Crystallization of amorphous SiO2 microtubes catalyzed by lithium

Advanced Functional Materials

Volumn 17, Issue 12, 2007, Pages 1952-1957

  Zhao, Lili ^a   Li, Na ^b   Langner, Andreas ^a   Steinhart, Martin ^a   Tan, Teh Y ^b   Pippel, Eckhard ^a   Hofmeister, Herbert ^a   Tu, King Ning ^c   Gösele, Ulrich ^a  

^a MAX PLANCK INSTITUTE OF MICROSTRUCTURE PHYSICS   (Germany)

^b Duke University   (United States)

^c Engineering IV   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CATALYSIS; CRYSTAL GROWTH; CRYSTALLIZATION; LITHIUM; LITHOGRAPHY; MICROSTRUCTURE; THERMOOXIDATION;

CRYSTALLIZATION TEMPERATURE; GAS PHASE; PATTERNED SUBSTRATES;

AMORPHOUS SILICON;

EID: 34548097197     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.200601104     Document Type: Article

References (30)

1. R. Bechmann. Phys. Rev. 1958, 110, 1060.
2. A. Schmautz, Sens. Actuators B 1992,6, 38.
3. T. Nakamoto. A. Fukuda, T. Moriizumi, Sens. Actuators B 1993, 10, 85.
4. Y. Q. Zhu, W. H. Hsu. M. Terrones. N. Grobert, M. Terrones, J. P. Hare, H. W. Kroto, D. R. M. Walton, J. Mater. Chem. 1998, 8, 1859.
5. Z. L. Wang, R. P. Gao, J. L. Gole, J. D. Stout. Adv. Mater. 2000, 12, 1938.
6. R. Fan, Y. Y. Wu, D. Y. Li. M. Yue, A. Majumdar, P. D. Yang. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 5254.
7. F. L. Deepak, G. Gundiah, M. M. Seikh, A. Govindaraj, C. N. R. Rao, J. Mater. Res. 2004, 19, 2216.
8. A. Okabe, M. Niki, T. Fukushima, T. Aida, Chem. Lett. 2006, 35, 228.
9. F. E. Wagstaff, K. J. Richards, J. Am. Ceram. Soc. 1966, 49, 118.
10. V. G. Pol, A. Gedanken, J. Calderón-Moreno, Chem. Mater. 2003, 15, 1111.
11. M. G. Garnica-Romo, J. Gonzalez-Hernandez, M. A. Hernandez-Landaverde, Y. V. Vorobiev, F. Ruiz, J. R. Martinez, J. Mater. Res. 2001, 16, 2007.
12. J. H. Jean, T. K. Gupta, J. Mater. Res. 1992, 7, 3103.
13. A. Palermo, J. P. H. Vazquez, A. F. Lee, M. S. Tikhov, R. M. Lambert, J. Catalysis 1998, 177, 259.
14. A. M. Venezia, V. La Parola, A. Longo, A. Martorana, J Solid. State. Chem. 2001, 161, 373.
15. A. Navrotsky, K. L. Gelsinger, P. Mcmillan, G. V. Gibbs, Phys. Chem. Miner. 1985, 11, 284.
16. V. Lehmann, J. Electrochem. Soc. 1993, 140, 2836.
17. A. Birner. U. Grüning, S. Ottow. A. Schneider, F. Müller. V. Lehmann, H. Föll, U. Gösele, Phys. Status Solidi A. 1998, 165, 111.
18. A. Birner, R. B. Wehrspohn, U. M. Gösele, K. Busch, Adv. Mater. 2001, 13, 377.
19. L. L. Zhao, M. Steinhart, M. Yosef, S. K. Lee. T. Geppert, E. Pippel, R. Scholz, U. Gösele. S. Schlecht, Chem. Mater. 2005, 17, 3.
20. L. L. Zhao, T. Z. Lu, M. Zacharias, J. Yu, J. Shen, H. Hofmeister, M. Steinhart. U. Gösele, Adv. Mater. 2006, 18, 363.
21. D. B. Kao, J. P. McVittie, W. D. Nix. K. C. Saraswat, IEEE T. Electron. Dev. 1987, ED-34. 1008.
22. a) H. Hofmeister, F. Huisken, B. Kohn, Eur. Phys. J. D 1999, 9, 137.
23. b) J. Dalla Torre, J. L. Bocquet, Y. Limoge. J. P. Crocombette, E. Adam, G. Martin, T Baron, P. Rivallin, P. Mur, J. Appl. Phys. 2002, 92, 1084.
24. c) H. Coffin, C. Bonafos, S. Schamm, N. Cherkashin, G. B. Assayag, A. Claverie, M. Respaud, P. Dimitrakis, P. Normand, J. Appl. Phys. 2006, 99, 044302.
25. R. B. Marcus, T T. Sheng, J. Electrochem. Soc. 1982, 129, 1278.
26. D. B. Kao, J. P. McVittie, W. D. Nix, K. C. Saraswat, IEEE T. Electron. Dev. 1988, ED-35, 25.
27. M. Nagase, A. Fujiwara, Y. Takahashi, K. Murase, K. Kurihara, Microelectron. Eng. 1998, 41, 527.
28. H. Heidemeyer, C. Single, F. Zhou, F. E. Prins, D. P. Kern, E. Plies, J. Appl. Phys. 2000, 87, 4580.
29. M. Uematsu, H. Kageshima, K. Shiraishi, M. Nagase, S. Horiguchi, Y. Takahashi, Solid-State Electronics 2004, 48, 1073.
30. S. Ottow, V. Lehmann, H. Föll, J Electrochem. Soc. 1996, 143, 385.