Interdot coupling in a Si-based coupled double dot system for spin qubit gate

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 5, 2007, Pages

  Shin, S J ^a   Lee, J J ^a   Chung, R S ^a   Kim, M S ^a   Park, E S ^a   Choi, J B ^a   Kim, N S ^a   Park, K H ^a   Lee, S D ^b   Kim, N ^b   Kim, J H ^b  

^a Chungbuk National University   (South Korea)

^b Korea Research Institute of Standards and Science   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRON TUNNELING; GATES (TRANSISTOR); PARAMETER ESTIMATION; SEMICONDUCTING SILICON;

CAPACITIVE COUPLING; CHARGE-STABILITY PATTERN; INTERDOT COUPLING; QUBIT GATE;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 34547683502     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2762289     Document Type: Article

References (25)

1. For a review, see W. G. van der Wiel, S. De Franceschi, J. M. Elzerman, T. Tarucha, and L. P. Kouwenhoven, Rev. Mod. Phys. 75, 1 (2003).
2. I. H. Chan, P. Fallahi, A. Vidan, R. M. Westervelt, M. Hanson, and A. C. Gossard, Nanotechnology 15, 609 (2004).
3. M. Pioro-Ladrìre, M. R. Abolfath, P. Zawadzki, J. Lapointe, S. A. Studenikin, A. S. Sachrajda, and P. Hawrylak, Phys. Rev. B 72, 125307 (2005).
4. T. Hatano, M. Stopa, and S. Tarucha, Science 309, 268 (2005).
5. A. C. Johnson, J. R. Petta, J. M. Taylor, A. Yacoby, M. D. Lukin, C. M. Marcus, M. P. Hanson, and A. C. Gossard, Nature (London) 435, 925 (2005).
6. J. R. Petta, A. C. Johnson, J. M. Taylor, E. A. Laird, A. Yacoby, M. D. Lukin, C. M. Marcus, M. P. Hanson, and A. C. Gossard, Science 309, 2180 (2005).
7. G. Feher and E. A. Gere, Phys. Rev. 114, 1245 (1959).
8. J. P. Gordon and K. D. Bowers, Phys. Rev. Lett. 1, 368 (1958).
9. C. Tahan, M. Friesen, and R. Joynt, Phys. Rev. B 66, 035314 (2002).
10. A. M. Tyryshkin, J. J. L. Morton, S. C. Benjamin, A. Ardavan, G. A. D. Briggs, J. W. Ager, and S. A. Lyon, J. Phys.: Condens. Matter 18, S783 (2006).
11. S. D. Lee, K. S. Park, J. W. Park, J. B. Choi, S.-R. Eric Yang, K.-H. Yoo, J. Kim, S. I. Park, and K. T. Kim, Phys. Rev. B 62, R7735 (2000).
12. C. Single, F. E. Prins, and D. P. Kern, Appl. Phys. Lett. 78, 1421 (2001).
13. A. J. Ferguson, D. G. Hasko, H. Ahmed, and D. A. Williams, Appl. Phys. Lett. 82, 4492 (2003).
14. J. Gorman, D. G. Hasko, and D. A. Williams, Phys. Rev. Lett. 95, 090502 (2005).
15. S. D. Lee, S. J. Shin, S. J. Choi, J. J. Lee, J. B. Choi, S. Park, S.-R. Eric Yang, S. J. Lee, and T. H. Zyung, Appl. Phys. Lett. 89, 023111 (2006).
16. A. Fujiwara, H. Inokawa, K. Yamazaki, H. Namatsu, and Y. Takahashi, Appl. Phys. Lett. 88, 053121 (2006).
17. K. S. Park, S. J. Kim, I. B. Paik, W. H. Lee, J. S. Kang, Y. B. Jo, S. D. Lee, C. K. Lee, J. B. Choi, J. H. Kim, K. H. Park, W. J. Cho, M. G. Jang, and S. J. Lee, IEEE Trans. Nanotechnol. 4, 242 (2005).
18. R. H. Blick, R. J. Haug, J. Weis, D. Pfannkuche, K. v. Klitzing, and K. Eberl, Phys. Rev. B 53, 7899 (1996).
19. F. Hofmann, T. Heinzel, D. A. Wharam, J. P. Kotthaus, G. Böhm, W. Klein, G. Tränkle, and G. Weimann, Phys. Rev. B 51, 13872 (1995).
20. C. Livermore, C. H. Crouch, R. M. Westervelt, K. L. Campman, and A. C. Gossard, Science 274, 1332 (1996).
21. D. V. Averin and K. K. Likharev, in Mesoscopic Phenomena in Solids, edited by, P. A. Lee, and, R. A. Webb, (Elsevier, New York, 1991).
22. D. Loss and D. P. DiVincenzo, Phys. Rev. A 57, 120 (1998).
23. G. Burkard, D. Loss, and D. P. DiVincenzo, Phys. Rev. B 59, 2070 (1999).
24. X. Hu and S. Das Sarma, Phys. Rev. A 61, 062301 (2000).
25. A. Harju, S. Siljamaki, and R. M. Nieminen, Phys. Rev. Lett. 88, 226804 (2002).