000).
19. J. D. Busch, A. D. Johnson, C. H. Lee, and D. A. Stevenson, J. Appl. Phys. 68, 6224 (1990).
20. K. D. Machado, J. C. de Lima, C. E. M. de Campos, T. A. Grandi, and D. M. Tricĥs, Phys. Rev. B 66, 094205 (2002).