Influence of high temperature in the growth of low dislocation content AlN bridge layers on patterned 6H-SiC substrates by metalorganic vapor phase epitaxy

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 46, Issue 12-16, 2007, Pages

  Balakrishnan, Krishnan ^a   Bandoh, Akria ^b   Iwaya, Motoaki ^a   Kamiyama, Satoshi ^a   Amano, Hiroshi ^a   Akasaki, Isamu ^a  

^a MEIJO UNIVERSITY   (Japan)

^b Showa Denko Materials Co   (Japan)

Author keywords

Aluminum nitride; Bridge layer growth; High temperature metal organic vapor phase epitaxy; Transmission electron microscopy

Indexed keywords

DISLOCATIONS (CRYSTALS); EPITAXIAL GROWTH; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

BRIDGE LAYER GROWTH; HIGH TEMPERATURE METAL ORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY;

ALUMINUM COMPOUNDS;

EID: 34547901766     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.46.L307     Document Type: Article

References (19)

1. I. Akasaki and H. Amano: Semiconductors and Semlmetals, ed. J. I. Pankove and T. D. Moustakas (Academic Press, UK, 1998).
2. M. Asif Khan, M. Shatalov, H. P. Maruska, H. M. Wang, and E. Kuokstis: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 7191.
3. Properties of Group III Nitrides, ed. J. H. Edgar (INSPEC, London, 1994) p. 74.
4. S. Heikman, S. Keller, S. Newman, Y. Wu, C. Moe, B. Moran, M. Schmidt, U. K. Mishra, J. S. Speck, and S. P. DenBaars: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L405.
5. A. Costales, M. A. Blanco, A. M. Pendas, A. K. Kandalam, and R. Pandey: J. Am. Chem. Soc. 124 (2002) 4116.
6. Y. Ohba, H. Yoshida, and R. Sato: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1565.
7. K. Balakrishnan, N. Fujimoto, T. Kitano, A. Bandoh, M. Imura, K. Nakano, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi, T. Noro, K. Shimono, T. Riemann, and J. Christen: Phys. Status Solidi C 3 (2006) 1392.
8. K. Nakano, M. Imura, G. Narita, T. Kitano, Y. Hirose, N. Fujimoto, N. Okada, T. Kawashima, K. Iida, K. Balakrishnan, M. Tsuda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki: Phys. Status Solidi A 203 (2006) 1632.
9. M. Imura, K. Nakano, T. Kitano, N. Fujimoto, G. Narita, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi, and A. Bandoh: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 221901.
10. M. Imura, K. Nakano, G. Narita, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, and A. Bandoh: J. Cryst. Growth 298 (2007) 257.
11. K. Balakrishnan, K. Iida, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki: to be published in Phys. Status Solidi (2007).
12. K. Balakrishnan, M. Imura, K. Iida, K. Nagamatsu, H. Sugimura, T. Nagai, T. Sumii, S. Mori, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki: to be published in Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 957 (2007).
13. M. Imura, K. Nakano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, and A. Bandoh: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 8639.
14. Z. Chen, R. S. Qhalid Fareed, M. Gaevski, V. Adivarahan, J. W. Yang, M. Asif Khan, J. Mei, and F. A. Ponce: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 081905.
15. Z. Chen, D. Lu, H. Yuan, P. Han, X. Liu, Y. Li, X. Wang, Y. Lu, and Z. G. Wang: J. Cryst. Growth 235 (2002) 188.
16. K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi, and T. Noro: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 7448.
17. K. Balakrishnan, M. Banno, K. Nakano, G. Narita, N. Tsuchiya, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi, and A. Bandoh: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 831 (2005) E11.3.
18. M. Imura: Ph.D. Thesis, Meijo University, Nagoya, Japan, 2007.
19. T. M. Katona, P. Cantu, S. Keller, Y. Wu, J. S. Speck, and S. P. DenBaars: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 5025.